Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Одиночные IGBT транзисторы
IXYN110N120A4
  • В избранное
  • В сравнение
IXYN110N120A4

IXYN110N120A4

IXYN110N120A4
;
IXYN110N120A4

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    LITTELFUSE
  • Артикул:
    IXYN110N120A4
  • Описание:
    Транзистор: IGBT 1200V 110A GNX4 XPT SOT227BВсе характеристики

Минимальная цена IXYN110N120A4 при покупке от 1 шт 6616.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IXYN110N120A4 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IXYN110N120A4

IXYN110N120A4 IXYS Транзистор: IGBT 1200V 110A GNX4 XPT SOT227B

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (UD(ON)) - 1200В
    • Номинальный ток (ID) - 110А
    • Тип - IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
    • Монтажный тип - SOT227B
    • Тип корпуса - GNX4 XPT
  • Плюсы:
    • Высокая эффективность работы
    • Долговечность и надежность
    • Устойчивость к перегреву
    • Малый размер и легкий вес
    • Простота использования и монтажа
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов
    • Необходимость использования дополнительных компонентов для защиты от перегрузки и перенапряжения
  • Общее назначение:
    • Использование в промышленных преобразователях питания
    • Активное управление электропитанием в автомобильной индустрии
    • Применение в солнечных батареях и других источниках возобновляемой энергии
    • Работа в электротехнической аппаратуре с высоким напряжением
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы управления двигателем
    • Промышленные приводы и системы автоматизации
    • Системы управления энергией в бытовых приборах
    • Солнечные системы электропитания
    • Преобразователи напряжения для электроники
Выбрано: Показать

Характеристики IXYN110N120A4

  • Package
    Tube
  • Тип IGBT
    PT
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    1200 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    275 A
  • Коллекторный ток (Icm)
    950 A
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    1.8V @ 15V, 110A
  • Рассеивание мощности
    830 W
  • Энергия переключения
    2.5mJ (on), 8.4mJ (off)
  • Тип входа
    Standard
  • Заряд затвора
    305 nC
  • Td (on/off) @ 25°C
    42ns/550ns
  • Условие испытаний
    600V, 50A, 2Ohm, 15V
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Chassis Mount
  • Корпус
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Исполнение корпуса
    SOT-227B
  • Base Product Number
    IXYN110

Техническая документация

 IXYN110N120A4.pdf
pdf. 0 kb
  • 196 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    6 616 ₽
  • 5
    6 232 ₽
  • 10
    5 846 ₽
  • 50
    5 462 ₽
  • 100
    5 075 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    LITTELFUSE
  • Артикул:
    IXYN110N120A4
  • Описание:
    Транзистор: IGBT 1200V 110A GNX4 XPT SOT227BВсе характеристики

Минимальная цена IXYN110N120A4 при покупке от 1 шт 6616.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IXYN110N120A4 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IXYN110N120A4

IXYN110N120A4 IXYS Транзистор: IGBT 1200V 110A GNX4 XPT SOT227B

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (UD(ON)) - 1200В
    • Номинальный ток (ID) - 110А
    • Тип - IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
    • Монтажный тип - SOT227B
    • Тип корпуса - GNX4 XPT
  • Плюсы:
    • Высокая эффективность работы
    • Долговечность и надежность
    • Устойчивость к перегреву
    • Малый размер и легкий вес
    • Простота использования и монтажа
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов
    • Необходимость использования дополнительных компонентов для защиты от перегрузки и перенапряжения
  • Общее назначение:
    • Использование в промышленных преобразователях питания
    • Активное управление электропитанием в автомобильной индустрии
    • Применение в солнечных батареях и других источниках возобновляемой энергии
    • Работа в электротехнической аппаратуре с высоким напряжением
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы управления двигателем
    • Промышленные приводы и системы автоматизации
    • Системы управления энергией в бытовых приборах
    • Солнечные системы электропитания
    • Преобразователи напряжения для электроники
Выбрано: Показать

Характеристики IXYN110N120A4

  • Package
    Tube
  • Тип IGBT
    PT
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    1200 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    275 A
  • Коллекторный ток (Icm)
    950 A
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    1.8V @ 15V, 110A
  • Рассеивание мощности
    830 W
  • Энергия переключения
    2.5mJ (on), 8.4mJ (off)
  • Тип входа
    Standard
  • Заряд затвора
    305 nC
  • Td (on/off) @ 25°C
    42ns/550ns
  • Условие испытаний
    600V, 50A, 2Ohm, 15V
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Chassis Mount
  • Корпус
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Исполнение корпуса
    SOT-227B
  • Base Product Number
    IXYN110

Техническая документация

 IXYN110N120A4.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    DGTD120T25S1PTТранзистор: IGBT 1200V-X TO247 TUBE 0.45K
    1 562Кешбэк 234 балла
    HGTP7N60A4_NLТранзистор: IGBT, 34A, 600V, N-CHANNEL
    169Кешбэк 25 баллов
    HGTP20N35G3VLТранзистор: IGBT, 20A, 320V, N-CHANNEL
    325Кешбэк 48 баллов
    FGPF70N30TRDTUТранзистор: 300V, 70A PDP IGBT
    327Кешбэк 49 баллов
    FGD3040G2-F085FGD3040G2_F085 - ECOSPARK2 IGN-I
    492Кешбэк 73 балла
    IRGSL15B60KDPBFТранзистор: IGBT W/ULTRAFAST SOFT RECOVERY D
    335Кешбэк 50 баллов
    IRGIB4630DPBFТранзистор: IGBT WITH RECOVERY DIODE
    350Кешбэк 52 балла
    AUIRGP66524D0-IRТранзистор: IGBT WITH ULTRAFAST SOFT RECOVER
    936Кешбэк 140 баллов
    AUIRGF66524D0-IRТранзистор: IGBT
    953Кешбэк 142 балла
    AUIRGP65A40D0Транзистор: IGBT DESCRETE SWITCH
    1 138Кешбэк 170 баллов
    AUIRGP4062DТранзистор: IGBT 600V 48A TO247AC
    1 182Кешбэк 177 баллов
    AUIRGPS4070D0Транзистор: AUIRGPS4070D0 - AUTOMOTIVE IGBT
    2 542Кешбэк 381 балл
    AUIRG4BC30U-SТранзистор: IGBT 600V 23A 100W D2PAK
    2 626Кешбэк 393 балла
    HGTP3N60C3Транзистор: 6A, 600V, N-CHANNEL IGBT
    146Кешбэк 21 балл
    HGTP3N60B3Транзистор: 7A, 600V, UFS N-CHANNEL IGBT
    146Кешбэк 21 балл
    HGTP3N60B3R4724Транзистор: 7A, 600V, UFS N-CHANNEL IGBT
    146Кешбэк 21 балл
    HGTP6N40E1DТранзистор: 7.5A, 400V, N-CHANNEL IGBT
    200Кешбэк 30 баллов
    HGTP6N40EIDТранзистор: 7.5A, 400V, N-CHANNEL IGBT
    200Кешбэк 30 баллов
    HGTP7N60C3Транзистор: 14A, 600V, UFS SERIES N-CHANNEL
    216Кешбэк 32 балла
    IGTP10N40Транзистор: N CHANNEL IGBT FOR SWITCHING APP
    239Кешбэк 35 баллов
    IGTP10N40AТранзистор: N CHANNEL IGBT FOR SWITCHING APP
    245Кешбэк 36 баллов
    HGTP10N40F1DТранзистор: 12A, 400V, N-CHANNEL IGBT
    270Кешбэк 40 баллов
    HGT1S12N60C3RТранзистор: 24A, 600V N-CHANNEL IGBT
    306Кешбэк 45 баллов
    HGTP10N40C1Транзистор: 10A, 400V, N-CHANNEL IGBT
    329Кешбэк 49 баллов
    HGTP10N40E1Транзистор: 10A, 400V, N-CHANNEL IGBT
    329Кешбэк 49 баллов
    IGT5E10CSТранзистор: N CHANNEL IGBT FOR SWITCHING APP
    335Кешбэк 50 баллов
    IGTM10N40Транзистор: N CHANNEL IGBT FOR SWITCHING APP
    345Кешбэк 51 балл
    HGTP10N40EIDТранзистор: 17.5A, 400V, N-CHANNEL IGBT
    345Кешбэк 51 балл
    IGTM10N40AТранзистор: N CHANNEL IGBT FOR SWITCHING APP
    354Кешбэк 53 балла
    HGTP12N60C3RТранзистор: 24A, 600V N-CHANNEL IGBT
    356Кешбэк 53 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Полевые транзисторы - Модули
    Варикапы и Варакторы
    Сборки биполярных транзисторов
    Модули триодных тиристоров
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Тиристоры - SCR
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Одиночные биполярные транзисторы
    Одиночные триодные тиристоры
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Полевые транзисторы - Сборки
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторные модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диодные мосты
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диодные мосты - Модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды - ВЧ
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Модули драйверов питания
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Транзисторы - JFET
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Симисторы
    Тиристоры - TRIACs
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы специального назначения
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Одиночные IGBT транзисторы
    Симисторы - Модули
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диоды выпрямительные - Сборки
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды силовые
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды - выпрямители - массивы
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП