Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диоды выпрямительные - Одиночные
JANTX1N5806
  • В избранное
  • В сравнение
JANTX1N5806

JANTX1N5806

JANTX1N5806
;
JANTX1N5806

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Microchip Technology
  • Артикул:
    JANTX1N5806
  • Описание:
    DIODE GEN PURP 150V 1A AXIALВсе характеристики

Минимальная цена JANTX1N5806 при покупке от 1 шт 963.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить JANTX1N5806 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание JANTX1N5806

JANTX1N5806 Microchip Technology DIODE GEN PURP 150V 1A AXIAL

  • Основные параметры:
    • Максимальное напряжение: 150В
    • Максимальный ток: 1А
    • Форм-фактор: Axial (дляSurface Mount Technology)
  • Плюсы:
    • Высокое сопротивление обратному току
    • Устойчивость к перегреву
    • Долговечность
    • Малый размер (для Surface Mount Technology)
  • Минусы:
    • Не подходит для высокочастотных приложений
    • Требует дополнительного охлаждения при высоких токах
  • Общее назначение:
    • Защита электронных схем от обратного тока
    • Преобразование напряжений
    • Регулировка напряжения
  • В каких устройствах применяется:
    • Мобильные устройства
    • Автомобили
    • Инверторы
    • Сетевые адаптеры
    • Питание электронных устройств
Выбрано: Показать

Характеристики JANTX1N5806

  • Package
    Bulk
  • Тип диода
    Standard
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    150 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    3.3A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    875 mV @ 1 A
  • Скорость
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    25 ns
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    1 µA @ 150 V
  • Емкость @ Vr, F
    25pF @ 5V, 1MHz
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    Axial
  • Исполнение корпуса
    Axial
  • Рабочая температура pn-прехода
    -65°C ~ 175°C
  • Base Product Number
    1N5806

Техническая документация

 JANTX1N5806.pdf
pdf. 0 kb
  • 8083 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    963 ₽
  • 100
    895 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Microchip Technology
  • Артикул:
    JANTX1N5806
  • Описание:
    DIODE GEN PURP 150V 1A AXIALВсе характеристики

Минимальная цена JANTX1N5806 при покупке от 1 шт 963.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить JANTX1N5806 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание JANTX1N5806

JANTX1N5806 Microchip Technology DIODE GEN PURP 150V 1A AXIAL

  • Основные параметры:
    • Максимальное напряжение: 150В
    • Максимальный ток: 1А
    • Форм-фактор: Axial (дляSurface Mount Technology)
  • Плюсы:
    • Высокое сопротивление обратному току
    • Устойчивость к перегреву
    • Долговечность
    • Малый размер (для Surface Mount Technology)
  • Минусы:
    • Не подходит для высокочастотных приложений
    • Требует дополнительного охлаждения при высоких токах
  • Общее назначение:
    • Защита электронных схем от обратного тока
    • Преобразование напряжений
    • Регулировка напряжения
  • В каких устройствах применяется:
    • Мобильные устройства
    • Автомобили
    • Инверторы
    • Сетевые адаптеры
    • Питание электронных устройств
Выбрано: Показать

Характеристики JANTX1N5806

  • Package
    Bulk
  • Тип диода
    Standard
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    150 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    3.3A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    875 mV @ 1 A
  • Скорость
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    25 ns
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    1 µA @ 150 V
  • Емкость @ Vr, F
    25pF @ 5V, 1MHz
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    Axial
  • Исполнение корпуса
    Axial
  • Рабочая температура pn-прехода
    -65°C ~ 175°C
  • Base Product Number
    1N5806

Техническая документация

 JANTX1N5806.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    GS1K-LTPDIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC
    30.4Кешбэк 4 балла
    SD103BWS-TPDIODE SCHOTTKY 30V 350MA SOD323
    30.4Кешбэк 4 балла
    BAS20-TPДиод: DIODE GEN PURP 150V 200MA SOT23
    30.4Кешбэк 4 балла
    1N5819-TPДиод: DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO41
    30.4Кешбэк 4 балла
    SD103BW-TPDIODE SCHOTTKY 30V 350MA SOD123
    32Кешбэк 4 балла
    MMBD4148WT-TPDIODE GEN PURP 75V 150MA SOT323
    32Кешбэк 4 балла
    SK14-LTPДиод: DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO214AA
    34Кешбэк 5 баллов
    RB520S-40-TPDIODE SCHOTTKY 40V 200MA SOD523
    34Кешбэк 5 баллов
    BAT54T-TPDIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT523
    34Кешбэк 5 баллов
    1N4006-TPДиод: DIODE GEN PURP 800V 1A DO41
    36Кешбэк 5 баллов
    B0530WS-TPДиод: DIODE SCHOTTKY 30V 500MA SOD323
    36Кешбэк 5 баллов
    SK12-LTPDIODE SCHOTTKY 20V 1A DO214AA
    36Кешбэк 5 баллов
    BAS70WT-TPDIODE SCHOTTKY 70V 70MA SOT323
    36Кешбэк 5 баллов
    US1JFL-TPDIODE GEN PURP 600V 1A DO221AC
    38Кешбэк 5 баллов
    ES1B-LTPDIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
    38Кешбэк 5 баллов
    1N5817-TPДиод: DIODE SCHOTTKY 20V 1A DO41
    40Кешбэк 6 баллов
    SMD16PL-TPDIODE SCHOTTKY 60V 1A SOD123FL
    40Кешбэк 6 баллов
    RB501V-40-TPDIODE SCHOTTKY 40V 100MA SOD323
    40Кешбэк 6 баллов
    SK16-LTPDIODE SCHOTTKY 60V 1A DO214AA
    44Кешбэк 6 баллов
    BAS70T-TPDIODE SCHOTTKY 70V 70MA SOT523
    44Кешбэк 6 баллов
    SD103CWS-TPDIODE SCHOTTKY 20V 350MA SOD323
    44Кешбэк 6 баллов
    SM4003PL-TPДиод: DIODE GEN PURP 200V 1A SOD123FL
    44Кешбэк 6 баллов
    B5817WS-TPДиод: DIODE SCHOTTKY 20V 1A SOD323
    44Кешбэк 6 баллов
    B5819W-TPDIODE SCHOTTKY 40V 1A SOD123
    44Кешбэк 6 баллов
    1SS400-TPDIODE GEN PURP 90V 100MA SOD523
    46Кешбэк 6 баллов
    B5818WS-TPDIODE SCHOTTKY 30V 1A SOD323
    46Кешбэк 6 баллов
    SM5819PL-TPДиод: DIODE SCHOTTKY 40V 1A SOD123FL
    46Кешбэк 6 баллов
    RB521S-30-TPDIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD523
    46Кешбэк 6 баллов
    BAS16WT-TPDIODE GEN PURP 75V 150MA SOT323
    46Кешбэк 6 баллов
    ER1J-LTPDIODE GEN PURP 600V 1A DO214AA
    47.5Кешбэк 7 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Тиристоры - SCR
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Одиночные биполярные транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Одиночные триодные тиристоры
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы специального назначения
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Модули драйверов питания
    Диоды силовые
    Диоды выпрямительные - Модули
    Тиристоры - SCR - модули
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Модули драйверов питания
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диодные мосты
    Симисторы - Модули
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Транзисторы - IGBT - модули
    Тиристоры - TRIACs
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Модули триодных тиристоров
    Транзисторные модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Сборки биполярных транзисторов
    Диоды - мостовые выпрямители
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Полевые транзисторы - Сборки
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диоды - выпрямители - массивы
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Диодные мосты - Модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    IGBT транзисторы
    Одиночные IGBT транзисторы
    Диоды - ВЧ
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Варикапы и Варакторы
    Симисторы
    Высокочастотные диоды
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП