Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
IRFR3710ZTRLPBF
  • В избранное
  • В сравнение
IRFR3710ZTRLPBF

IRFR3710ZTRLPBF

IRFR3710ZTRLPBF
;
IRFR3710ZTRLPBF

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    IRFR3710ZTRLPBF
  • Описание:
    MOSFET N-CH 100V 42A DPAKВсе характеристики

Минимальная цена IRFR3710ZTRLPBF при покупке от 1 шт 423.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IRFR3710ZTRLPBF с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IRFR3710ZTRLPBF

IRFR3710ZTRLPBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 42A DPAK

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS) - 100В
    • Номинальный ток (ID) - 42А
    • Тип - N-канальный MOSFET
    • Пакет - DPAK
  • Плюсы:
    • Высокая скорость переключения
    • Низкий коэффициент дугового сопротивления (RDS(on))
    • Высокая надежность и долговечность
    • Малый размер и вес
  • Минусы:
    • Высокие затраты на производство по сравнению с IGBT
    • Необходимость использования радиатора для охлаждения при высоких нагрузках
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения в электронных устройствах
    • Переключение высоких токов в источниках питания
    • Использование в инверторах и преобразователях мощности
  • Применение в устройствах:
    • Автомобильных зарядных устройствах
    • Системах управления двигателем
    • Энергосберегающих устройствах
    • Устройствах с высокими требованиями к быстродействию
Выбрано: Показать

Характеристики IRFR3710ZTRLPBF

  • Package
    Bulk
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    100 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    42A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    18mOhm @ 33A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    100 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    2930 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    140W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    D-Pak
  • Корпус
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Техническая документация

 IRFR3710ZTRLPBF.pdf
pdf. 0 kb
  • 6481 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    423 ₽
  • 10
    267 ₽
  • 100
    189 ₽
  • 500
    151 ₽
  • 3000
    124 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    IRFR3710ZTRLPBF
  • Описание:
    MOSFET N-CH 100V 42A DPAKВсе характеристики

Минимальная цена IRFR3710ZTRLPBF при покупке от 1 шт 423.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IRFR3710ZTRLPBF с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IRFR3710ZTRLPBF

IRFR3710ZTRLPBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 42A DPAK

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS) - 100В
    • Номинальный ток (ID) - 42А
    • Тип - N-канальный MOSFET
    • Пакет - DPAK
  • Плюсы:
    • Высокая скорость переключения
    • Низкий коэффициент дугового сопротивления (RDS(on))
    • Высокая надежность и долговечность
    • Малый размер и вес
  • Минусы:
    • Высокие затраты на производство по сравнению с IGBT
    • Необходимость использования радиатора для охлаждения при высоких нагрузках
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения в электронных устройствах
    • Переключение высоких токов в источниках питания
    • Использование в инверторах и преобразователях мощности
  • Применение в устройствах:
    • Автомобильных зарядных устройствах
    • Системах управления двигателем
    • Энергосберегающих устройствах
    • Устройствах с высокими требованиями к быстродействию
Выбрано: Показать

Характеристики IRFR3710ZTRLPBF

  • Package
    Bulk
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    100 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    42A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    18mOhm @ 33A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    100 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    2930 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    140W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    D-Pak
  • Корпус
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Техническая документация

 IRFR3710ZTRLPBF.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    IPZ40N04S5L4R8ATMA1MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
    165Кешбэк 24 балла
    IRFU3607PBFMOSFET N-CH 75V 56A IPAK
    128Кешбэк 19 баллов
    IPL65R230C7AUMA1MOSFET N-CH 650V 10A 4VSON
    559Кешбэк 83 балла
    BSP125H6433XTMA1MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
    89Кешбэк 13 баллов
    IRF6619TR1MOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFET
    333Кешбэк 49 баллов
    IRFR4615TRLPBFMOSFET N-CH 150V 33A DPAK
    291Кешбэк 43 балла
    IPB100N08S207ATMA1MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3
    481Кешбэк 72 балла
    IPB100N04S303ATMA1MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3
    431Кешбэк 64 балла
    BSZ031NE2LS5ATMA1MOSFET N-CH 25V 19A/40A TSDSON
    250Кешбэк 37 баллов
    IPD60R380P6ATMA1MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252-3
    357Кешбэк 53 балла
    BSZ180P03NS3EGATMA1MOSFET P-CH 30V 9A/39.5A TSDSON
    133Кешбэк 19 баллов
    IPD90N08S405ATMA1MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3
    363Кешбэк 54 балла
    IRFS7530TRLPBFMOSFET N CH 60V 195A D2PAK
    422Кешбэк 63 балла
    IRF7240TRPBFMOSFET P-CH 40V 10.5A 8SO
    337Кешбэк 50 баллов
    IRFS4229TRLPBFMOSFET N-CH 250V 45A D2PAK
    803Кешбэк 120 баллов
    IRFH5301TRPBFMOSFET N-CH 30V 35A/100A PQFN
    331Кешбэк 49 баллов
    IRFB4020PBFMOSFET N-CH 200V 18A TO220AB
    307Кешбэк 46 баллов
    IPB031N08N5ATMA1MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
    709Кешбэк 106 баллов
    IRFR6215TRPBFMOSFET P-CH 150V 13A DPAK
    322Кешбэк 48 баллов
    IPD65R190C7ATMA1MOSFET N-CH 650V 13A TO252-3
    515Кешбэк 77 баллов
    IRFL4310TRPBFMOSFET N-CH 100V 1.6A SOT223
    176Кешбэк 26 баллов
    IRF7341GTRPBFТранзистор: MOSFET N-CH 55V 5.1A
    416Кешбэк 62 балла
    IPB020N10N5ATMA1MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
    1 094Кешбэк 164 балла
    BSP295H6327XTSA1MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223-4
    187Кешбэк 28 баллов
    BSC265N10LSFGATMA1MOSFET N-CH 100V 6.5A/40A TDSON
    233Кешбэк 34 балла
    IPU60R2K1CEBKMA1MOSFET N-CH 600V 2.3A TO251-3
    42.6Кешбэк 6 баллов
    IRFR3710ZTRLPBFMOSFET N-CH 100V 42A DPAK
    422Кешбэк 63 балла
    BSP129H6327XTSA1MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4
    165Кешбэк 24 балла
    IRLS3036TRLPBFТранзистор: MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK
    798Кешбэк 119 баллов
    BSC0908NSN-CHANNEL POWER MOSFET
    91Кешбэк 13 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Триодные тиристоры - Модули
    IGBT транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - Модули
    Диоды силовые
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Симисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Высокочастотные диоды
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Драйверы питания - Модули
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Модули драйверов питания
    Диоды - мостовые выпрямители
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - Специального назначения
    Варикапы и Варакторы
    Диодные мосты - Модули
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диодные мосты
    Принадлежности
    Тиристоры - TRIACs
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Симисторы - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП