Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Модули
IXFN48N60P
IXFN48N60P

IXFN48N60P

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    IXYS
  • Артикул:
    IXFN48N60P
  • Описание:
    MOSFET N-CH 600V 40A SOT227BВсе характеристики

Минимальная цена IXFN48N60P при покупке от 1 шт 5721.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IXFN48N60P с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики IXFN48N60P

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    600 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    40A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    140mOhm @ 4A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    5.5V @ 8mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    150 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    8860 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    625W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Chassis Mount
  • Исполнение корпуса
    SOT-227B
  • Корпус
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Base Product Number
    IXFN48
Техническая документация
 IXFN48N60P.pdf
pdf. 0 kb
  • В избранное
  • В сравнение
  • 258 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    5 721 ₽
  • 10
    4 878 ₽
  • 100
    4 225 ₽
  • 500
    3 520 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
получить кешбэк баллы

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    IXYS
  • Артикул:
    IXFN48N60P
  • Описание:
    MOSFET N-CH 600V 40A SOT227BВсе характеристики

Минимальная цена IXFN48N60P при покупке от 1 шт 5721.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IXFN48N60P с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики IXFN48N60P

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    600 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    40A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    140mOhm @ 4A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    5.5V @ 8mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    150 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    8860 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    625W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Chassis Mount
  • Исполнение корпуса
    SOT-227B
  • Корпус
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Base Product Number
    IXFN48
Техническая документация
 IXFN48N60P.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    IXFN180N15PMOSFET N-CH 150V 150A SOT-227B
    APTM50HM65FT3GТранзистор: MOSFET 4N-CH 500V 51A SP3
    APTM50H14FT3GТранзистор: MOSFET 4N-CH 500V 26A SP3
    IXTN90N25L2MOSFET N-CH 250V 90A SOT227B
    IXFN80N50MOSFET N-CH 500V 80A SOT-227B
    APT30M19JVFRMOSFET N-CH 300V 130A ISOTOP
    IXTN30N100LMOSFET N-CH 1000V 30A SOT227B
    IXTN40P50PMOSFET P-CH 500V 40A SOT227B
    IXFN80N50Q3MOSFET N-CH 500V 63A SOT227B
    IXFN32N100Q3MOSFET N-CH 1000V 28A SOT227B
    IXFN420N10TMOSFET N-CH 100V 420A SOT227B
    IXFN44N80PMOSFET N-CH 800V 39A SOT-227B
    FD6M043N08Транзистор: N-CHANNEL POWER MOSFET
    CCS050M12CM2Транзистор: MOSFET 6N-CH 1200V 87A MODULE
    STE48NM50MOSFET N-CH 550V 48A ISOTOP
    IXFN32N120PMOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227B
    IXFN80N50PMOSFET N-CH 500V 66A SOT227B
    APT80M60JMOSFET N-CH 600V 84A ISOTOP
    IXFN80N60P3MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227B
    IXFN230N20TMOSFET N-CH 200V 220A SOT227B
    APTM50AM24SGТранзистор: MOSFET 2N-CH 500V 150A SP6
    IXTN550N055T2MOSFET N-CH 55V 550A SOT227B
    IXKN40N60CMOSFET N-CH 600V 40A SOT-227B
    IXFN210N20PMOSFET N-CH 200V 188A SOT-227B
    APTM100A13SCGТранзистор: MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6
    IXFN180N25TMOSFET N-CH 250V 168A SOT227B
    FD6M045N06Транзистор: N-CHANNEL POWER MOSFET
    IXFN56N90PMOSFET N-CH 900V 56A SOT-227B
    IXTN600N04T2MOSFET N-CH 40V 600A SOT227B
    IXFN48N60PMOSFET N-CH 600V 40A SOT227B

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Модули драйверов питания
    Драйверы питания - Модули
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Симисторы - Модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Симисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Тиристоры - SCR
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Тиристоры - TRIACs
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - Специального назначения
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - JFET
    Диодные мосты
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Варикапы и Варакторы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Триодные тиристоры - Модули
    Принадлежности
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды - ВЧ
    Полевые транзисторы - Модули
    Диодные мосты - Модули
    IGBT транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды выпрямительные - Сборки
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды - выпрямители - массивы
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диоды силовые
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2025, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП