Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
 Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
J111
  • В избранное
  • В сравнение
J111

J111

J111
;
J111

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi / Fairchild
  • Артикул:
    J111
  • Описание:
    SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSIВсе характеристики

Минимальная цена J111 при покупке от 1 шт 78.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить J111 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание J111

J111 onsemi / Fairchild SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSISTOR

  • Основные параметры:
    • Максимальное напряжение между полюсами VDS: 20 В
    • Максимальный ток между полюсами ID: 150 мА
    • Тип транзистора: N-channel enhancement mode MOSFET
  • Плюсы:
    • Высокая скорость включения и выключения
    • Низкий сопротивление при отключенном канале (RDS(on))
    • Низкий уровень шумов
    • Устойчивость к электрическим помехам
  • Минусы:
    • Высокие требования к проектированию платы из-за низкого порогового напряжения
    • Возможность галvanic связи при неправильной работе
  • Общее назначение:
    • Управление нагрузками в цифровых системах
    • Регулирование напряжения в стабилизаторах питания
    • Измерительные приборы и системы управления
  • Применение в устройствах:
    • Компьютеры и периферийное оборудование
    • Мобильные устройства и зарядные устройства
    • Автомобили и промышленное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики J111

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Напряжение туннельного пробоя (V(BR)GSS)
    35 V
  • Ток утечки (Idss) @ Vds (Vgs=0)
    20 mA @ 15 V
  • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id
    3 V @ 1 µA
  • Сопротивление в режиме насыщения (RDS)
    30 Ohms
  • Рассеивание мощности
    625 mW
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
  • Исполнение корпуса
    TO-92-3
  • Base Product Number
    J111

Техническая документация

 J111.pdf
pdf. 0 kb
  • 15204 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    78 ₽
  • 100
    21.5 ₽
  • 1000
    16.7 ₽
  • 5000
    15.4 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi / Fairchild
  • Артикул:
    J111
  • Описание:
    SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSIВсе характеристики

Минимальная цена J111 при покупке от 1 шт 78.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить J111 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание J111

J111 onsemi / Fairchild SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSISTOR

  • Основные параметры:
    • Максимальное напряжение между полюсами VDS: 20 В
    • Максимальный ток между полюсами ID: 150 мА
    • Тип транзистора: N-channel enhancement mode MOSFET
  • Плюсы:
    • Высокая скорость включения и выключения
    • Низкий сопротивление при отключенном канале (RDS(on))
    • Низкий уровень шумов
    • Устойчивость к электрическим помехам
  • Минусы:
    • Высокие требования к проектированию платы из-за низкого порогового напряжения
    • Возможность галvanic связи при неправильной работе
  • Общее назначение:
    • Управление нагрузками в цифровых системах
    • Регулирование напряжения в стабилизаторах питания
    • Измерительные приборы и системы управления
  • Применение в устройствах:
    • Компьютеры и периферийное оборудование
    • Мобильные устройства и зарядные устройства
    • Автомобили и промышленное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики J111

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Напряжение туннельного пробоя (V(BR)GSS)
    35 V
  • Ток утечки (Idss) @ Vds (Vgs=0)
    20 mA @ 15 V
  • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id
    3 V @ 1 µA
  • Сопротивление в режиме насыщения (RDS)
    30 Ohms
  • Рассеивание мощности
    625 mW
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
  • Исполнение корпуса
    TO-92-3
  • Base Product Number
    J111

Техническая документация

 J111.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    2SK880GRTE85LFJFET N-CH 50V 0.1W USM
    135Кешбэк 20 баллов
    2SK208-Y(TE85L,F)JFET N-CH 50V S-MINI
    93Кешбэк 13 баллов
    2SK208-O(TE85L,F)JFET N-CH 50V SC59
    109Кешбэк 16 баллов
    2SK879-GR(TE85L,F)JFET N-CH 0.1W USM
    98Кешбэк 14 баллов
    2SK208-GR(TE85L,F)JFET N-CH 50V SC59
    38Кешбэк 5 баллов
    2SK2145-Y(TE85L,F)MOSFET 2N-CH JFET 50V SMV
    182Кешбэк 27 баллов
    2SK879-Y(TE85L,F)JFET N-CH 0.1W USM
    98Кешбэк 14 баллов
    J111,126JFET N-CH 40V 400MW TO92-3
    76Кешбэк 11 баллов
    MMBFJ305Транзистор: JFET N-CH 30V 0.225W SOT23
    29.6Кешбэк 4 балла
    2N5639SMALL SIGNAL FET
    85Кешбэк 12 баллов
    PN4118SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
    22.2Кешбэк 3 балла
    PN4093JFET N-CH 40V 0.625W TO92
    85Кешбэк 12 баллов
    PF53012SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
    18.5Кешбэк 2 балла
    PN5434SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
    63Кешбэк 9 баллов
    JANTX2N4859JFET N-CH 30V 360MW TO-18
    2 798Кешбэк 419 баллов
    JANTX2N4092UBJFET N-CH 40V 0.36W SMD
    21 495Кешбэк 3 224 балла
    JANTX2N4093UBJFET N-CH 40V 0.36W SMD
    22 125Кешбэк 3 318 баллов
    CMPFJ176 TRТиристор: IC JFET P-CH SOT23-3
    193Кешбэк 28 баллов
    CMPFJ175 TRIC JFET P-CH SOT23-3
    265Кешбэк 39 баллов
    PN4393 TRAJFET N-CH 40V 0.625W TO92
    428Кешбэк 64 балла
    IJW120R100T1FKSA1JFET N-CHAN 26A TO247-3
    3 529Кешбэк 529 баллов
    MPF4393JFET N-CH 30V 0.35W TO92
    463Кешбэк 69 баллов
    JANTX2N4857JFET N-CH 40V 360MW TO-18
    4 224Кешбэк 633 балла
    2SK596S-CТиристор: JFET N-CH 0.1W
    13Кешбэк 1 балл
    TF208TH-4-TL-HJFET N-CH 1MA 100MW VTFP
    18.5Кешбэк 2 балла
    TF202THC-3-TL-HJFET N-CH 1MA 100MW VTFP
    13Кешбэк 1 балл
    2SK3666-2-TB-EJFET NCH 30V 200MW 3CP
    15.7Кешбэк 2 балла
    2SK3796-2-TL-EJFET N-CH 10MA 100MW SMCP
    31.5Кешбэк 4 балла
    TF252TH-4-TL-HJFET N-CH 1MA 100MW VTFP
    13Кешбэк 1 балл
    TF412ST5GТиристор: JFET N-CH 30V 10MA SOT883
    87Кешбэк 13 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Принадлежности
    Транзисторы - Специального назначения
    Варикапы и Варакторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Высокочастотные диоды
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды силовые
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - Модули
    Симисторы - Модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - JFET
    IGBT транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Симисторы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Триодные тиристоры - Модули
    Тиристоры - SCR
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Диодные мосты
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диодные мосты - Модули
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Драйверы питания - Модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Полевые транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Высокочастотные биполярные транзисторы
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП