Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
IRLB3813PBF
  • В избранное
  • В сравнение
IRLB3813PBF

IRLB3813PBF

IRLB3813PBF
;
IRLB3813PBF

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    INFINEON TECHNOLOGIES
  • Артикул:
    IRLB3813PBF
  • Описание:
    MOSFET N-CH 30V 260A TO220ABВсе характеристики

Минимальная цена IRLB3813PBF при покупке от 1 шт 310.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IRLB3813PBF с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IRLB3813PBF

IRLB3813PBF INFINEON TECHNOLOGIES MOSFET N-Ч 30В 260А TO220AB

  • Основные параметры:
    • Тип: MOSFET N-канальный
    • Номинальное напряжение: 30В
    • Рейтингный ток: 260А
    • Форм-фактор: TO220AB
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при низком сопротивлении резистора вдоль канала (Rds(on))
    • Высокие токовые способности
    • Устойчивость к перегреву
    • Надежность и долговечность
  • Минусы:
    • Необходимо правильное проектирование системы охлаждения из-за высоких тепловых потерь
    • Возможны проблемы с электрическими шумами и гальваническим развязыванием
  • Общее назначение:
    • Использование в мощных электронных устройствах, требующих управления высокими токами
    • Применяется в инверторах, преобразователях напряжения, стабилизаторах питания, системах управления двигателей
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильных системах управления двигателем и зарядными устройствами
    • Системах управления промышленным оборудованием
    • Инверторах для бытовой техники
    • Стабилизаторах питания для серверных систем
Выбрано: Показать

Характеристики IRLB3813PBF

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    260A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.95mOhm @ 60A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.35V @ 150µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    86 nC @ 4.5 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    8420 pF @ 15 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    230W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-220AB
  • Корпус
    TO-220-3
  • Base Product Number
    IRLB3813

Техническая документация

 IRLB3813PBF.pdf
pdf. 0 kb
  • 417 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    310 ₽
  • 3
    283 ₽
  • 10
    241 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    INFINEON TECHNOLOGIES
  • Артикул:
    IRLB3813PBF
  • Описание:
    MOSFET N-CH 30V 260A TO220ABВсе характеристики

Минимальная цена IRLB3813PBF при покупке от 1 шт 310.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IRLB3813PBF с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IRLB3813PBF

IRLB3813PBF INFINEON TECHNOLOGIES MOSFET N-Ч 30В 260А TO220AB

  • Основные параметры:
    • Тип: MOSFET N-канальный
    • Номинальное напряжение: 30В
    • Рейтингный ток: 260А
    • Форм-фактор: TO220AB
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при низком сопротивлении резистора вдоль канала (Rds(on))
    • Высокие токовые способности
    • Устойчивость к перегреву
    • Надежность и долговечность
  • Минусы:
    • Необходимо правильное проектирование системы охлаждения из-за высоких тепловых потерь
    • Возможны проблемы с электрическими шумами и гальваническим развязыванием
  • Общее назначение:
    • Использование в мощных электронных устройствах, требующих управления высокими токами
    • Применяется в инверторах, преобразователях напряжения, стабилизаторах питания, системах управления двигателей
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильных системах управления двигателем и зарядными устройствами
    • Системах управления промышленным оборудованием
    • Инверторах для бытовой техники
    • Стабилизаторах питания для серверных систем
Выбрано: Показать

Характеристики IRLB3813PBF

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    260A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.95mOhm @ 60A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.35V @ 150µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    86 nC @ 4.5 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    8420 pF @ 15 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    230W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-220AB
  • Корпус
    TO-220-3
  • Base Product Number
    IRLB3813

Техническая документация

 IRLB3813PBF.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    IRFR4105TRPBFMOSFET N-CH 55V 27A DPAK
    308Кешбэк 46 баллов
    IRFH7440TRPBFMOSFET N-CH 40V 85A 8PQFN
    308Кешбэк 46 баллов
    IRF60R217MOSFET N-CH 60V 58A DPAK
    308Кешбэк 46 баллов
    SPP100N03S2-03MOSFET N-CH 30V 100A TO220-3
    308Кешбэк 46 баллов
    IRF9310TRPBFТранзистор: MOSFET P-CH 30V 20A 8SO
    308Кешбэк 46 баллов
    IRFB7434GPBFMOSFET N CH 40V 195A TO220AB
    308Кешбэк 46 баллов
    IRF1018EPBFТранзистор: MOSFET N-CH 60V 79A TO220AB
    309Кешбэк 46 баллов
    IPA60R250CPXKSA1MOSFET N-CH 650V 12A TO220-FP
    310Кешбэк 46 баллов
    IPD90N04S3H4ATMA1MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
    310Кешбэк 46 баллов
    IPP65R280C6XKSA1MOSFET N-CH 650V 13.8A TO220-3
    310Кешбэк 46 баллов
    IRLB3813PBFMOSFET N-CH 30V 260A TO220AB
    310Кешбэк 46 баллов
    IRFB3206GPBFMOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
    310Кешбэк 46 баллов
    IRFR7440TRPBFТранзистор: MOSFET N-CH 40V 90A DPAK
    310Кешбэк 46 баллов
    IRLU3410PBFMOSFET N-CH 100V 17A IPAK
    312Кешбэк 46 баллов
    IRFR540ZTRLPBFMOSFET N-CH 100V 35A DPAK
    314Кешбэк 47 баллов
    BSC052N08NS5ATMA1MOSFET N-CH 80V 95A TDSON
    316Кешбэк 47 баллов
    BSC070N10NS5ATMA1MOSFET N-CH 100V 80A TDSON
    316Кешбэк 47 баллов
    BSC018NE2LSATMA1MOSFET N-CH 25V 29A/100A TDSON
    316Кешбэк 47 баллов
    BSZ075N08NS5ATMA1MOSFET N-CH 80V 40A 8TSDSON
    318Кешбэк 47 баллов
    IRF6775MTRPBFMOSFET N-CH 150V 4.9A DIRECTFET
    318Кешбэк 47 баллов
    IRLR8743TRPBFMOSFET N-CH 30V 160A DPAK
    318Кешбэк 47 баллов
    IRLR2905TRPBFТранзистор: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
    318Кешбэк 47 баллов
    SPI12N50C3XKSA1MOSFET N-CH 560V 11.6A TO262-3
    318Кешбэк 47 баллов
    IRFB4020PBFMOSFET N-CH 200V 18A TO220AB
    320Кешбэк 48 баллов
    IRFR2905ZTRPBFMOSFET N-CH 55V 42A DPAK
    320Кешбэк 48 баллов
    IRF2805SPBFMOSFET N-CH 55V 135A D2PAK
    320Кешбэк 48 баллов
    IRF4104PBF
    320Кешбэк 48 баллов
    IRF9540NPBFТранзистор: MOSFET P-CH 100V 23A TO220AB
    322Кешбэк 48 баллов
    IRFH9310TRPBFТранзистор: MOSFET P-CH 30V 21A/40A PQFN
    322Кешбэк 48 баллов
    SPD15P10PLGBTMA1MOSFET P-CH 100V 15A TO252-3
    322Кешбэк 48 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторные модули
    Биполярные транзисторы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диодные мосты
    Одиночные IGBT транзисторы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Диоды выпрямительные - Модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - JFET
    Тиристоры - TRIACs
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Симисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Модули триодных тиристоров
    Полевые транзисторы - Модули
    Модули драйверов питания
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Одиночные триодные тиристоры
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Транзисторы специального назначения
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Одиночные биполярные транзисторы
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Программируемые однопереходные транзисторы
    IGBT транзисторы
    Высокочастотные диоды
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Модули драйверов питания
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Симисторы - Модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Варикапы и Варакторы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диодные мосты - Модули
    Диоды - ВЧ
    Диоды силовые
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Сборки биполярных транзисторов
    Диоды выпрямительные - Одиночные
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП