Каталог товаров
Доставка
Оплата
Кешбэк
Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров

Как заказать

О компании

8 800 550-00-22

Доставка Оплата Кешбэк Контакты

Загрузить BOM

Избранное Сравнение Корзина

Вход/Регистрация

Избранное

Войти

Каталог товаров

Дискретные полупроводники

Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные

IXTY01N100D-TRL

IXTY01N100D-TRL

IXTY01N100D-TRL

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Производитель:
IXYS
Артикул:
IXTY01N100D-TRL
Описание:
MOSFET N-CH 1000V 400MA TO252AAВсе характеристики

Минимальная цена IXTY01N100D-TRL при покупке от 1 шт 911.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IXTY01N100D-TRL с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрать все

Выбрано: Показать

Характеристики IXTY01N100D-TRL

Package
Tape & Reel (TR)
Package
Cut Tape (CT)
Package
Digi-Reel®
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток ( (Vdss)
1000 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
400mA (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
0V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
80Ohm @ 50mA, 0V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
4.5V @ 25µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
5.8 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
100 pF @ 25 V
Особенности полевого транзистора
Depletion Mode
Рассеивание мощности (Макс)
1.1W (Ta), 25W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Вид монтажа
Surface Mount
Исполнение корпуса
TO-252AA
Корпус
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Base Product Number
IXTY01

Техническая документация

IXTY01N100D-TRL.pdf

pdf. 0 kb

В избранное
В сравнение

1788 шт
3-6 недель

Количество
Цена
1
911 ₽
10
605 ₽
100
473 ₽
500
420 ₽
1000
407 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

В избранное
В сравнение

Производитель:
IXYS
Артикул:
IXTY01N100D-TRL
Описание:
MOSFET N-CH 1000V 400MA TO252AAВсе характеристики

Минимальная цена IXTY01N100D-TRL при покупке от 1 шт 911.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IXTY01N100D-TRL с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрать все

Выбрано: Показать

Характеристики IXTY01N100D-TRL

Package
Tape & Reel (TR)
Package
Cut Tape (CT)
Package
Digi-Reel®
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток ( (Vdss)
1000 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
400mA (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
0V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
80Ohm @ 50mA, 0V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
4.5V @ 25µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
5.8 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
100 pF @ 25 V
Особенности полевого транзистора
Depletion Mode
Рассеивание мощности (Макс)
1.1W (Ta), 25W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Вид монтажа
Surface Mount
Исполнение корпуса
TO-252AA
Корпус
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Base Product Number
IXTY01

Техническая документация

IXTY01N100D-TRL.pdf

pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары

Похожие товары

SQ3457EV-T1_GE3 MOSFET P-CHANNEL 30V 6.8A 6TSOP

87Кешбэк 13 баллов

FCH041N65F-F085 MOSFET N-CH 650V 76A TO247-3

1 783Кешбэк 267 баллов

IPD90N06S4L05ATMA2 MOSFET N-CH 60V 90A TO252-31

294Кешбэк 44 балла

SISS22LDN-T1-GE3 MOSFET N-CH 60V 25.5A/92.5A PPAK

258Кешбэк 38 баллов

IRF100P219AKMA1 MOSFET N-CH 100V TO247AC

829Кешбэк 124 балла

DMTH3002LPS-13 MOSFET N-CH 30V 100A PWRDI5060-8

194Кешбэк 29 баллов

IPD18DP10LMATMA1 TRENCH >=100V PG-TO252-3

340Кешбэк 51 балл

IPD50R650CEAUMA1 MOSFET N-CH 500V 9A TO252-3

202Кешбэк 30 баллов

UF3C170400K3S SICFET N-CH 1700V 7.6A TO247-3

1 661Кешбэк 249 баллов

IPU95R750P7AKMA1 MOSFET N-CH 950V 9A TO251-3

282Кешбэк 42 балла

IPA60R180P7SXKSA1 MOSFET N-CHANNEL 600V 18A TO220

191Кешбэк 28 баллов

DMP2006UFGQ-7 MOSFET P-CH 20V PWRDI3333

245Кешбэк 36 баллов

IPA050N10NM5SXKSA1 MOSFET N-CH 100V 66A TO220

700Кешбэк 105 баллов

FDD5N53TM N-CHANNEL POWER MOSFET

95Кешбэк 14 баллов

2SK2515-A N-CHANNEL POWER MOSFET

843Кешбэк 126 баллов

NVTFS6H850NWFTAG MOSFET N-CH 80V 11A/68A 8WDFN

262Кешбэк 39 баллов

ISL9N312AS3ST N-CHANNEL POWER MOSFET

231Кешбэк 34 балла

SQ4153EY-T1_GE3 MOSFET P-CHANNEL 12V 25A 8SOIC

316Кешбэк 47 баллов

C3M0015065K SICFET N-CH 650V 120A TO247-4L

9 891Кешбэк 1 483 балла

IPU80R2K0P7AKMA1 MOSFET N-CH 800V 3A TO251-3

233Кешбэк 34 балла

NVMYS2D2N06CLTWG MOSFET N-CH 60V 31A/185A LFPAK4

538Кешбэк 80 баллов

IXTT1N300P3HV MOSFET N-CH 3000V 1A TO268

6 420Кешбэк 963 балла

APT40M70JVR MOSFET N-CH 400V 53A SOT227

7 988Кешбэк 1 198 баллов

DMT10H009LCG-7 MOSFET N-CH 100V 12.4A/47A 8DFN

300Кешбэк 45 баллов

2SK4096LS-1E N-CHANNEL POWER MOSFET

305Кешбэк 45 баллов

IPS80R1K2P7AKMA1 MOSFET N-CH 800V 4.5A TO251-3

134Кешбэк 20 баллов

5N20A N200V,RD(MAX)<650M@10V,VTH1V~3V,

34Кешбэк 5 баллов

PSMN2R0-40YLDX MOSFET N-CH 40V 180A LFPAK56

582Кешбэк 87 баллов

AOB2904 MOSFET N-CH 100V 120A TO263

282Кешбэк 42 балла

RQ6E035SPTR MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT6

116Кешбэк 17 баллов

Похожие категории

Все товары

Похожие категории

Полевые транзисторы - Одиночные

Высокочастотные диоды

Высокочастотные полевые транзисторы

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные

Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные

Диодные мосты

Диоды выпрямительные - Модули

Транзисторы - JFET

Симисторы

Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором

Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные

Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами

Полевые транзисторы - Модули

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули

Программируемые однопереходные транзисторы

Высокочастотные биполярные транзисторы

Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)

Принадлежности

Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)

Биполярные транзисторы

Транзисторы - Специального назначения

Полевые транзисторы - Сборки

Диоды - ВЧ

Тиристоры - SCR - модули

Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением

Транзисторы - Модули

Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением

Динисторы (DIAC, SIDAC)

Диоды силовые

Диоды - мостовые выпрямители

Варикапы и Варакторы

Модули драйверов питания

Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы

Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы

Биполярные транзисторы - Одиночные

Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки

IGBT транзисторы

Транзисторы - IGBT - одиночные

Диодные мосты - Модули

Симисторы - Модули

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки

Драйверы питания - Модули

Диоды выпрямительные - Сборки

Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные

Тиристоры - TRIACs

Регулирование тока - диоды, транзисторы

Диоды выпрямительные - Одиночные

Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ

Транзисторы - IGBT - модули

Биполярные транзисторы - Сборки

Тиристоры - SCR

Диоды - выпрямители - одиночные

Триодные тиристоры - Модули

Триодные тиристоры - Одиночные

Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET

Транзисторы - программируемые однопереходные

Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ

Диоды - выпрямители - массивы

Оставьте оценку на Яндексе

Каталог товаров
Доставка
Оплата
Производители
Акции

Как купить
Кешбэк
Как сделать заказ
Загрузка BOM-листа
Возврат и обмен
Состояние заказа

О компании
Отзывы
Новости
Статьи
Вакансии
Правовая информация
Контакты

8 800 550-00-22

Пн-Пт 9:30 - 17:30

Оставьте оценку на Яндексе

Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.

© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали