Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
IRFR014PBF-BE3
  • В избранное
  • В сравнение
IRFR014PBF-BE3

IRFR014PBF-BE3

IRFR014PBF-BE3
;
IRFR014PBF-BE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Vishay / Siliconix
  • Артикул:
    IRFR014PBF-BE3
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAKВсе характеристики

Минимальная цена IRFR014PBF-BE3 при покупке от 1 шт 355.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IRFR014PBF-BE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IRFR014PBF-BE3

IRFR014PBF-BE3 Vishay Siliconix Транзистор: MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение блокировки (VDS(on)): 60В
    • Номинальная токовая характеристика (ID): 7.7А
    • Пакет: DPAK
  • Плюсы:
    • Высокая токовая способность
    • Низкий сопротивление при прохождении тока (RDS(on))
    • Устойчивость к износу и перегреву
    • Малый размер и легкость в установке
  • Минусы:
    • Высокие требования к проектированию и охлаждению
    • Требуют дополнительных компонентов для защиты от ударов по корпусу
  • Общее назначение:
    • Использование в электронных устройствах, требующих регулирования напряжения или тока
    • Применяются в системах управления мощностью
    • Подходят для работы в различных условиях, включая высокие температуры
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника
    • Системы питания
    • Мощные преобразователи
    • Электронные драйверы
    • Оборудование для промышленности
Выбрано: Показать

Характеристики IRFR014PBF-BE3

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    60 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    7.7A (Tc)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    200mOhm @ 4.6A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    11 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    300 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    2.5W (Ta), 25W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    TO-252AA
  • Корпус
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Base Product Number
    IRFR014

Техническая документация

 IRFR014PBF-BE3.pdf
pdf. 0 kb
  • 7707 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    355 ₽
  • 10
    172 ₽
  • 500
    123 ₽
  • 3000
    99 ₽
  • 24000
    89 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Vishay / Siliconix
  • Артикул:
    IRFR014PBF-BE3
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAKВсе характеристики

Минимальная цена IRFR014PBF-BE3 при покупке от 1 шт 355.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IRFR014PBF-BE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IRFR014PBF-BE3

IRFR014PBF-BE3 Vishay Siliconix Транзистор: MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение блокировки (VDS(on)): 60В
    • Номинальная токовая характеристика (ID): 7.7А
    • Пакет: DPAK
  • Плюсы:
    • Высокая токовая способность
    • Низкий сопротивление при прохождении тока (RDS(on))
    • Устойчивость к износу и перегреву
    • Малый размер и легкость в установке
  • Минусы:
    • Высокие требования к проектированию и охлаждению
    • Требуют дополнительных компонентов для защиты от ударов по корпусу
  • Общее назначение:
    • Использование в электронных устройствах, требующих регулирования напряжения или тока
    • Применяются в системах управления мощностью
    • Подходят для работы в различных условиях, включая высокие температуры
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника
    • Системы питания
    • Мощные преобразователи
    • Электронные драйверы
    • Оборудование для промышленности
Выбрано: Показать

Характеристики IRFR014PBF-BE3

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    60 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    7.7A (Tc)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    200mOhm @ 4.6A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    11 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    300 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    2.5W (Ta), 25W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    TO-252AA
  • Корпус
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Base Product Number
    IRFR014

Техническая документация

 IRFR014PBF-BE3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    SQJ454EP-T1_BE3N-CHANNEL 200-V (D-S) 175C MOSFE
    351Кешбэк 52 балла
    IRFB11N50APBF-BE3MOSFET N-CH 500V 11A TO220AB
    351Кешбэк 52 балла
    IRFR014TRLPBF-BE3MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
    355Кешбэк 53 балла
    IRFR014PBF-BE3Транзистор: MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
    355Кешбэк 53 балла
    SQJ444EP-T1_BE3N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
    355Кешбэк 53 балла
    SQD40131EL_GE3Транзистор: MOSFET P-CH 40V 50A TO252AA
    355Кешбэк 53 балла
    SQJA76EP-T1_BE3N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
    355Кешбэк 53 балла
    SQJ488EP-T2_GE3N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
    355Кешбэк 53 балла
    SQJ411EP-T1_GE3MOSFET P-CH 12V 60A PPAK SO-8
    355Кешбэк 53 балла
    SQJ459EP-T1_BE3P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
    355Кешбэк 53 балла
    SQJA80EP-T1_BE3N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
    355Кешбэк 53 балла
    SIHF9630STRL-GE3MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK
    355Кешбэк 53 балла
    SIR882BDP-T1-RE3MOSFET N-CH 100V 16.5/67.5A PPAK
    357Кешбэк 53 балла
    SIRA01DP-T1-GE3MOSFET P-CH 30V 26A/60A PPAK SO8
    357Кешбэк 53 балла
    IRFR9014PBF-BE3P-CHANNEL 60V
    361Кешбэк 54 балла
    SIHP6N80AE-GE3MOSFET N-CH 800V 5A TO220AB
    361Кешбэк 54 балла
    SQJ858AEP-T1_BE3MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8
    365Кешбэк 54 балла
    SIHF9630S-GE3MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK
    365Кешбэк 54 балла
    SIJ450DP-T1-GE3N-CHANNEL 45 V (D-S) MOSFET POWE
    367Кешбэк 55 баллов
    IRL520PBF-BE3MOSFET N-CH 100V 9.2A TO220AB
    367Кешбэк 55 баллов
    SIR626DP-T1-RE3MOSFET N-CH 60V 100A PPAK SO-8
    369Кешбэк 55 баллов
    IRF840BPBF-BE3MOSFET N-CH 500V 8.7A TO220AB
    369Кешбэк 55 баллов
    IRF840PBF-BE3Транзистор: MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
    369Кешбэк 55 баллов
    SQJA72EP-T1_BE3N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
    370Кешбэк 55 баллов
    SIR800ADP-T1-GE3MOSFET N-CH 20V 50.2A/177A PPAK
    370Кешбэк 55 баллов
    SQJ433EP-T1_GE3MOSFET P-CH 30V 75A PPAK SO-8
    370Кешбэк 55 баллов
    SQJ443EP-T1_GE3MOSFET P-CH 40V 40A PPAK SO-8
    370Кешбэк 55 баллов
    SQJ433EP-T1_BE3P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
    371Кешбэк 55 баллов
    SIHP15N80AE-GE3MOSFET N-CH 800V 13A TO220AB
    372Кешбэк 55 баллов
    SIJ438DP-T1-GE3MOSFET N-CH 40V 80A PPAK SO-8
    374Кешбэк 56 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Полевые транзисторы - Модули
    Одиночные биполярные транзисторы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторы - JFET
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Симисторы - Модули
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диодные мосты
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторные модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды силовые
    Тиристоры - SCR
    Диодные мосты - Модули
    Тиристоры - SCR - модули
    Модули триодных тиристоров
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Симисторы
    Диоды - ВЧ
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Одиночные IGBT транзисторы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Варикапы и Варакторы
    Диоды - выпрямители - одиночные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Биполярные транзисторы
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Модули драйверов питания
    Диоды выпрямительные - Модули
    Сборки биполярных транзисторов
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    IGBT транзисторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Высокочастотные диоды
    Одиночные триодные тиристоры
    Транзисторы специального назначения
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Программируемые однопереходные транзисторы
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП