Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
IXTP8N65X2
IXTP8N65X2

IXTP8N65X2

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    IXYS
  • Артикул:
    IXTP8N65X2
  • Описание:
    MOSFET N-CH 650V 8A TO220Все характеристики

Минимальная цена IXTP8N65X2 при покупке от 1 шт 586.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IXTP8N65X2 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики IXTP8N65X2

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    650 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    8A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    500mOhm @ 4A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    12 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    800 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    150W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-220
  • Корпус
    TO-220-3
  • Base Product Number
    IXTP8
  • В избранное
  • В сравнение
  • 28 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    586 ₽
  • 10
    212 ₽
  • 100
    210 ₽
  • 1000
    206 ₽
  • 2500
    203 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    IXYS
  • Артикул:
    IXTP8N65X2
  • Описание:
    MOSFET N-CH 650V 8A TO220Все характеристики

Минимальная цена IXTP8N65X2 при покупке от 1 шт 586.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IXTP8N65X2 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики IXTP8N65X2

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    650 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    8A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    500mOhm @ 4A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    12 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    800 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    150W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-220
  • Корпус
    TO-220-3
  • Base Product Number
    IXTP8

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    IRFD020PBFТранзистор: MOSFET N-CH 50V 2.4A 4DIP
    443Кешбэк 66 баллов
    IXTT36N50PMOSFET N-CH 500V 36A TO268
    2 201Кешбэк 330 баллов
    FDPF51N25MOSFET N-CH 250V 51A TO220F
    580Кешбэк 87 баллов
    IXFA230N075T2-7MOSFET N-CH 75V 230A TO263-7
    1 482Кешбэк 222 балла
    VN0606L-GMOSFET N-CH 60V 330MA TO92-3
    274Кешбэк 41 балл
    DMTH6010LK3-13MOSFET N-CH 60V 14.8A/70A TO252
    321Кешбэк 48 баллов
    SPD50N03S2L-06MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
    182Кешбэк 27 баллов
    TN0104N8-GMOSFET N-CH 40V 630MA TO243AA
    261Кешбэк 39 баллов
    BTS244ZE3043AKSA2MOSFET N-CH 55V 35A TO220-5-12
    814Кешбэк 122 балла
    PMN48XP,125MOSFET P-CH 20V 4.1A 6TSOP
    108Кешбэк 16 баллов
    SI8425DB-T1-E1MOSFET P-CH 20V 4WLCSP
    144Кешбэк 21 балл
    IRF4104SPBFMOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
    538Кешбэк 80 баллов
    SISA12ADN-T1-GE3MOSFET N-CH 30V 25A PPAK1212-8
    215Кешбэк 32 балла
    SIS412DN-T1-GE3MOSFET N-CH 30V 12A PPAK1212-8
    120Кешбэк 18 баллов
    IRFB4615PBFMOSFET N-CH 150V 35A TO220AB
    206Кешбэк 30 баллов
    IRFHM830TRPBFMOSFET N-CH 30V 21A/40A PQFN
    230Кешбэк 34 балла
    FDMC86520LMOSFET N-CH 60V 13.5A/22A 8MLP
    476Кешбэк 71 балл
    IRFR3709ZTRPBFMOSFET N-CH 30V 86A DPAK
    103Кешбэк 15 баллов
    DMTH6010LPSQ-13MOSFET N-CH 60V 13.5A PWRDI5060
    296Кешбэк 44 балла
    DN3135K1-GMOSFET N-CH 350V 72MA SOT23-3
    126Кешбэк 18 баллов
    NTMFS5C612NLT1GMOSFET N-CH 60V 36A/235A 5DFN
    367Кешбэк 55 баллов
    SIHH14N65EF-T1-GE3MOSFET N-CH 650V 15A PPAK 8 X 8
    1 037Кешбэк 155 баллов
    FDJ129PMOSFET P-CH 20V 4.2A SC75-6 FLMP
    109Кешбэк 16 баллов
    SQ2308CES-T1_GE3MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23
    190Кешбэк 28 баллов
    IRF730N-CHANNEL, MOSFET
    230Кешбэк 34 балла
    R6004ENXMOSFET N-CH 600V 4A TO220FM
    431Кешбэк 64 балла
    STI4N62K3MOSFET N-CH 620V 3.8A I2PAK
    338Кешбэк 50 баллов
    IXFT18N100Q3MOSFET N-CH 1000V 18A TO268
    3 414Кешбэк 512 баллов
    STF31N65M5MOSFET N-CH 650V 22A TO220FP
    821Кешбэк 123 балла
    BSS138-7-FТранзистор: MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
    36.5Кешбэк 5 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Полевые транзисторы - Сборки
    Варикапы и Варакторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Диоды - ВЧ
    Диодные мосты
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Принадлежности
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Тиристоры - SCR - модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Биполярные транзисторы
    Симисторы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - Специального назначения
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - IGBT - модули
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Симисторы - Модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Высокочастотные диоды
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Полевые транзисторы - Модули
    Триодные тиристоры - Модули
    Диодные мосты - Модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Модули драйверов питания
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды силовые
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    IGBT транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Драйверы питания - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП