Эиком
Авторизируйтесь, чтобы снизить цену
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
IRFIBE30GPBF
  • В избранное
  • В сравнение
IRFIBE30GPBF

IRFIBE30GPBF

IRFIBE30GPBF
;
IRFIBE30GPBF

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    VISHAY
  • Артикул:
    IRFIBE30GPBF
  • Описание:
    MOSFET N-CH 800V 2.1A TO220-3Все характеристики

Минимальная цена IRFIBE30GPBF при покупке от 1 шт 399.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IRFIBE30GPBF с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IRFIBE30GPBF

IRFIBE30GPBF VISHAY MOSFET N-Ч 800В 2.1А TO220-3

  • Основные параметры:
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Номинальное напряжение: 800 В
    • Номинальный ток: 2.1 А
    • Пакет: TO220-3
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость в режиме ON
    • Малый коэффициент сопротивления при ON (RDS(on))
    • Высокая надежность и долговечность
    • Размеры компактны для своих характеристик
  • Минусы:
    • Требует дополнительного охлаждения при больших нагрузках
    • Небольшой ток может ограничивать его применение в некоторых устройствах
  • Общее назначение:
    • Использование в источниках питания
    • Применение в конвертерах постоянного тока
    • Работа в драйверах преобразователей
    • Служба в инверторах
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы питания
    • Блоки питания для компьютеров
    • Системы зарядки мобильных устройств
    • Электронные устройства для домашнего использования
Выбрано: Показать

Характеристики IRFIBE30GPBF

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    800 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    2.1A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3Ohm @ 1.3A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    78 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1300 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    35W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-220-3
  • Корпус
    TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
  • Base Product Number
    IRFIBE30

Техническая документация

 IRFIBE30GPBF.pdf
pdf. 0 kb
  • 111 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    399 ₽
  • 3
    356 ₽
  • 10
    265 ₽
  • 50
    195 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    VISHAY
  • Артикул:
    IRFIBE30GPBF
  • Описание:
    MOSFET N-CH 800V 2.1A TO220-3Все характеристики

Минимальная цена IRFIBE30GPBF при покупке от 1 шт 399.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IRFIBE30GPBF с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IRFIBE30GPBF

IRFIBE30GPBF VISHAY MOSFET N-Ч 800В 2.1А TO220-3

  • Основные параметры:
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Номинальное напряжение: 800 В
    • Номинальный ток: 2.1 А
    • Пакет: TO220-3
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость в режиме ON
    • Малый коэффициент сопротивления при ON (RDS(on))
    • Высокая надежность и долговечность
    • Размеры компактны для своих характеристик
  • Минусы:
    • Требует дополнительного охлаждения при больших нагрузках
    • Небольшой ток может ограничивать его применение в некоторых устройствах
  • Общее назначение:
    • Использование в источниках питания
    • Применение в конвертерах постоянного тока
    • Работа в драйверах преобразователей
    • Служба в инверторах
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы питания
    • Блоки питания для компьютеров
    • Системы зарядки мобильных устройств
    • Электронные устройства для домашнего использования
Выбрано: Показать

Характеристики IRFIBE30GPBF

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    800 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    2.1A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3Ohm @ 1.3A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    78 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1300 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    35W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-220-3
  • Корпус
    TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
  • Base Product Number
    IRFIBE30

Техническая документация

 IRFIBE30GPBF.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    IRFP9140PBFMOSFET P-CH 100V 21A TO247-3
    727Кешбэк 109 баллов
    IRFI9Z14GPBFMOSFET P-CH 60V 5.3A TO220-3
    410Кешбэк 61 балл
    SIHG47N60E-GE3MOSFET N-CH 600V 47A TO247AC
    1 690Кешбэк 253 балла
    IRF9Z24SPBFMOSFET P-CH 60V 11A D2PAK
    197Кешбэк 29 баллов
    IRFL110TRPBFТранзистор: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
    182Кешбэк 27 баллов
    IRFUC20PBFТранзистор: MOSFET N-CH 600V 2A TO251AA
    156Кешбэк 23 балла
    IRF630SPBFТранзистор: MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
    174Кешбэк 26 баллов
    IRFZ44PBFMOSFET N-CH 60V 50A TO220AB
    393Кешбэк 58 баллов
    SUP85N10-10-GE3MOSFET N-CH 100V 85A TO220AB
    770Кешбэк 115 баллов
    IRL640PBFТранзистор: MOSFET N-CH 200V 17A TO220AB
    425Кешбэк 63 балла
    IRF9530SPBFТранзистор: MOSFET P-CH 100V 12A D2PAK
    312Кешбэк 46 баллов
    SIHF22N60E-GE3MOSFET N-CH 600V 21A TO220
    875Кешбэк 131 балл
    IRFPF50PBFMOSFET N-CH 900V 6.7A TO247-3
    938Кешбэк 140 баллов
    IRFPC50APBFMOSFET N-CH 600V 11A TO247-3
    790Кешбэк 118 баллов
    IRFI830GPBFMOSFET N-CH 500V 3.1A TO220-3
    367Кешбэк 55 баллов
    IRFS9N60APBFMOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK
    339Кешбэк 50 баллов
    IRL640SPBFТранзистор: MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK
    404Кешбэк 60 баллов
    IRFIBE30GPBFMOSFET N-CH 800V 2.1A TO220-3
    399Кешбэк 59 баллов
    IRFBC40LCPBFТранзистор: MOSFET N-CH 600V 6.2A TO220AB
    310Кешбэк 46 баллов
    IRF710PBFMOSFET N-CH 400V 2A TO220AB
    158Кешбэк 23 балла
    IRFU220PBFMOSFET N-CH 200V 4.8A TO251AA
    194Кешбэк 29 баллов
    SIHP15N50E-GE3MOSFET N-CH 500V 14.5A TO220AB
    438Кешбэк 65 баллов
    SI1013CX-T1-GE3Транзистор: MOSFET P-CH 20V 450MA SC89-3
    67Кешбэк 10 баллов
    IRFD020PBFТранзистор: MOSFET N-CH 50V 2.4A 4DIP
    216Кешбэк 32 балла
    SI4835DDY-T1-GE3Транзистор: MOSFET P-CH 30V 13A 8SO
    137Кешбэк 20 баллов
    IRFPC60LCPBFТранзистор: MOSFET N-CH 600V 16A TO247-3
    1 133Кешбэк 169 баллов
    SI1480DH-T1-GE3MOSFET N-CH 100V 2.6A SC70-6
    75Кешбэк 11 баллов
    SIR826ADP-T1-GE3MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
    539Кешбэк 80 баллов
    IRF9Z34PBFMOSFET P-CH 60V 18A TO220AB
    264Кешбэк 39 баллов
    SI2365EDS-T1-GE3MOSFET P-CH 20V 5.9A TO236
    71Кешбэк 10 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Высокочастотные диоды
    Сборки биполярных транзисторов
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды - ВЧ
    Одиночные триодные тиристоры
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Тиристоры - TRIACs
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Тиристоры - SCR
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Симисторы
    IGBT транзисторы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды силовые
    Тиристоры - SCR - модули
    Варикапы и Варакторы
    Диодные мосты - Модули
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы специального назначения
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диодные мосты
    Одиночные биполярные транзисторы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторные модули
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - JFET
    Одиночные IGBT транзисторы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Симисторы - Модули
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Модули триодных тиристоров
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП