Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
IST007N04NM6AUMA1
  • В избранное
  • В сравнение
IST007N04NM6AUMA1

IST007N04NM6AUMA1

IST007N04NM6AUMA1
;
IST007N04NM6AUMA1

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    IST007N04NM6AUMA1
  • Описание:
    MOSFET N-CH 40V 54A/440A HSOF-5Все характеристики

Минимальная цена IST007N04NM6AUMA1 при покупке от 1 шт 770.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IST007N04NM6AUMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IST007N04NM6AUMA1

ИСТ007N04NM6AUMA1 Infineon Technologies MOSFET N-канальный

  • Номинальное напряжение (VDS(on)): 40В
  • Номинальная токовая способность (ID(on)): 54А при 25°C; 440А при 250°C
  • Форм-фактор: HSOF-5

Основные плюсы:

  • Высокая токовая способность,
  • Низкий коэффициент включения,
  • Устойчивость к перегреву.

Основные минусы:

  • Высокие цены по сравнению с обычными MOSFETами,
  • Требуют точного проектирования и монтажа для предотвращения перегрева.

Общее назначение:

  • Распределительные системы питания,
  • Автомобильные системы,
  • Промышленные системы управления,
  • Электроприводы и пр.

В каких устройствах применяется:

  • Автомобильные инверторы,
  • Блоки питания,
  • Мощные преобразователи,
  • Измерительные приборы.
Выбрано: Показать

Характеристики IST007N04NM6AUMA1

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    54A (Ta), 440A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    6V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    700mOhm @ 100A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3.3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    152 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    7900 pF @ 20 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    3.8W (Ta), 250W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PG-HSOF-5-1
  • Корпус
    5-PowerSFN
  • Base Product Number
    IST007
  • 223 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    770 ₽
  • 10
    553 ₽
  • 100
    452 ₽
  • 250
    447 ₽
  • 500
    397 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    IST007N04NM6AUMA1
  • Описание:
    MOSFET N-CH 40V 54A/440A HSOF-5Все характеристики

Минимальная цена IST007N04NM6AUMA1 при покупке от 1 шт 770.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IST007N04NM6AUMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IST007N04NM6AUMA1

ИСТ007N04NM6AUMA1 Infineon Technologies MOSFET N-канальный

  • Номинальное напряжение (VDS(on)): 40В
  • Номинальная токовая способность (ID(on)): 54А при 25°C; 440А при 250°C
  • Форм-фактор: HSOF-5

Основные плюсы:

  • Высокая токовая способность,
  • Низкий коэффициент включения,
  • Устойчивость к перегреву.

Основные минусы:

  • Высокие цены по сравнению с обычными MOSFETами,
  • Требуют точного проектирования и монтажа для предотвращения перегрева.

Общее назначение:

  • Распределительные системы питания,
  • Автомобильные системы,
  • Промышленные системы управления,
  • Электроприводы и пр.

В каких устройствах применяется:

  • Автомобильные инверторы,
  • Блоки питания,
  • Мощные преобразователи,
  • Измерительные приборы.
Выбрано: Показать

Характеристики IST007N04NM6AUMA1

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    54A (Ta), 440A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    6V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    700mOhm @ 100A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3.3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    152 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    7900 pF @ 20 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    3.8W (Ta), 250W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PG-HSOF-5-1
  • Корпус
    5-PowerSFN
  • Base Product Number
    IST007

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    IMW120R060M1HXKSA1SICFET N-CH 1.2KV 36A TO247-3
    1 719Кешбэк 257 баллов
    IMZA65R030M1HXKSA1SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247
    1 955Кешбэк 293 балла
    IPW65R110CFD7XKSA1HIGH POWER_NEW
    962Кешбэк 144 балла
    IPI80N06S407AKSA2MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3
    428Кешбэк 64 балла
    IMW120R350M1HXKSA1SICFET N-CH 1.2KV 4.7A TO247-3
    950Кешбэк 142 балла
    IMW120R045M1XKSA1SICFET N-CH 1.2KV 52A TO247-3
    2 410Кешбэк 361 балл
    IPA80R460CEXKSA2MOSFET N-CH 800V 10.8A TO220
    561Кешбэк 84 балла
    IPW60R125CFD7XKSA1MOSFET N-CH 600V 18A TO247-3
    893Кешбэк 133 балла
    IPW65R150CFDFKSA2MOSFET N-CH 650V 22.4A TO247-3
    850Кешбэк 127 баллов
    IMZ120R220M1HXKSA1SICFET N-CH 1.2KV 13A TO247-4
    1 254Кешбэк 188 баллов
    IPB015N04NGATMA1MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
    937Кешбэк 140 баллов
    IPP65R060CFD7XKSA1650V FET COOLMOS TO247
    1 221Кешбэк 183 балла
    IPW60R037CSFDXKSA1MOSFET N CH
    1 710Кешбэк 256 баллов
    BSO033N03MSGXUMA1MOSFET N-CH 30V 17A 8DSO
    359Кешбэк 53 балла
    IPW60R165CPFKSA1MOSFET N-CH 600V 21A TO247-3
    974Кешбэк 146 баллов
    ISC010N06NM5ATMA1OPTIMOS5 60 V POWER MOSFET IN SU
    902Кешбэк 135 баллов
    BSZ160N10NS3GATMA1MOSFET N-CH 100V 8A/40A 8TSDSON
    283Кешбэк 42 балла
    IPC100N04S51R7ATMA1MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34
    378Кешбэк 56 баллов
    IST007N04NM6AUMA1MOSFET N-CH 40V 54A/440A HSOF-5
    776Кешбэк 116 баллов
    IPW65R125CFD7XKSA1HIGH POWER_NEW
    895Кешбэк 134 балла
    IMZA65R048M1HXKSA1MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
    1 484Кешбэк 222 балла
    IPW60R120P7XKSA1MOSFET N-CH 600V 26A TO247-3
    517Кешбэк 77 баллов
    SPA17N80C3XKSA1MOSFET N-CH 800V 17A TO220-3
    673Кешбэк 100 баллов
    IPB60R125CFD7ATMA1MOSFET N-CH 650V 18A TO263-3-2
    798Кешбэк 119 баллов
    IMW120R030M1HXKSA1SICFET N-CH 1.2KV 56A TO247-3
    2 360Кешбэк 354 балла
    IMZA120R040M1HXKSA1SIC DISCRETE
    2 258Кешбэк 338 баллов
    IPA70R600P7SXKSA1MOSFET N-CH 700V 8.5A TO220
    134Кешбэк 20 баллов
    IPW60R070P6600V, 0.07OHM, N-CHANNEL MOSFET,
    1 143Кешбэк 171 балл
    IPB60R045P7ATMA1MOSFET N-CH 600V 61A TO263-3-2
    1 351Кешбэк 202 балла
    IPSA70R2K0P7SAKMA1MOSFET N-CH 700V 3A TO251-3
    70Кешбэк 10 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Полевые транзисторы - Модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Высокочастотные диоды
    Симисторы
    Драйверы питания - Модули
    Тиристоры - SCR - модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диодные мосты
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды - ВЧ
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Модули драйверов питания
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Симисторы - Модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - Специального назначения
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - JFET
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Принадлежности
    Диоды силовые
    Биполярные транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП