Вход/Регистрация
DGTD120T25S1PTТранзистор: IGBT 1200V-X TO247 TUBE 0.45K
IXGN200N170
IXGN200N170
- Производитель:LITTELFUSE
- Артикул:IXGN200N170
- Описание:Транзистор: IGBTВсе характеристики
Минимальная цена IXGN200N170 при покупке от 1 шт 13233.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IXGN200N170 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.
- 112 шт3-6 недель
- КоличествоЦена
- 113 233 ₽
- 512 575 ₽
- 1011 917 ₽
- 5011 259 ₽
Кешбэк 1 балл
Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену
- Производитель:LITTELFUSE
- Артикул:IXGN200N170
- Описание:Транзистор: IGBTВсе характеристики
Минимальная цена IXGN200N170 при покупке от 1 шт 13233.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IXGN200N170 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.
Описание IXGN200N170
IXGN200N170 IXYS Транзистор: IGBT
- Основные параметры:
- Максимальное напряжениеcollector-emitter (VCE) - 1700 В
- Максимальный ток collector (IC) - 200 А
- Уровень тока включаемого тока (Ith) - 45 мА
- Плюсы:
- Высокая эффективность при работе в режиме частотной инверсии
- Малый уровень потерь энергии в процессе работы
- Высокая скорость переключения
- Устойчивость к электромагнитным помехам
- Минусы:
- Высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов
- Требуется дополнительное охлаждение из-за высокой мощности
- Общее назначение:
- Регулировка скорости промышленных двигателей
- Энергосберегающие системы управления
- Автомобильные системы питания и управления
- В каких устройствах применяется:
- Промышленные приводы
- Автомобильные системы
- Системы управления энергопотреблением
- Электроприводы бытовой техники
Выбрано: Показать
Характеристики IXGN200N170
Техническая документация
IXGN200N170.pdf pdf. 0 kb