Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
IRFPF30PBF
  • В избранное
  • В сравнение
IRFPF30PBF

IRFPF30PBF

IRFPF30PBF
;
IRFPF30PBF

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Vishay Semiconductors
  • Артикул:
    IRFPF30PBF
  • Описание:
    MOSFET N-CH 900V 3.6A TO247-3Все характеристики

Минимальная цена IRFPF30PBF при покупке от 1 шт 932.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IRFPF30PBF с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IRFPF30PBF

IRFPF30PBF Vishay Semiconductors MOSFET N-CH 900V 3.6A TO247-3

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS(on)): 900 В
    • Номинальный ток при VDS(on): 3.6 А
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Пакет: TO247-3
  • Плюсы:
    • Высокое значение номинального напряжения
    • Умеренный ток при номинальном напряжении
    • Доступен в компактном корпусе TO247-3
    • Хорошо подходит для различных приложений из-за своей универсальности
  • Минусы:
    • Не предназначен для высокотоковых приложений
    • Требует дополнительных элементов управления для работы с высокими напряжениями
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения
    • Переключение высоковольтных цепей
    • Изоляция сигналов
    • Применяется в преобразователях напряжения
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника
    • Энергосберегающие системы
    • Системы питания
    • Медицинское оборудование
    • Компьютеры и периферийные устройства
Выбрано: Показать

Характеристики IRFPF30PBF

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    900 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    3.6A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3.7Ohm @ 2.2A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    78 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1200 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    125W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-247AC
  • Корпус
    TO-247-3
  • Base Product Number
    IRFPF30

Техническая документация

 IRFPF30PBF.pdf
pdf. 0 kb
  • 790 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    932 ₽
  • 10
    743 ₽
  • 25
    517 ₽
  • 100
    504 ₽
  • 250
    497 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Vishay Semiconductors
  • Артикул:
    IRFPF30PBF
  • Описание:
    MOSFET N-CH 900V 3.6A TO247-3Все характеристики

Минимальная цена IRFPF30PBF при покупке от 1 шт 932.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IRFPF30PBF с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IRFPF30PBF

IRFPF30PBF Vishay Semiconductors MOSFET N-CH 900V 3.6A TO247-3

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS(on)): 900 В
    • Номинальный ток при VDS(on): 3.6 А
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Пакет: TO247-3
  • Плюсы:
    • Высокое значение номинального напряжения
    • Умеренный ток при номинальном напряжении
    • Доступен в компактном корпусе TO247-3
    • Хорошо подходит для различных приложений из-за своей универсальности
  • Минусы:
    • Не предназначен для высокотоковых приложений
    • Требует дополнительных элементов управления для работы с высокими напряжениями
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения
    • Переключение высоковольтных цепей
    • Изоляция сигналов
    • Применяется в преобразователях напряжения
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника
    • Энергосберегающие системы
    • Системы питания
    • Медицинское оборудование
    • Компьютеры и периферийные устройства
Выбрано: Показать

Характеристики IRFPF30PBF

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    900 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    3.6A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3.7Ohm @ 2.2A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    78 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1200 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    125W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-247AC
  • Корпус
    TO-247-3
  • Base Product Number
    IRFPF30

Техническая документация

 IRFPF30PBF.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    STP7NK40ZMOSFET N-CH 400V 5.4A TO220AB
    384Кешбэк 57 баллов
    STW48NM60NMOSFET N-CH 600V 44A TO247
    1 108Кешбэк 166 баллов
    STF40NF20MOSFET N-CH 200V 40A TO220FP
    567Кешбэк 85 баллов
    STP75NF20MOSFET N-CH 200V 75A TO220AB
    676Кешбэк 101 балл
    STP7N80K5MOSFET N-CH 800V 6A TO220
    504Кешбэк 75 баллов
    STI20N65M5MOSFET N-CH 650V 18A I2PAK
    294Кешбэк 44 балла
    STD95NH02LT4
    258Кешбэк 38 баллов
    STW3N150MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO247-3
    913Кешбэк 136 баллов
    STP13NM60NMOSFET N-CH 600V 11A TO220-3
    823Кешбэк 123 балла
    STW21N150K5MOSFET N-CH 1500V 14A TO247
    2 386Кешбэк 357 баллов
    STP20N65M5MOSFET N-CH 650V 18A TO220
    578Кешбэк 86 баллов
    STL12N65M2MOSFET N-CH 650V 5A POWERFLAT HV
    495Кешбэк 74 балла
    STP15N80K5MOSFET N-CH 800V 14A TO220
    521Кешбэк 78 баллов
    STP60NF06MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB
    384Кешбэк 57 баллов
    STP20NM60MOSFET N-CH 600V 20A TO220AB
    635Кешбэк 95 баллов
    STF33N60M2MOSFET N-CH 600V 26A TO220FP
    509Кешбэк 76 баллов
    STW48N60M2-4MOSFET N-CH 600V 42A TO247-4L
    1 540Кешбэк 231 балл
    STF34NM60NDMOSFET N-CH 600V 29A TO220FP
    1 023Кешбэк 153 балла
    STW56N60DM2MOSFET N-CH 600V 50A TO247
    2 145Кешбэк 321 балл
    STP12N65M5MOSFET N-CH 650V 8.5A TO220AB
    687Кешбэк 103 балла
    STP10LN80K5MOSFET N-CH 800V 8A TO220
    734Кешбэк 110 баллов
    IRF7465PBFSMPS HEXFET POWER MOSFET
    317Кешбэк 47 баллов
    DN3535N8-GMOSFET N-CH 350V 230MA TO243AA
    269Кешбэк 40 баллов
    DN2530N8-GMOSFET N-CH 300V 200MA TO243AA
    1 096Кешбэк 164 балла
    DN2470K4-GMOSFET N-CH 700V 170MA TO252
    196Кешбэк 29 баллов
    DN3145N8-GMOSFET N-CH 450V 100MA TO243AA
    167Кешбэк 25 баллов
    LND150K1-GТранзистор: MOSFET N-CH 500V 13MA SOT23-3
    93Кешбэк 13 баллов
    VN2110K1-GMOSFET N-CH 100V 200MA SOT23-3
    119Кешбэк 17 баллов
    TN2640K4-GMOSFET N-CH 400V 500MA TO252
    528Кешбэк 79 баллов
    LND250K1-GMOSFET N-CH 500V 13MA SOT23
    98Кешбэк 14 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы - JFET
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Симисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Принадлежности
    Полевые транзисторы - Сборки
    Драйверы питания - Модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - Модули
    Варикапы и Варакторы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
    IGBT транзисторы
    Программируемые однопереходные транзисторы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Биполярные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Тиристоры - SCR - модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диодные мосты
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Диоды - ВЧ
    Симисторы - Модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - Специального назначения
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды силовые
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Полевые транзисторы - Модули
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП