Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
IXFH36N60X3
  • В избранное
  • В сравнение
IXFH36N60X3

IXFH36N60X3

IXFH36N60X3
;
IXFH36N60X3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    IXYS
  • Артикул:
    IXFH36N60X3
  • Описание:
    MOSFET ULTRA JCT 600V 36A TO247Все характеристики

Минимальная цена IXFH36N60X3 при покупке от 1 шт 1782.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IXFH36N60X3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IXFH36N60X3

IXFH36N60X3 LITTELFUSE MOSFET ULTRA JCT 600V 36A TO247

  • Основные параметры:
    • Номинальный напряжение (VDS(on)): 600 В
    • Номинальный ток (ID(on)): 36 А
    • Тип: MOSFET (MOSFET)
    • Конструкция: UltraJunction (Ультра-взаимодействие)
    • Монтаж: TO247
  • Плюсы:
    • Высокая плотность мощности благодаря Ультра-взаимодействию
    • Высокий коэффициент передачи
    • Хорошая термическая стабильность
    • Низкое напряжение при переходе в состояние открытия
  • Минусы:
    • Высокая цена по сравнению с обычными MOSFET
    • Требует специальных требований к охлаждению
  • Общее назначение:
    • Использование в высоковольтных и высокотоковых приложениях
    • Применяется в преобразователях мощности
    • Используется в системах управления электропитанием
    • Подходит для применения в трансформаторах питания
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильное оборудование
    • Системы питания для серверных шкафов
    • Преобразователи мощности для бытовой техники
    • Промышленные системы управления
Выбрано: Показать

Характеристики IXFH36N60X3

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    600 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    36A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    90mOhm @ 18A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    5V @ 2.5mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    29 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    2030 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    446W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-247
  • Корпус
    TO-247-3

Техническая документация

 IXFH36N60X3.pdf
pdf. 0 kb
  • 410 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    1 782 ₽
  • 10
    1 051 ₽
  • 120
    1 049 ₽
  • 510
    986 ₽
  • 1020
    879 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    IXYS
  • Артикул:
    IXFH36N60X3
  • Описание:
    MOSFET ULTRA JCT 600V 36A TO247Все характеристики

Минимальная цена IXFH36N60X3 при покупке от 1 шт 1782.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IXFH36N60X3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IXFH36N60X3

IXFH36N60X3 LITTELFUSE MOSFET ULTRA JCT 600V 36A TO247

  • Основные параметры:
    • Номинальный напряжение (VDS(on)): 600 В
    • Номинальный ток (ID(on)): 36 А
    • Тип: MOSFET (MOSFET)
    • Конструкция: UltraJunction (Ультра-взаимодействие)
    • Монтаж: TO247
  • Плюсы:
    • Высокая плотность мощности благодаря Ультра-взаимодействию
    • Высокий коэффициент передачи
    • Хорошая термическая стабильность
    • Низкое напряжение при переходе в состояние открытия
  • Минусы:
    • Высокая цена по сравнению с обычными MOSFET
    • Требует специальных требований к охлаждению
  • Общее назначение:
    • Использование в высоковольтных и высокотоковых приложениях
    • Применяется в преобразователях мощности
    • Используется в системах управления электропитанием
    • Подходит для применения в трансформаторах питания
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильное оборудование
    • Системы питания для серверных шкафов
    • Преобразователи мощности для бытовой техники
    • Промышленные системы управления
Выбрано: Показать

Характеристики IXFH36N60X3

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    600 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    36A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    90mOhm @ 18A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    5V @ 2.5mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    29 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    2030 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    446W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-247
  • Корпус
    TO-247-3

Техническая документация

 IXFH36N60X3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    2SK3116-S-AZN-CHANNEL POWER MOSFET
    512Кешбэк 76 баллов
    UPA2700GR-E1-AN-CHANNEL POWER MOSFET
    525Кешбэк 78 баллов
    2SK1957-EN-CHANNEL POWER MOSFET
    525Кешбэк 78 баллов
    2SK3573-AZN-CHANNEL POWER MOSFET
    527Кешбэк 79 баллов
    2SK3573-ZK-E1-AZN-CHANNEL POWER MOSFET
    527Кешбэк 79 баллов
    2SK1637-EN-CHANNEL POWER MOSFET
    537Кешбэк 80 баллов
    FK10KM-12-A8#B00N-CHANNEL POWER MOSFET
    537Кешбэк 80 баллов
    2SK1400A-EN-CHANNEL POWER MOSFET
    537Кешбэк 80 баллов
    HAT1125HWS-EP-CHANNEL POWER MOSFET
    539Кешбэк 80 баллов
    RJL6013DPP-00#T2N-CHANNEL POWER MOSFET
    548Кешбэк 82 балла
    2SK1288-AZN-CHANNEL POWER MOSFET
    554Кешбэк 83 балла
    2SK1566-EN-CHANNEL POWER MOSFET
    554Кешбэк 83 балла
    2SK1667-EN-CHANNEL POWER MOSFET
    557Кешбэк 83 балла
    2SK1315L-EN-CHANNEL POWER MOSFET
    557Кешбэк 83 балла
    2SJ387STL-EP-CHANNEL POWER MOSFET
    565Кешбэк 84 балла
    2SK2114-EN-CHANNEL POWER MOSFET
    576Кешбэк 86 баллов
    2SK2512-AZN-CHANNEL POWER MOSFET
    576Кешбэк 86 баллов
    2SK1852-T-AZN-CHANNEL POWER MOSFET
    578Кешбэк 86 баллов
    NP75N055YUK-E1-AYPOWER TRS2
    586Кешбэк 87 баллов
    NP89N06PDK-E1-AYP-TRS2 AUTOMOTIVE MOS
    591Кешбэк 88 баллов
    RJK4007DPP-L1#T2N-CHANNEL POWER MOSFET
    593Кешбэк 88 баллов
    UPA2747UT1A-E1-AYN-CHANNEL POWER MOSFET
    595Кешбэк 89 баллов
    2SK3457-AZN-CHANNEL POWER MOSFET
    595Кешбэк 89 баллов
    2SK3457(2)-AZN-CHANNEL POWER MOSFET
    595Кешбэк 89 баллов
    H5N2007LSTL-E25A, 200V, 0.047OHM, N CHANNEL M
    597Кешбэк 89 баллов
    2SK4201-S19-AYN-CHANNEL POWER MOSFET
    597Кешбэк 89 баллов
    2SK1850(0)-T-AZN-CHANNEL POWER MOSFET
    605Кешбэк 90 баллов
    2SK1094-EN-CHANNEL POWER MOSFET
    605Кешбэк 90 баллов
    2SK1094-93N-CHANNEL POWER MOSFET
    605Кешбэк 90 баллов
    2SK2511-AN-CHANNEL POWER MOSFET
    614Кешбэк 92 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - JFET
    Полевые транзисторы - Сборки
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторные модули
    Тиристоры - SCR - модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Модули триодных тиристоров
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диодные мосты
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды - ВЧ
    Модули драйверов питания
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Симисторы - Модули
    Одиночные IGBT транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Полевые транзисторы - Модули
    Тиристоры - TRIACs
    Одиночные биполярные транзисторы
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Диоды - выпрямители - массивы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды - мостовые выпрямители
    Сборки биполярных транзисторов
    Высокочастотные диоды
    Диоды силовые
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Симисторы
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы специального назначения
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Одиночные триодные тиристоры
    Диоды выпрямительные - Сборки
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП