Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
IXTP34N65X2
  • В избранное
  • В сравнение
IXTP34N65X2

IXTP34N65X2

IXTP34N65X2
;
IXTP34N65X2

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    IXYS
  • Артикул:
    IXTP34N65X2
  • Описание:
    MOSFET N-CH 650V 34A TO220ABВсе характеристики

Минимальная цена IXTP34N65X2 при покупке от 1 шт 1398.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IXTP34N65X2 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IXTP34N65X2

IXTP34N65X2 IXYS MOSFET N-Ч 650В 34А TO220AB

  • Основные параметры:
    • Тип: MOSFET N-канальный
    • Номинальное напряжение: 650В
    • Номинальный ток: 34А
    • Объемный корпус: TO220AB
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Компактность и легкость благодаря TO220AB корпусу
    • Эффективность работы при больших токах и напряжениях
    • Устойчивость к перегреву
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов
    • Требует дополнительного охлаждения для обеспечения стабильной работы
  • Общее назначение:
    • Использование в высоковольтных и высотоканальных приложениях
    • Применяется в источниках питания, преобразователях напряжения, инверторах и других электронных устройствах
  • В каких устройствах применяется:
    • Источники питания
    • Автомобильные системы
    • Промышленное оборудование
    • Преобразователи напряжения
    • Инверторы
Выбрано: Показать

Характеристики IXTP34N65X2

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    650 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    34A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    96mOhm @ 17A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    54 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    3000 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    540W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-220-3
  • Корпус
    TO-220-3
  • Base Product Number
    IXTP34

Техническая документация

 IXTP34N65X2.pdf
pdf. 0 kb
  • 158 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    1 398 ₽
  • 50
    777 ₽
  • 100
    753 ₽
  • 500
    647 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    IXYS
  • Артикул:
    IXTP34N65X2
  • Описание:
    MOSFET N-CH 650V 34A TO220ABВсе характеристики

Минимальная цена IXTP34N65X2 при покупке от 1 шт 1398.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IXTP34N65X2 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IXTP34N65X2

IXTP34N65X2 IXYS MOSFET N-Ч 650В 34А TO220AB

  • Основные параметры:
    • Тип: MOSFET N-канальный
    • Номинальное напряжение: 650В
    • Номинальный ток: 34А
    • Объемный корпус: TO220AB
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Компактность и легкость благодаря TO220AB корпусу
    • Эффективность работы при больших токах и напряжениях
    • Устойчивость к перегреву
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов
    • Требует дополнительного охлаждения для обеспечения стабильной работы
  • Общее назначение:
    • Использование в высоковольтных и высотоканальных приложениях
    • Применяется в источниках питания, преобразователях напряжения, инверторах и других электронных устройствах
  • В каких устройствах применяется:
    • Источники питания
    • Автомобильные системы
    • Промышленное оборудование
    • Преобразователи напряжения
    • Инверторы
Выбрано: Показать

Характеристики IXTP34N65X2

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    650 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    34A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    96mOhm @ 17A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    54 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    3000 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    540W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-220-3
  • Корпус
    TO-220-3
  • Base Product Number
    IXTP34

Техническая документация

 IXTP34N65X2.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    2SK3116-S-AZN-CHANNEL POWER MOSFET
    512Кешбэк 76 баллов
    UPA2700GR-E1-AN-CHANNEL POWER MOSFET
    525Кешбэк 78 баллов
    2SK1957-EN-CHANNEL POWER MOSFET
    525Кешбэк 78 баллов
    2SK3573-AZN-CHANNEL POWER MOSFET
    527Кешбэк 79 баллов
    2SK3573-ZK-E1-AZN-CHANNEL POWER MOSFET
    527Кешбэк 79 баллов
    2SK1637-EN-CHANNEL POWER MOSFET
    537Кешбэк 80 баллов
    FK10KM-12-A8#B00N-CHANNEL POWER MOSFET
    537Кешбэк 80 баллов
    2SK1400A-EN-CHANNEL POWER MOSFET
    537Кешбэк 80 баллов
    HAT1125HWS-EP-CHANNEL POWER MOSFET
    539Кешбэк 80 баллов
    RJL6013DPP-00#T2N-CHANNEL POWER MOSFET
    548Кешбэк 82 балла
    2SK1288-AZN-CHANNEL POWER MOSFET
    554Кешбэк 83 балла
    2SK1566-EN-CHANNEL POWER MOSFET
    554Кешбэк 83 балла
    2SK1667-EN-CHANNEL POWER MOSFET
    557Кешбэк 83 балла
    2SK1315L-EN-CHANNEL POWER MOSFET
    557Кешбэк 83 балла
    2SJ387STL-EP-CHANNEL POWER MOSFET
    565Кешбэк 84 балла
    2SK2114-EN-CHANNEL POWER MOSFET
    576Кешбэк 86 баллов
    2SK2512-AZN-CHANNEL POWER MOSFET
    576Кешбэк 86 баллов
    2SK1852-T-AZN-CHANNEL POWER MOSFET
    578Кешбэк 86 баллов
    NP75N055YUK-E1-AYPOWER TRS2
    586Кешбэк 87 баллов
    NP89N06PDK-E1-AYP-TRS2 AUTOMOTIVE MOS
    591Кешбэк 88 баллов
    RJK4007DPP-L1#T2N-CHANNEL POWER MOSFET
    593Кешбэк 88 баллов
    UPA2747UT1A-E1-AYN-CHANNEL POWER MOSFET
    595Кешбэк 89 баллов
    2SK3457-AZN-CHANNEL POWER MOSFET
    595Кешбэк 89 баллов
    2SK3457(2)-AZN-CHANNEL POWER MOSFET
    595Кешбэк 89 баллов
    H5N2007LSTL-E25A, 200V, 0.047OHM, N CHANNEL M
    597Кешбэк 89 баллов
    2SK4201-S19-AYN-CHANNEL POWER MOSFET
    597Кешбэк 89 баллов
    2SK1850(0)-T-AZN-CHANNEL POWER MOSFET
    605Кешбэк 90 баллов
    2SK1094-EN-CHANNEL POWER MOSFET
    605Кешбэк 90 баллов
    2SK1094-93N-CHANNEL POWER MOSFET
    605Кешбэк 90 баллов
    2SK2511-AN-CHANNEL POWER MOSFET
    614Кешбэк 92 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды силовые
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Диоды выпрямительные - Модули
    Тиристоры - SCR - модули
    Сборки биполярных транзисторов
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Модули драйверов питания
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - IGBT - модули
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диодные мосты - Модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Модули драйверов питания
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды - мостовые выпрямители
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды - выпрямители - массивы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторные модули
    Диоды - ВЧ
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Симисторы - Модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Высокочастотные диоды
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы специального назначения
    Одиночные IGBT транзисторы
    Модули триодных тиристоров
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Биполярные транзисторы
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Одиночные биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Полевые транзисторы - Модули
    Варикапы и Варакторы
    Тиристоры - SCR
    Симисторы
    Диодные мосты
    IGBT транзисторы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - JFET
    Одиночные триодные тиристоры
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП