Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диодные мосты
KBL404G
  • В избранное
  • В сравнение
KBL404G

KBL404G

KBL404G
;
KBL404G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    GeneSiC Semiconductor
  • Артикул:
    KBL404G
  • Описание:
    BRIDGE RECT 1PHASE 400V 4A KBLВсе характеристики

Минимальная цена KBL404G при покупке от 1 шт 291.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить KBL404G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание KBL404G

KBL404G GeneSiC Semiconductor BRIDGE RECT 1PHASE 400V 4A KBL — это компонент, предназначенный для использования в электронных схемах, особенно в приложениях с одноразъемной схемой подключения (1фаза). Основные параметры:

  • Номинальное напряжение: 400В
  • Номинальный ток: 4А
  • Тип: мостовой диод

Плюсы:

  • Высокая надежность: диоды на базе GaN (Ганидрия) обеспечивают длительный срок службы и стабильную работу.
  • Высокая частота работы: подходит для высокочастотных приложений благодаря низкому временам перехода.
  • Энергоэффективность: снижает потери энергии в процессе преобразования.

Минусы:

  • Высокая стоимость: диоды на основе GaN обычно дороже традиционных диодов.
  • Требуют специальных условий установки: могут требовать дополнительного охлаждения или защиты от электромагнитных помех.

Общее назначение и применение:

  • Преобразование напряжений: используется для преобразования переменного тока в постоянный.
  • Электронные блоки питания: подходит для модулей блоков питания, работающих на высокой частоте.
  • Автомобильная электроника: может использоваться в системах зарядки аккумуляторов и других приборах.
Выбрано: Показать

Характеристики KBL404G

  • Тип диода
    Single Phase
  • Технология
    Standard
  • Обратное Напряжение (Макс)
    400 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    4 A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.1 V @ 4 A
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    10 µA @ 400 V
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    4-SIP, KBL
  • Исполнение корпуса
    KBL
  • Base Product Number
    KBL404

Техническая документация

 KBL404G.pdf
pdf. 0 kb
  • 945 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    291 ₽
  • 10
    201 ₽
  • 25
    176 ₽
  • 250
    123 ₽
  • 1000
    99 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    GeneSiC Semiconductor
  • Артикул:
    KBL404G
  • Описание:
    BRIDGE RECT 1PHASE 400V 4A KBLВсе характеристики

Минимальная цена KBL404G при покупке от 1 шт 291.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить KBL404G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание KBL404G

KBL404G GeneSiC Semiconductor BRIDGE RECT 1PHASE 400V 4A KBL — это компонент, предназначенный для использования в электронных схемах, особенно в приложениях с одноразъемной схемой подключения (1фаза). Основные параметры:

  • Номинальное напряжение: 400В
  • Номинальный ток: 4А
  • Тип: мостовой диод

Плюсы:

  • Высокая надежность: диоды на базе GaN (Ганидрия) обеспечивают длительный срок службы и стабильную работу.
  • Высокая частота работы: подходит для высокочастотных приложений благодаря низкому временам перехода.
  • Энергоэффективность: снижает потери энергии в процессе преобразования.

Минусы:

  • Высокая стоимость: диоды на основе GaN обычно дороже традиционных диодов.
  • Требуют специальных условий установки: могут требовать дополнительного охлаждения или защиты от электромагнитных помех.

Общее назначение и применение:

  • Преобразование напряжений: используется для преобразования переменного тока в постоянный.
  • Электронные блоки питания: подходит для модулей блоков питания, работающих на высокой частоте.
  • Автомобильная электроника: может использоваться в системах зарядки аккумуляторов и других приборах.
Выбрано: Показать

Характеристики KBL404G

  • Тип диода
    Single Phase
  • Технология
    Standard
  • Обратное Напряжение (Макс)
    400 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    4 A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.1 V @ 4 A
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    10 µA @ 400 V
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    4-SIP, KBL
  • Исполнение корпуса
    KBL
  • Base Product Number
    KBL404

Техническая документация

 KBL404G.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    GBJ2508-FBRIDGE RECT 1PHASE 800V 25A GBJ
    526Кешбэк 78 баллов
    GBJ2010-FДиод: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 20A GBJ
    555Кешбэк 83 балла
    GBJ2510-FДиод: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 25A GBJ
    574Кешбэк 86 баллов
    GBJ15005-FBRIDGE RECT 1PHASE 50V 15A GBJ
    574Кешбэк 86 баллов
    GBJ608-FBRIDGE RECT 1PHASE 800V 6A GBJ
    577Кешбэк 86 баллов
    3N250BRIDGE RECTIFIER DIODE
    85Кешбэк 12 баллов
    3N258BRIDGE RECTIFIER DIODE
    158Кешбэк 23 балла
    KBU6GBRIDGE RECT 1PHASE 400V 6A KBU
    112Кешбэк 16 баллов
    KBU8GДиод: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 8A KBU
    118Кешбэк 17 баллов
    DB103GBRIDGE RECT 1PHASE 200V 1A DB
    247Кешбэк 37 баллов
    KBL406GBRIDGE RECT 1PHASE 600V 4A KBL
    291Кешбэк 43 балла
    GBU6BДиод: BRIDGE RECT 1PHASE 100V 6A GBU
    291Кешбэк 43 балла
    KBL404GBRIDGE RECT 1PHASE 400V 4A KBL
    291Кешбэк 43 балла
    KBL604GBRIDGE RECT 1PHASE 400V 6A KBL
    302Кешбэк 45 баллов
    GBU10ABRIDGE RECT 1PHASE 50V 10A GBU
    308Кешбэк 46 баллов
    GBU10JBRIDGE RECT 1PHASE 600V 10A GBU
    310Кешбэк 46 баллов
    KBU6MДиод: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 6A KBU
    334Кешбэк 50 баллов
    KBU6DBRIDGE RECT 1PHASE 200V 6A KBU
    334Кешбэк 50 баллов
    KBU6BBRIDGE RECT 1PHASE 100V 6A KBU
    334Кешбэк 50 баллов
    KBU6KBRIDGE RECT 1PHASE 800V 6A KBU
    334Кешбэк 50 баллов
    KBU6JBRIDGE RECT 1PHASE 600V 6A KBU
    336Кешбэк 50 баллов
    KBU8MДиод: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 8A KBU
    344Кешбэк 51 балл
    BR62BRIDGE RECT 1PHASE 200V 6A BR-6
    346Кешбэк 51 балл
    KBU8JBRIDGE RECT 1PHASE 600V 8A KBU
    346Кешбэк 51 балл
    KBU8KBRIDGE RECT 1PHASE 800V 8A KBU
    382Кешбэк 57 баллов
    BR82BRIDGE RECT 1PHASE 200V 8A BR-8
    384Кешбэк 57 баллов
    BR88BRIDGE RECT 1PHASE 800V 8A BR-8
    384Кешбэк 57 баллов
    KBJ25005GBRIDGE RECT 1PHASE 50V 25A KBJ
    386Кешбэк 57 баллов
    KBPC1502WBRIDGE RECT 1P 200V 15A KBPC-W
    710Кешбэк 106 баллов
    KBPC15005WBRIDGE RECT 1P 50V 15A KBPC-W
    710Кешбэк 106 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диодные мосты - Модули
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Высокочастотные полевые транзисторы
    IGBT транзисторы
    Диоды - ВЧ
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Транзисторы - IGBT - модули
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Симисторы
    Симисторы - Модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Тиристоры - SCR
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Тиристоры - TRIACs
    Одиночные триодные тиристоры
    Диоды силовые
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - JFET
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Сборки биполярных транзисторов
    Модули драйверов питания
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторные модули
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Биполярные транзисторы
    Диодные мосты
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Одиночные IGBT транзисторы
    Модули триодных тиристоров
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Высокочастотные диоды
    Одиночные биполярные транзисторы
    Модули драйверов питания
    Полевые транзисторы - Сборки
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы специального назначения
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП