Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
IXTA1R4N120P
IXTA1R4N120P

IXTA1R4N120P

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Littelfuse Inc.
  • Артикул:
    IXTA1R4N120P
  • Описание:
    MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO263Все характеристики

Минимальная цена IXTA1R4N120P при покупке от 1 шт 1248.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IXTA1R4N120P с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики IXTA1R4N120P

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    1200 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    1.4A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    13Ohm @ 500mA, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4.5V @ 100µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    24.8 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    666 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    86W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    TO-263AA
  • Корпус
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Base Product Number
    IXTA1
Техническая документация
 IXTA1R4N120P.pdf
pdf. 0 kb
  • В избранное
  • В сравнение
  • 306 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    1 248 ₽
  • 50
    666 ₽
  • 100
    609 ₽
  • 500
    511 ₽
  • 1000
    503 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Littelfuse Inc.
  • Артикул:
    IXTA1R4N120P
  • Описание:
    MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO263Все характеристики

Минимальная цена IXTA1R4N120P при покупке от 1 шт 1248.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IXTA1R4N120P с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики IXTA1R4N120P

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    1200 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    1.4A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    13Ohm @ 500mA, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4.5V @ 100µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    24.8 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    666 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    86W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    TO-263AA
  • Корпус
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Base Product Number
    IXTA1
Техническая документация
 IXTA1R4N120P.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    ZXMN10A07ZTAТранзистор: MOSFET N-CH 100V 1A SOT89-3
    133Кешбэк 19 баллов
    RQ1C065UNTRMOSFET N-CH 20V 6.5A TSMT8
    154Кешбэк 23 балла
    DMG3402L-7MOSFET N-CH 30V 4A SOT23
    51Кешбэк 7 баллов
    SSM6J507NU,LFMOSFET P-CH 30V 10A 6UDFNB
    103Кешбэк 15 баллов
    NP100P04PLG-E1-AYMOSFET P-CH 40V 100A TO263
    1 012Кешбэк 151 балл
    TPN8R903NL,LQMOSFET N-CH 30V 20A 8TSON
    115Кешбэк 17 баллов
    SCH1331-S-TL-HMOSFET P-CH 12V 3A SCH6
    39.4Кешбэк 5 баллов
    TK5A60W,S4VXMOSFET N-CH 600V 5.4A TO220SIS
    546Кешбэк 81 балл
    CSD16415Q5MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
    666Кешбэк 99 баллов
    NVD2955T4GMOSFET P-CH 60V 12A DPAK
    139Кешбэк 20 баллов
    DN3145N8-GMOSFET N-CH 450V 100MA TO243AA
    150Кешбэк 22 балла
    BUK9606-75B,118MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
    826Кешбэк 123 балла
    DMP3035LSS-13MOSFET P-CH 30V 11A 8SOP
    83Кешбэк 12 баллов
    MMBF170-7-FMOSFET N-CH 60V 500MA SOT23-3
    53Кешбэк 7 баллов
    SI7848BDP-T1-E3MOSFET N-CH 40V 47A PPAK SO-8
    513Кешбэк 76 баллов
    AUIRF3805MOSFET N-CH 55V 160A TO220
    336Кешбэк 50 баллов
    FQI17N08TUMOSFET N-CH 80V 16.5A I2PAK
    126Кешбэк 18 баллов
    PMG85XPHMOSFET P-CH 20V 2A 6TSSOP
    69Кешбэк 10 баллов
    FDW262PMOSFET P-CH 20V 4.5A 8TSSOP
    131Кешбэк 19 баллов
    SIHD7N60E-GE3MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
    434Кешбэк 65 баллов
    IPZ60R099P6FKSA1MOSFET N-CH 600V 37.9A TO247-4
    1 218Кешбэк 182 балла
    PMPB19XP,115MOSFET P-CH 20V 7.2A DFN2020MD-6
    165Кешбэк 24 балла
    CSD17311Q5Транзистор: MOSFET N-CH 30V 32A/100A 8VSON
    511Кешбэк 76 баллов
    IRLB3036PBFMOSFET N-CH 60V 195A TO220AB
    663Кешбэк 99 баллов
    ATP602-TL-HMOSFET N-CH 600V 5A ATPAK
    259Кешбэк 38 баллов
    IRFI740GLCPBFMOSFET N-CH 400V 5.7A TO220-3
    907Кешбэк 136 баллов
    APT48M80B2MOSFET N-CH 800V 49A T-MAX
    3 676Кешбэк 551 балл
    DMN3008SFG-13MOSFET N-CH 30V 17.6A PWRDI3333
    203Кешбэк 30 баллов
    IRF630PBFТранзистор: MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB
    195Кешбэк 29 баллов
    STSJ60NH3LLMOSFET N-CH 30V 60A 8SOIC
    176Кешбэк 26 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Принадлежности
    Симисторы - Модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Тиристоры - SCR
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Драйверы питания - Модули
    Триодные тиристоры - Модули
    Диодные мосты
    Биполярные транзисторы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды - выпрямители - массивы
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    IGBT транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы - IGBT - модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диодные мосты - Модули
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы - Специального назначения
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды силовые
    Диоды - мостовые выпрямители
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Симисторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды - ВЧ
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - Модули
    Тиристоры - TRIACs
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Высокочастотные диоды
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП