Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
 Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
J113
  • В избранное
  • В сравнение
J113

J113

J113
;
J113

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    ONSEMI
  • Артикул:
    J113
  • Описание:
    SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSIВсе характеристики

Минимальная цена J113 при покупке от 1 шт 73.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить J113 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание J113

J113 onsemi SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSISTOR

  • Основные параметры:
    • Максимальное напряжение коллектора-эмиттера (VCEO): 20 В
    • Максимальная токовая способность (IDSS): 50 мА
    • Тип транзистора: НПН (N-channel enhancement mode)
  • Плюсы:
    • Высокая скорость переключения
    • Низкий уровень шума
    • Устойчивость к электрическим помехам
    • Малый размер и легкость
  • Минусы:
    • Высокое напряжение коллектора-эмиттера ограничивает его применение
    • Низкая мощность, подходит для маломощных устройств
  • Общее назначение:
    • Расширение логических функций в цифровых цепях
    • Импульсное управление
    • Фильтрация сигналов
  • В каких устройствах применяется:
    • Цифровые электронные устройства
    • Автомобильные системы
    • Игровые консоли
    • Мобильные телефоны
Выбрано: Показать

Характеристики J113

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Напряжение туннельного пробоя (V(BR)GSS)
    35 V
  • Ток утечки (Idss) @ Vds (Vgs=0)
    2 mA @ 15 V
  • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id
    500 mV @ 1 µA
  • Сопротивление в режиме насыщения (RDS)
    100 Ohms
  • Рассеивание мощности
    625 mW
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
  • Исполнение корпуса
    TO-92-3
  • Base Product Number
    J113

Техническая документация

 J113.pdf
pdf. 0 kb
  • 5783 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    73 ₽
  • 5
    61 ₽
  • 10
    52 ₽
  • 100
    38.6 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    ONSEMI
  • Артикул:
    J113
  • Описание:
    SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSIВсе характеристики

Минимальная цена J113 при покупке от 1 шт 73.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить J113 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание J113

J113 onsemi SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSISTOR

  • Основные параметры:
    • Максимальное напряжение коллектора-эмиттера (VCEO): 20 В
    • Максимальная токовая способность (IDSS): 50 мА
    • Тип транзистора: НПН (N-channel enhancement mode)
  • Плюсы:
    • Высокая скорость переключения
    • Низкий уровень шума
    • Устойчивость к электрическим помехам
    • Малый размер и легкость
  • Минусы:
    • Высокое напряжение коллектора-эмиттера ограничивает его применение
    • Низкая мощность, подходит для маломощных устройств
  • Общее назначение:
    • Расширение логических функций в цифровых цепях
    • Импульсное управление
    • Фильтрация сигналов
  • В каких устройствах применяется:
    • Цифровые электронные устройства
    • Автомобильные системы
    • Игровые консоли
    • Мобильные телефоны
Выбрано: Показать

Характеристики J113

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Напряжение туннельного пробоя (V(BR)GSS)
    35 V
  • Ток утечки (Idss) @ Vds (Vgs=0)
    2 mA @ 15 V
  • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id
    500 mV @ 1 µA
  • Сопротивление в режиме насыщения (RDS)
    100 Ohms
  • Рассеивание мощности
    625 mW
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
  • Исполнение корпуса
    TO-92-3
  • Base Product Number
    J113

Техническая документация

 J113.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    PN4393 TRAJFET N-CH 40V 0.625W TO92
    439Кешбэк 65 баллов
    TF202THC-3-TL-HJFET N-CH 1MA 100MW VTFP
    13.3Кешбэк 1 балл
    TF252TH-4-TL-HJFET N-CH 1MA 100MW VTFP
    13.3Кешбэк 1 балл
    2SK3666-2-TB-EJFET NCH 30V 200MW 3CP
    16Кешбэк 2 балла
    TF208TH-4-TL-HJFET N-CH 1MA 100MW VTFP
    19Кешбэк 2 балла
    TF208TH-5-TL-HJFET N-CH 1MA 100MW VTFP
    19Кешбэк 2 балла
    TF256TH-4-TL-HJFET N-CH 1MA 100MW VTFP
    19Кешбэк 2 балла
    2SK3796-2-TL-EJFET N-CH 10MA 100MW SMCP
    32Кешбэк 4 балла
    2SK3738-TL-EMOSFET N-CH 40V SC-75
    40Кешбэк 6 баллов
    MMBF5457Тиристор: JFET N-CH 25V 350MW SOT23
    43Кешбэк 6 баллов
    2SK771-5-TB-EJFET N-CH 20MA 200MW SCP
    44Кешбэк 6 баллов
    SMMBFJ175LT1GТиристор: TRANS JFET P-CH 30V SOT23
    53Кешбэк 7 баллов
    SMMBFJ177LT1GТиристор: TRANS JFET P-CH SOT23
    53Кешбэк 7 баллов
    MMBF4393LT1GJFET N-CH 30V 0.225W SOT23-3
    55Кешбэк 8 баллов
    J109JFET N-CH 25V 625MW TO92
    64Кешбэк 9 баллов
    2SK715W-ACJFET N-CH 50MA 300MW SPA
    68Кешбэк 10 баллов
    2SK715U-ACJFET N-CH 50MA 300MW SPA
    68Кешбэк 10 баллов
    2SK715UJFET N-CH 50MA 300MW SPA
    68Кешбэк 10 баллов
    J113SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
    73Кешбэк 10 баллов
    MMBF4393LT3GJFET N-CH 30V 0.225W SOT23
    84Кешбэк 12 баллов
    TF412ST5GТиристор: JFET N-CH 30V 10MA SOT883
    91Кешбэк 13 баллов
    2SK932-24-TB-EТиристор: JFET N-CH 50MA 200MW CP
    93Кешбэк 13 баллов
    MMBFU310LT1GJFET N-CH 25V 0.225W SOT23-3
    97Кешбэк 14 баллов
    MMBFJ175LT3GТиристор: JFET P-CH 30V 0.225W SOT23
    97Кешбэк 14 баллов
    NSVJ3557SA3T1GJFET N-CH 15V 50MA SC59-3/CP3
    109Кешбэк 16 баллов
    CPH3910-TL-EТиристор: JFET N-CH 25V 50MA 3CPH
    112Кешбэк 16 баллов
    2SK932-23-TB-EJFET N-CH 50MA 200MW 3CP
    123Кешбэк 18 баллов
    2SK2394-6-TB-EТиристор: JFET N-CH 50MA 200MW 3CP
    127Кешбэк 19 баллов
    2SK932-22-TB-EJFET N-CH 50MA 200MW 3CP
    137Кешбэк 20 баллов
    SMMBF4393LT1GJFET N-CH 30V 0.225W SOT23-3
    150Кешбэк 22 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Одиночные триодные тиристоры
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диодные мосты
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Симисторы - Модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Модули триодных тиристоров
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы специального назначения
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторные модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Варикапы и Варакторы
    Тиристоры - SCR
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    IGBT транзисторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Полевые транзисторы - Модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Одиночные IGBT транзисторы
    Биполярные транзисторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды - ВЧ
    Модули драйверов питания
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Диодные мосты - Модули
    Высокочастотные диоды
    Тиристоры - SCR - модули
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды силовые
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Транзисторы - JFET
    Одиночные биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Сборки биполярных транзисторов
    Симисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП