Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
ISL9V5036S3ST

ISL9V5036S3ST

ISL9V5036S3ST
;
ISL9V5036S3ST

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена ISL9V5036S3ST при покупке от 1 шт 980.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить ISL9V5036S3ST с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание ISL9V5036S3ST

ISL9V5036S3ST — транзистор типа IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) с характеристиками:

  • Номинальное напряжение блокировки: 390 В
  • Номинальный ток: 46 А
  • Мощность: 250 ВА
  • Форм-фактор корпуса: TO263AB

Плюсы:

  • Высокая эффективность при работе в режиме частотной инверсии
  • Хорошая термическая стабильность
  • Малый электрический шум
  • Высокий коэффициент восстановления

Минусы:

  • Требует дополнительного охлаждения при высоких мощностях
  • Сложность в проектировании схем для работы с IGBT из-за необходимости использования внешних компонентов

Общее назначение:

  • Использование в промышленных преобразователях частоты
  • Применение в системах управления двигателей
  • Работа в источниках питания
  • Вход в состав солнечных батарейных инвертеров
Выбрано: Показать

Характеристики ISL9V5036S3ST

Техническая документация

ISL9V5036S3ST.pdf
pdf. 0 kb
  • 682 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    980 ₽
  • 5
    819 ₽
  • 10
    728 ₽
  • 50
    552 ₽
  • 100
    545 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена ISL9V5036S3ST при покупке от 1 шт 980.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить ISL9V5036S3ST с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание ISL9V5036S3ST

ISL9V5036S3ST — транзистор типа IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) с характеристиками:

  • Номинальное напряжение блокировки: 390 В
  • Номинальный ток: 46 А
  • Мощность: 250 ВА
  • Форм-фактор корпуса: TO263AB

Плюсы:

  • Высокая эффективность при работе в режиме частотной инверсии
  • Хорошая термическая стабильность
  • Малый электрический шум
  • Высокий коэффициент восстановления

Минусы:

  • Требует дополнительного охлаждения при высоких мощностях
  • Сложность в проектировании схем для работы с IGBT из-за необходимости использования внешних компонентов

Общее назначение:

  • Использование в промышленных преобразователях частоты
  • Применение в системах управления двигателей
  • Работа в источниках питания
  • Вход в состав солнечных батарейных инвертеров
Выбрано: Показать

Характеристики ISL9V5036S3ST

Техническая документация

ISL9V5036S3ST.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории