Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
IXTA120P065T
IXTA120P065T

IXTA120P065T

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    IXYS
  • Артикул:
    IXTA120P065T
  • Описание:
    MOSFET P-CH 65V 120A TO263Все характеристики

Минимальная цена IXTA120P065T при покупке от 1 шт 1214.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IXTA120P065T с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики IXTA120P065T

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    65 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    120A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    10mOhm @ 500mA, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    185 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±15V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    13200 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    298W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    TO-263AA
  • Корпус
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Base Product Number
    IXTA120
Техническая документация
 IXTA120P065T.pdf
pdf. 0 kb
  • В избранное
  • В сравнение
  • 277 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    1 214 ₽
  • 10
    1 005 ₽
  • 50
    790 ₽
  • 100
    760 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    IXYS
  • Артикул:
    IXTA120P065T
  • Описание:
    MOSFET P-CH 65V 120A TO263Все характеристики

Минимальная цена IXTA120P065T при покупке от 1 шт 1214.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IXTA120P065T с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики IXTA120P065T

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    65 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    120A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    10mOhm @ 500mA, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    185 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±15V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    13200 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    298W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    TO-263AA
  • Корпус
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Base Product Number
    IXTA120
Техническая документация
 IXTA120P065T.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    PMV75UP,215Транзистор: MOSFET P-CH 20V 2.5A TO236AB
    60Кешбэк 9 баллов
    PSMN1R0-25YLDXMOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56
    308Кешбэк 46 баллов
    IXFT96N20PMOSFET N-CH 200V 96A TO268
    2 493Кешбэк 373 балла
    RSR020P05FRATLMOSFET P-CH 45V 2A TSMT3
    186Кешбэк 27 баллов
    IXFX20N120PMOSFET N-CH 1200V 20A PLUS247-3
    5 454Кешбэк 818 баллов
    IPD90N10S406ATMA1MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3
    473Кешбэк 70 баллов
    2SK3019TLMOSFET N-CH 30V 100MA EMT3
    62Кешбэк 9 баллов
    TK7S10N1Z,LQMOSFET N-CH 100V 7A DPAK
    339Кешбэк 50 баллов
    AO4441MOSFET P-CH 60V 4A 8SOIC
    198Кешбэк 29 баллов
    FDMS86310MOSFET N-CH 80V 17A/50A 8PQFN
    548Кешбэк 82 балла
    BSO051N03MS GMOSFET N-CH 30V 14A 8DSO
    118Кешбэк 17 баллов
    FDN360PMOSFET P-CH 30V 2A SUPERSOT3
    97Кешбэк 14 баллов
    IXFH110N15T2MOSFET N-CH 150V 110A TO247AD
    1 362Кешбэк 204 балла
    NTB5412NT4GMOSFET N-CH 60V 60A D2PAK
    232Кешбэк 34 балла
    IPA50R380CEXKSA2MOSFET N-CH 500V 6.3A TO220
    308Кешбэк 46 баллов
    RJK0701DPN-E0#T2MOSFET N-CH 75V 100A TO220AB
    845Кешбэк 126 баллов
    IXTP3N100D2MOSFET N-CH 1000V 3A TO220AB
    858Кешбэк 128 баллов
    RUM002N02T2LMOSFET N-CH 20V 200MA VMT3
    71Кешбэк 10 баллов
    FDS8840NZMOSFET N-CH 40V 18.6A 8SOIC
    236Кешбэк 35 баллов
    NTD78N03T4GMOSFET N-CH 25V 11.4A/78A DPAK
    62Кешбэк 9 баллов
    STW10NK60ZMOSFET N-CH 600V 10A TO247-3
    961Кешбэк 144 балла
    STP10NK70ZFPMOSFET N-CH 700V 8.6A TO220FP
    905Кешбэк 135 баллов
    FDP16AN08A0MOSFET N-CH 75V 9A/58A TO220-3
    163Кешбэк 24 балла
    SIHP12N50E-GE3MOSFET N-CH 500V 10.5A TO220AB
    341Кешбэк 51 балл
    SI2371EDS-T1-GE3MOSFET P-CH 30V 4.8A SOT-23
    85Кешбэк 12 баллов
    IXTP2N100PMOSFET N-CH 1000V 2A TO220AB
    864Кешбэк 129 баллов
    NTHD2110TT1GMOSFET P-CH 12V 4.5A CHIPFET
    77Кешбэк 11 баллов
    BS170FTAMOSFET N-CH 60V 0.15MA SOT23-3
    52Кешбэк 7 баллов
    FCP4N60MOSFET N-CH 600V 3.9A TO220-3
    265Кешбэк 39 баллов
    IPD90N04S404ATMA1MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
    300Кешбэк 45 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды выпрямительные - Модули
    Высокочастотные диоды
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды - ВЧ
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Триодные тиристоры - Модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    IGBT транзисторы
    Диодные мосты
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - JFET
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Принадлежности
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - Специального назначения
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы
    Тиристоры - SCR - модули
    Симисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Варикапы и Варакторы
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Тиристоры - SCR
    Драйверы питания - Модули
    Диоды силовые
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2025, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП