Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
IRFR210PBF
  • В избранное
  • В сравнение
IRFR210PBF

IRFR210PBF

IRFR210PBF
;
IRFR210PBF

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Vishay Semiconductors
  • Артикул:
    IRFR210PBF
  • Описание:
    MOSFET N-CH 200V 2.6A DPAKВсе характеристики

Минимальная цена IRFR210PBF при покупке от 1 шт 94.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IRFR210PBF с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IRFR210PBF

IRFR210PBF Vishay Semiconductors MOSFET N-CH 200V 2.6A DPAK

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение блокировки (VDS(ON)): 200 В
    • Номинальная токовая способность (ID): 2.6 А
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Пакет: DPAK
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Малый ток утечки при отключенном канале
    • Низкий коэффициент сопротивления в режиме включения
    • Удобный DPAK-пакет для установки и подключения
  • Минусы:
    • Высокие температуры при нагрузках
    • Необходимо учитывать тепловое распределение
  • Общее назначение:
    • Использование в различных электронных устройствах, где требуется управление током
    • Применяется в системах управления двигателей, инверторах, преобразователях напряжения
    • Подходит для применения в бытовой технике, автомобильной электронике, промышленном оборудовании
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы управления двигателем
    • Беспроводные устройства
    • Преобразователи напряжения
    • Инверторы
    • Устройства управления двигателем
Выбрано: Показать

Характеристики IRFR210PBF

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    200 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    2.6A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.5Ohm @ 1.6A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    8.2 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    140 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    2.5W (Ta), 25W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    D-Pak
  • Корпус
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Base Product Number
    IRFR210

Техническая документация

 IRFR210PBF.pdf
pdf. 0 kb
  • 11458 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    94 ₽
  • 1000
    83 ₽
  • 6000
    78 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Vishay Semiconductors
  • Артикул:
    IRFR210PBF
  • Описание:
    MOSFET N-CH 200V 2.6A DPAKВсе характеристики

Минимальная цена IRFR210PBF при покупке от 1 шт 94.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IRFR210PBF с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IRFR210PBF

IRFR210PBF Vishay Semiconductors MOSFET N-CH 200V 2.6A DPAK

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение блокировки (VDS(ON)): 200 В
    • Номинальная токовая способность (ID): 2.6 А
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Пакет: DPAK
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Малый ток утечки при отключенном канале
    • Низкий коэффициент сопротивления в режиме включения
    • Удобный DPAK-пакет для установки и подключения
  • Минусы:
    • Высокие температуры при нагрузках
    • Необходимо учитывать тепловое распределение
  • Общее назначение:
    • Использование в различных электронных устройствах, где требуется управление током
    • Применяется в системах управления двигателей, инверторах, преобразователях напряжения
    • Подходит для применения в бытовой технике, автомобильной электронике, промышленном оборудовании
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы управления двигателем
    • Беспроводные устройства
    • Преобразователи напряжения
    • Инверторы
    • Устройства управления двигателем
Выбрано: Показать

Характеристики IRFR210PBF

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    200 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    2.6A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.5Ohm @ 1.6A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    8.2 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    140 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    2.5W (Ta), 25W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    D-Pak
  • Корпус
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Base Product Number
    IRFR210

Техническая документация

 IRFR210PBF.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    SI4442DY-T1-E3MOSFET N-CH 30V 15A 8SO
    482Кешбэк 72 балла
    IRF510STRLPBFТранзистор: MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
    282Кешбэк 42 балла
    SIRA06DP-T1-GE3MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
    237Кешбэк 35 баллов
    SUM90N03-2M2P-E3MOSFET N-CH 30V 90A TO263
    826Кешбэк 123 балла
    IRF630STRRPBFТранзистор: MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
    348Кешбэк 52 балла
    IRF634STRRPBFMOSFET N-CH 250V 8.1A D2PAK
    537Кешбэк 80 баллов
    IRFPF30PBFMOSFET N-CH 900V 3.6A TO247-3
    932Кешбэк 139 баллов
    IRFBF20STRRPBFMOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK
    556Кешбэк 83 балла
    SUP70040E-GE3MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
    748Кешбэк 112 баллов
    SI1021R-T1-GE3MOSFET P-CH 60V 190MA SC75A
    122Кешбэк 18 баллов
    IRFBE30PBFТранзистор: MOSFET N-CH 800V 4.1A TO220AB
    328Кешбэк 49 баллов
    IRF820STRLPBFMOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK
    506Кешбэк 75 баллов
    IRF624PBFMOSFET N-CH 250V 4.4A TO220AB
    369Кешбэк 55 баллов
    SUM70040M-GE3MOSFET N-CH 100V 120A TO263-7
    578Кешбэк 86 баллов
    SUM110P04-04L-E3Транзистор: MOSFET P-CH 40V 110A TO263
    891Кешбэк 133 балла
    IRFU310PBFMOSFET N-CH 400V 1.7A TO251AA
    385Кешбэк 57 баллов
    IRFP22N50APBFТранзистор: MOSFET N-CH 500V 22A TO247-3
    1 017Кешбэк 152 балла
    SIHG33N60E-GE3MOSFET N-CH 600V 33A TO247AC
    1 367Кешбэк 205 баллов
    IRFBC40SPBFMOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
    569Кешбэк 85 баллов
    IRFPG30PBFMOSFET N-CH 1000V 3.1A TO247-3
    335Кешбэк 50 баллов
    IRFBC30ALPBFMOSFET N-CH 600V 3.6A I2PAK
    343Кешбэк 51 балл
    SIHB30N60E-GE3MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
    1 241Кешбэк 186 баллов
    IRFP360LCPBFТранзистор: MOSFET N-CH 400V 23A TO247-3
    1 058Кешбэк 158 баллов
    IRFPC40PBFMOSFET N-CH 600V 6.8A TO247-3
    343Кешбэк 51 балл
    IRFP048PBFMOSFET N-CH 60V 70A TO247-3
    939Кешбэк 140 баллов
    IRF9520SPBFMOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
    537Кешбэк 80 баллов
    SI4447DY-T1-GE3MOSFET P-CH 40V 3.3A 8SO
    224Кешбэк 33 балла
    IRL630SPBFMOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
    621Кешбэк 93 балла
    SI8416DB-T2-E1MOSFET N-CH 8V 16A 6MICRO FOOT
    202Кешбэк 30 баллов
    IRF730STRLPBFMOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK
    454Кешбэк 68 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Высокочастотные диоды
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Варикапы и Варакторы
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды силовые
    Транзисторы - Специального назначения
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - Модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Биполярные транзисторы - Одиночные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Симисторы - Модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Тиристоры - SCR
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - JFET
    Диоды выпрямительные - Модули
    Биполярные транзисторы
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Симисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Принадлежности
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диодные мосты
    Диодные мосты - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Тиристоры - SCR - модули
    Триодные тиристоры - Одиночные
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП