Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диодные мосты
KBL410-G
  • В избранное
  • В сравнение
KBL410-G

KBL410-G

KBL410-G
;
KBL410-G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Comchip Technology
  • Артикул:
    KBL410-G
  • Описание:
    BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 4A KBLВсе характеристики

Минимальная цена KBL410-G при покупке от 1 шт 315.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить KBL410-G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание KBL410-G

KBL410-G Comchip Technology BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 4A KBL — это диодный мост для преобразования переменного тока в постоянный. Основные параметры:

  • Номинальное напряжение: 1 кВ
  • Номинальная сила тока: 4 А
  • Количество фаз: 1

Плюсы:

  • Высокая надежность работы
  • Устойчивость к перенапряжениям
  • Малый размер и легкость
  • Долгий срок службы

Минусы:

  • Неэффективность при частотах выше 50 Гц
  • Тепловые потери во время работы
  • Необходимость использования термозащиты

Общее назначение: Преобразование переменного тока в постоянный для различных устройств.

Применяется в:

  • Электронных блоках питания
  • Переносных зарядных устройствах
  • Автомобильных аккумуляторах
  • Иllumination systems (системах освещения)
  • Промышленных устройствах
Выбрано: Показать

Характеристики KBL410-G

  • Тип диода
    Single Phase
  • Технология
    Standard
  • Обратное Напряжение (Макс)
    1 kV
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    4 A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.1 V @ 4 A
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    10 µA @ 1000 V
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    4-SIP, KBL
  • Исполнение корпуса
    KBL
  • Base Product Number
    KBL410

Техническая документация

 KBL410-G.pdf
pdf. 0 kb
  • 258 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    315 ₽
  • 10
    201 ₽
  • 100
    135 ₽
  • 1000
    92 ₽
  • 5000
    89 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Comchip Technology
  • Артикул:
    KBL410-G
  • Описание:
    BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 4A KBLВсе характеристики

Минимальная цена KBL410-G при покупке от 1 шт 315.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить KBL410-G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание KBL410-G

KBL410-G Comchip Technology BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 4A KBL — это диодный мост для преобразования переменного тока в постоянный. Основные параметры:

  • Номинальное напряжение: 1 кВ
  • Номинальная сила тока: 4 А
  • Количество фаз: 1

Плюсы:

  • Высокая надежность работы
  • Устойчивость к перенапряжениям
  • Малый размер и легкость
  • Долгий срок службы

Минусы:

  • Неэффективность при частотах выше 50 Гц
  • Тепловые потери во время работы
  • Необходимость использования термозащиты

Общее назначение: Преобразование переменного тока в постоянный для различных устройств.

Применяется в:

  • Электронных блоках питания
  • Переносных зарядных устройствах
  • Автомобильных аккумуляторах
  • Иllumination systems (системах освещения)
  • Промышленных устройствах
Выбрано: Показать

Характеристики KBL410-G

  • Тип диода
    Single Phase
  • Технология
    Standard
  • Обратное Напряжение (Макс)
    1 kV
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    4 A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.1 V @ 4 A
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    10 µA @ 1000 V
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    4-SIP, KBL
  • Исполнение корпуса
    KBL
  • Base Product Number
    KBL410

Техническая документация

 KBL410-G.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    CDBHM140L-HFBRIDGE RECT 1PHASE 40V 1A MBS
    228Кешбэк 34 балла
    Z4GP208-HFBRIDGE RECT 1PHASE 800V 2A ABS
    237Кешбэк 35 баллов
    Z4GP206-HFBRIDGE RECT 1PHASE 600V 2A ABS
    237Кешбэк 35 баллов
    CDBHM260L-HFBRIDGE RECT 1PHASE 60V 2A MBS-2
    243Кешбэк 36 баллов
    CDBHM2100L-HFBRIDGE RECT 1PHASE 100V 2A MBS-2
    243Кешбэк 36 баллов
    CDBHM240L-HFBRIDGE RECT 1PHASE 40V 2A MBS-2
    243Кешбэк 36 баллов
    CDBHM250L-HFBRIDGE RECT 1PHASE 50V 2A MBS-2
    243Кешбэк 36 баллов
    CDBHM230L-HFBRIDGE RECT 1PHASE 30V 2A MBS-2
    243Кешбэк 36 баллов
    CDBHM230L-GBRIDGE RECT 1PHASE 30V 2A MBS-2
    243Кешбэк 36 баллов
    Z4GP210-HFBRIDGE RECT 1PHASE 1KV 2A ABS
    245Кешбэк 36 баллов
    Z4GP206L-HFBRIDGE RECT 1PHASE 600V 2A ABS
    247Кешбэк 37 баллов
    Z4GP210L-HFBRIDGE RECT 1PHASE 1KV 2A ABS
    254Кешбэк 38 баллов
    KBL406-GДиод: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 4A KBL
    292Кешбэк 43 балла
    KBL410-GBRIDGE RECT 1PHASE 1KV 4A KBL
    315Кешбэк 47 баллов
    GBL08-GBRIDGE RECT 1PHASE 800V 4A GBJ
    328Кешбэк 49 баллов
    CDBHD140L-GBRIDGE RECT 1P 40V 1A MINI-DIP
    338Кешбэк 50 баллов
    KBL404-GBRIDGE RECT 1PHASE 400V 4A KBL
    343Кешбэк 51 балл
    KBL408-GBRIDGE RECT 1PHASE 800V 4A KBL
    353Кешбэк 52 балла
    KBL401-GBRIDGE RECT 1PHASE 100V 4A KBL
    361Кешбэк 54 балла
    KBL4005-GBRIDGE RECT 1PHASE 50V 4A KBL
    361Кешбэк 54 балла
    KBL402-GBRIDGE RECT 1PHASE 200V 4A KBL
    361Кешбэк 54 балла
    GBU401-GBRIDGE RECT 1PHASE 100V 4A GBU
    364Кешбэк 54 балла
    GBU606-GBRIDGE RECT 1PHASE 600V 6A GBU
    364Кешбэк 54 балла
    GBU602-GBRIDGE RECT 1PHASE 200V 6A GBU
    364Кешбэк 54 балла
    GBU410-GBRIDGE RECT 1PHASE 1KV 4A GBU
    364Кешбэк 54 балла
    GBU608-GBRIDGE RECT 1PHASE 800V 6A GBU
    364Кешбэк 54 балла
    GBU610-GBRIDGE RECT 1PHASE 1KV 6A GBU
    366Кешбэк 54 балла
    Z4DGP406L-HFBRIDGE RECT 1PHASE 600V 4A Z4-D
    374Кешбэк 56 баллов
    CDBHD1100L-GBRIDGE RECT 1P 100V 1A MINI-DIP
    374Кешбэк 56 баллов
    CDBHD240-GBRIDGE RECT 1P 40V 2A MINI-DIP
    376Кешбэк 56 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Транзисторные модули
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Тиристоры - SCR - модули
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Модули триодных тиристоров
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Тиристоры - SCR
    Полевые транзисторы - Сборки
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды - ВЧ
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Одиночные триодные тиристоры
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Симисторы - Модули
    Диодные мосты
    Сборки биполярных транзисторов
    Симисторы
    Модули драйверов питания
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы специального назначения
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    IGBT транзисторы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Модули драйверов питания
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диоды силовые
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - JFET
    Диодные мосты - Модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды выпрямительные - Модули
    Одиночные IGBT транзисторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Одиночные биполярные транзисторы
    Варикапы и Варакторы
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП