Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диодные мосты
KBJ410G
  • В избранное
  • В сравнение
KBJ410G

KBJ410G

KBJ410G
;
KBJ410G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Diodes Incorporated
  • Артикул:
    KBJ410G
  • Описание:
    BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 4A KBJВсе характеристики

Минимальная цена KBJ410G при покупке от 1 шт 304.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить KBJ410G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание KBJ410G

KBJ410G Diodes Incorporated BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 4A KBJ — это диодный мост, используемый для преобразования переменного тока в постоянный. Основные параметры:

  • Номинальное напряжение: 1 кВ
  • Номинальный ток: 4 А
  • Тип: однофазный диодный мост

Плюсы:

  • Высокая надежность и долговечность
  • Устойчивость к перегрузкам
  • Эффективность преобразования

Минусы:

  • Необходимость дополнительных компонентов для полной защиты и стабилизации напряжения
  • Могут возникать потери при работе

Общее назначение:

  • Преобразование переменного тока в постоянный для различных приложений
  • Использование в электропитании устройств, требующих постоянного напряжения
  • Защита электронных схем от обратного напряжения

В каких устройствах применяется:

  • Автомобильных системах питания
  • Промышленных преобразователях частоты
  • Системах управления светильниками
  • Питании электроники потребителей
Выбрано: Показать

Характеристики KBJ410G

  • Тип диода
    Single Phase
  • Технология
    Standard
  • Обратное Напряжение (Макс)
    1 kV
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    4 A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1 V @ 2 A
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    5 µA @ 1000 V
  • Рабочая температура
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    4-SIP, KBJ
  • Исполнение корпуса
    KBJ
  • Base Product Number
    KBJ410

Техническая документация

 KBJ410G.pdf
pdf. 0 kb
  • 46 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    304 ₽
  • 10
    173 ₽
  • 100
    147 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Diodes Incorporated
  • Артикул:
    KBJ410G
  • Описание:
    BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 4A KBJВсе характеристики

Минимальная цена KBJ410G при покупке от 1 шт 304.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить KBJ410G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание KBJ410G

KBJ410G Diodes Incorporated BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 4A KBJ — это диодный мост, используемый для преобразования переменного тока в постоянный. Основные параметры:

  • Номинальное напряжение: 1 кВ
  • Номинальный ток: 4 А
  • Тип: однофазный диодный мост

Плюсы:

  • Высокая надежность и долговечность
  • Устойчивость к перегрузкам
  • Эффективность преобразования

Минусы:

  • Необходимость дополнительных компонентов для полной защиты и стабилизации напряжения
  • Могут возникать потери при работе

Общее назначение:

  • Преобразование переменного тока в постоянный для различных приложений
  • Использование в электропитании устройств, требующих постоянного напряжения
  • Защита электронных схем от обратного напряжения

В каких устройствах применяется:

  • Автомобильных системах питания
  • Промышленных преобразователях частоты
  • Системах управления светильниками
  • Питании электроники потребителей
Выбрано: Показать

Характеристики KBJ410G

  • Тип диода
    Single Phase
  • Технология
    Standard
  • Обратное Напряжение (Макс)
    1 kV
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    4 A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1 V @ 2 A
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    5 µA @ 1000 V
  • Рабочая температура
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    4-SIP, KBJ
  • Исполнение корпуса
    KBJ
  • Base Product Number
    KBJ410

Техническая документация

 KBJ410G.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    DF204-GBRIDGE RECT 1PHASE 400V 2A 4-DF
    193Кешбэк 28 баллов
    DF206-GBRIDGE RECT 1PHASE 600V 2A 4-DF
    193Кешбэк 28 баллов
    CDBHM1100L-HFBRIDGE RECT 1PHASE 100V 1A MBS
    198Кешбэк 29 баллов
    DF206ST-GBRIDGE RECT 1PHASE 600V 2A DFS
    200Кешбэк 30 баллов
    DF206S-GДиод: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2A DFS
    200Кешбэк 30 баллов
    DF204S-GBRIDGE RECT 1PHASE 400V 2A DFS
    206Кешбэк 30 баллов
    DF2005S-GBRIDGE RECT 1PHASE 50V 2A DFS
    208Кешбэк 31 балл
    DF202S-GBRIDGE RECT 1PHASE 200V 2A DFS
    208Кешбэк 31 балл
    DF208S-GBRIDGE RECT 1PHASE 800V 2A DFS
    208Кешбэк 31 балл
    DF1510S-GBRIDGE RECT 1PHASE 1KV 1.5A DFS
    208Кешбэк 31 балл
    KBP210G-GBRIDGE RECT 1PHASE 1KV 2A KBP
    212Кешбэк 31 балл
    KBP206G-GBRIDGE RECT 1PHASE 600V 2A KBP
    212Кешбэк 31 балл
    KBP204G-GBRIDGE RECT 1PHASE 400V 2A KBP
    212Кешбэк 31 балл
    KBP201G-GДиод: BRIDGE RECT 1PHASE 100V 2A KBP
    212Кешбэк 31 балл
    KBP2005G-GBRIDGE RECT 1PHASE 50V 2A KBP
    216Кешбэк 32 балла
    KBP208G-GBRIDGE RECT 1PHASE 800V 2A KBP
    216Кешбэк 32 балла
    CDBHM1100L-GBRIDGE RECT 1PHASE 100V 1A MBS
    218Кешбэк 32 балла
    CDBHM120L-GBRIDGE RECT 1PHASE 20V 1A MBS
    218Кешбэк 32 балла
    CDBHM140L-GBRIDGE RECT 1PHASE 40V 1A MBS
    218Кешбэк 32 балла
    CDBHM160L-HFBRIDGE RECT 1PHASE 60V 1A MBS
    231Кешбэк 34 балла
    CDBHM140L-HFBRIDGE RECT 1PHASE 40V 1A MBS
    231Кешбэк 34 балла
    Z4GP208-HFBRIDGE RECT 1PHASE 800V 2A ABS
    241Кешбэк 36 баллов
    Z4GP206-HFBRIDGE RECT 1PHASE 600V 2A ABS
    241Кешбэк 36 баллов
    CDBHM260L-HFBRIDGE RECT 1PHASE 60V 2A MBS-2
    246Кешбэк 36 баллов
    CDBHM2100L-HFBRIDGE RECT 1PHASE 100V 2A MBS-2
    246Кешбэк 36 баллов
    CDBHM240L-HFBRIDGE RECT 1PHASE 40V 2A MBS-2
    246Кешбэк 36 баллов
    CDBHM250L-HFBRIDGE RECT 1PHASE 50V 2A MBS-2
    246Кешбэк 36 баллов
    CDBHM230L-HFBRIDGE RECT 1PHASE 30V 2A MBS-2
    246Кешбэк 36 баллов
    CDBHM230L-GBRIDGE RECT 1PHASE 30V 2A MBS-2
    246Кешбэк 36 баллов
    Z4GP210-HFBRIDGE RECT 1PHASE 1KV 2A ABS
    248Кешбэк 37 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Одиночные биполярные транзисторы
    Транзисторы - JFET
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Тиристоры - TRIACs
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Одиночные IGBT транзисторы
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Одиночные триодные тиристоры
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы специального назначения
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Симисторы
    Модули триодных тиристоров
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Варикапы и Варакторы
    Симисторы - Модули
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диодные мосты
    IGBT транзисторы
    Тиристоры - SCR
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Диоды - выпрямители - массивы
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Модули драйверов питания
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Высокочастотные диоды
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторные модули
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Биполярные транзисторы
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Модули драйверов питания
    Диоды - ВЧ
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Сборки биполярных транзисторов
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды силовые
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП