Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
IXTP02N120P
  • В избранное
  • В сравнение
IXTP02N120P

IXTP02N120P

IXTP02N120P
;
IXTP02N120P

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    LITTELFUSE
  • Артикул:
    IXTP02N120P
  • Описание:
    MOSFET N-CH 1200V 200MA TO220ABВсе характеристики

Минимальная цена IXTP02N120P при покупке от 1 шт 693.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IXTP02N120P с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IXTP02N120P

IXTP02N120P IXYS MOSFET N-CH 1200V 200MA TO220AB

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS(on)): 1200 В
    • Номинальный ток (ID(on)): 200 мА
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Комплектация корпуса: TO220AB
  • Плюсы:
    • Высокое напряжения сопротивления
    • Низкий ток сопротивления при рабочем напряжении
    • Малый размер и вес из-за компактного корпуса TO220AB
    • Долговечность и надежность
  • Минусы:
    • Высокие токи могут привести к перегреву
    • Необходимо соблюдать требования к охлаждению
  • Общее назначение:
    • Использование в электронных устройствах для управления токами
    • Применяется в источниках питания
    • Участвует в конвертерах напряжения
    • Включается в системы управления двигателей
  • В каких устройствах применяется:
    • Сетевые адаптеры и блоки питания
    • Автомобильные зарядные устройства
    • Источники питания для бытовой техники
    • Промышленные контроллеры и системы управления
Выбрано: Показать

Характеристики IXTP02N120P

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    1200 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    200mA (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    75Ohm @ 100mA, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 100µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    4.7 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    104 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    33W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-220-3
  • Корпус
    TO-220-3
  • Base Product Number
    IXTP02

Техническая документация

 IXTP02N120P.pdf
pdf. 0 kb
  • 248 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    693 ₽
  • 10
    504 ₽
  • 100
    315 ₽
  • 500
    257 ₽
  • 1000
    250 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    LITTELFUSE
  • Артикул:
    IXTP02N120P
  • Описание:
    MOSFET N-CH 1200V 200MA TO220ABВсе характеристики

Минимальная цена IXTP02N120P при покупке от 1 шт 693.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IXTP02N120P с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IXTP02N120P

IXTP02N120P IXYS MOSFET N-CH 1200V 200MA TO220AB

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS(on)): 1200 В
    • Номинальный ток (ID(on)): 200 мА
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Комплектация корпуса: TO220AB
  • Плюсы:
    • Высокое напряжения сопротивления
    • Низкий ток сопротивления при рабочем напряжении
    • Малый размер и вес из-за компактного корпуса TO220AB
    • Долговечность и надежность
  • Минусы:
    • Высокие токи могут привести к перегреву
    • Необходимо соблюдать требования к охлаждению
  • Общее назначение:
    • Использование в электронных устройствах для управления токами
    • Применяется в источниках питания
    • Участвует в конвертерах напряжения
    • Включается в системы управления двигателей
  • В каких устройствах применяется:
    • Сетевые адаптеры и блоки питания
    • Автомобильные зарядные устройства
    • Источники питания для бытовой техники
    • Промышленные контроллеры и системы управления
Выбрано: Показать

Характеристики IXTP02N120P

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    1200 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    200mA (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    75Ohm @ 100mA, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 100µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    4.7 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    104 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    33W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-220-3
  • Корпус
    TO-220-3
  • Base Product Number
    IXTP02

Техническая документация

 IXTP02N120P.pdf
pdf. 0 kb
Доставка

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    STD4NK60Z-1MOSFET N-CH 600V 4A IPAK
    199Кешбэк 29 баллов
    STD80N4F6MOSFET N-CH 40V 80A DPAK
    200Кешбэк 30 баллов
    STQ1NC45R-APMOSFET N-CH 450V 500MA TO92-3
    200Кешбэк 30 баллов
    STP5NK60ZMOSFET N-CH 600V 5A TO220AB
    202Кешбэк 30 баллов
    STP2NK100ZMOSFET N-CH 1000V 1.85A TO220AB
    204Кешбэк 30 баллов
    STL17N65M5MOSFET N-CH 650V 1.8A POWERFLAT
    205Кешбэк 30 баллов
    STP105N3LLMOSFET N-CH 30V 80A TO220
    207Кешбэк 31 балл
    STQ1NK80ZR-APMOSFET N-CH 800V 300MA TO92-3
    209Кешбэк 31 балл
    STL19N65M5MOSFET N-CH 650V 12.5A POWERFLAT
    210Кешбэк 31 балл
    STD2HNK60Z-1Транзистор: MOSFET N-CH 600V 2A IPAK
    210Кешбэк 31 балл
    STQ1HNK60R-APТранзистор: MOSFET N-CH 600V 400MA TO92-3
    212Кешбэк 31 балл
    STD12NF06T4MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
    212Кешбэк 31 балл
    STF13N65M2MOSFET N-CH 650V 10A TO220FP
    212Кешбэк 31 балл
    STR2N2VH5MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23
    214Кешбэк 32 балла
    STP5N60M2MOSFET N-CH 600V 3.7A TO220
    220Кешбэк 33 балла
    STP36NF06LMOSFET N-CH 60V 30A TO220AB
    221Кешбэк 33 балла
    STF2HNK60ZТранзистор: MOSFET N-CH 600V 2A TO220FP
    222Кешбэк 33 балла
    STB60NF06T4MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK
    224Кешбэк 33 балла
    STS5N15F3MOSFET N-CH 150V 5A 8SO
    225Кешбэк 33 балла
    STF6N62K3MOSFET N-CH 620V 5.5A TO220FP
    226Кешбэк 33 балла
    STD10P10F6MOSFET P-CH 100V 10A DPAK
    228Кешбэк 34 балла
    STS6P3LLH6MOSFET P-CH 30V 6A 8SO
    228Кешбэк 34 балла
    STB150N3LH6MOSFET N CH 30V 80A D2PAK
    234Кешбэк 35 баллов
    STD18NF03LMOSFET N-CH 30V 17A DPAK
    236Кешбэк 35 баллов
    STD4NK60ZT4MOSFET N-CH 600V 4A DPAK
    238Кешбэк 35 баллов
    STD1NK60T4MOSFET N-CH 600V 1A DPAK
    239Кешбэк 35 баллов
    STD7N65M2MOSFET N-CH 650V 5A DPAK
    240Кешбэк 36 баллов
    STP55NF06LТранзистор: MOSFET N-CH 60V 55A TO220AB
    242Кешбэк 36 баллов
    STU6NF10MOSFET N-CH 100V 6A IPAK
    243Кешбэк 36 баллов
    STD13N65M2MOSFET N-CH 650V 10A DPAK
    243Кешбэк 36 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Тиристоры - TRIACs
    Симисторы - Модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    IGBT транзисторы
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Одиночные биполярные транзисторы
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды - мостовые выпрямители
    Биполярные транзисторы
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды силовые
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Одиночные IGBT транзисторы
    Модули драйверов питания
    Диодные мосты
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Полевые транзисторы - Сборки
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы специального назначения
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Симисторы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Одиночные триодные тиристоры
    Высокочастотные диоды
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Транзисторы - JFET
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Тиристоры - SCR
    Транзисторные модули
    Варикапы и Варакторы
    Модули триодных тиристоров
    Сборки биполярных транзисторов
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП