Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диодные мосты
KBP08G
  • В избранное
  • В сравнение
KBP08G

KBP08G

KBP08G
;
KBP08G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Diodes Incorporated
  • Артикул:
    KBP08G
  • Описание:
    BRIDGE RECT 1PHASE 800V 1.5A KBPВсе характеристики

Минимальная цена KBP08G при покупке от 1 шт 142.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить KBP08G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание KBP08G

KBP08G Diodes Incorporated BRIDGE RECT 1PHASE 800V 1.5A KBP — это диодный мост для однолинейной цепи с напряжением до 800 В и током до 1.5 А.

  • Основные параметры:
    • Напряжение срабатывания: 800 В
    • Рейтингный ток: 1.5 А
    • Количество диодов: 4
    • Тип: BRIDGE RECT (мостовая резисторная схема)
    • Форм-фактор: KBP
  • Плюсы:
    • Высокая надежность работы при высоком напряжении
    • Устойчивость к перегрузкам
    • Малый размер и легкость
    • Экономичность
  • Минусы:
    • Сложность в проектировании и монтаже
    • Необходимость дополнительного охлаждения при больших нагрузках
  • Общее назначение:
    • Преобразование переменного тока в постоянный
    • Защита электронных устройств от обратного тока
    • Регулировка напряжения
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы зарядки аккумуляторов
    • Источники питания
    • Оборудование для обработки сигналов
    • Промышленное оборудование
    • Энергосберегающие приборы
Выбрано: Показать

Характеристики KBP08G

  • Тип диода
    Single Phase
  • Технология
    Standard
  • Обратное Напряжение (Макс)
    800 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    1.5 A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.1 V @ 1.5 A
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    5 µA @ 800 V
  • Рабочая температура
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    4-SIP, KBP
  • Исполнение корпуса
    KBP
  • Base Product Number
    KBP08

Техническая документация

 KBP08G.pdf
pdf. 0 kb
  • 495 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    142 ₽
  • 105
    60 ₽
  • 1015
    41 ₽
  • 5005
    40 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Diodes Incorporated
  • Артикул:
    KBP08G
  • Описание:
    BRIDGE RECT 1PHASE 800V 1.5A KBPВсе характеристики

Минимальная цена KBP08G при покупке от 1 шт 142.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить KBP08G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание KBP08G

KBP08G Diodes Incorporated BRIDGE RECT 1PHASE 800V 1.5A KBP — это диодный мост для однолинейной цепи с напряжением до 800 В и током до 1.5 А.

  • Основные параметры:
    • Напряжение срабатывания: 800 В
    • Рейтингный ток: 1.5 А
    • Количество диодов: 4
    • Тип: BRIDGE RECT (мостовая резисторная схема)
    • Форм-фактор: KBP
  • Плюсы:
    • Высокая надежность работы при высоком напряжении
    • Устойчивость к перегрузкам
    • Малый размер и легкость
    • Экономичность
  • Минусы:
    • Сложность в проектировании и монтаже
    • Необходимость дополнительного охлаждения при больших нагрузках
  • Общее назначение:
    • Преобразование переменного тока в постоянный
    • Защита электронных устройств от обратного тока
    • Регулировка напряжения
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы зарядки аккумуляторов
    • Источники питания
    • Оборудование для обработки сигналов
    • Промышленное оборудование
    • Энергосберегающие приборы
Выбрано: Показать

Характеристики KBP08G

  • Тип диода
    Single Phase
  • Технология
    Standard
  • Обратное Напряжение (Макс)
    800 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    1.5 A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.1 V @ 1.5 A
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    5 µA @ 800 V
  • Рабочая температура
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    4-SIP, KBP
  • Исполнение корпуса
    KBP
  • Base Product Number
    KBP08

Техническая документация

 KBP08G.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    DF02MBRIDGE RECT 1PHASE 200KV 1A DFM
    82Кешбэк 12 баллов
    DF04MBRIDGE RECT 1PHASE 400V 1A DFM
    85Кешбэк 12 баллов
    HD04-TBRIDGE RECT 1P 400V 800MA 4-DIP
    95Кешбэк 14 баллов
    HD01-TBRIDGE RECT 1P 100V 800MA 4-DIP
    101Кешбэк 15 баллов
    HD02-TBRIDGE RECT 1P 200V 800MA 4-DIP
    101Кешбэк 15 баллов
    DF1501S-TBRIDGE RECT 1P 100V 1.5A DF-S
    102Кешбэк 15 баллов
    HD06-TBRIDGE RECT 1P 600V 800MA 4-DIP
    111Кешбэк 16 баллов
    DF01S-TBRIDGE RECT 1PHASE 100V 1A DF-S
    111Кешбэк 16 баллов
    DF005MДиод: BRIDGE RECT 1PHASE 50V 1A DFM
    116Кешбэк 17 баллов
    DF005S-TBRIDGE RECT 1PHASE 50V 1A DF-S
    118Кешбэк 17 баллов
    DF02S-TBRIDGE RECT 1PHASE 200V 1A DF-S
    118Кешбэк 17 баллов
    DF04S-TBRIDGE RECT 1PHASE 400V 1A DF-S
    118Кешбэк 17 баллов
    DF06S-TBRIDGE RECT 1PHASE 600V 1A DF-S
    121Кешбэк 18 баллов
    DF1502S-TBRIDGE RECT 1P 200V 1.5A DF-S
    123Кешбэк 18 баллов
    KBP2005GBRIDGE RECT 1PHASE 50V 2A KBP
    129Кешбэк 19 баллов
    DF10MBRIDGE RECT 1PHASE 1KV 1A DFM
    131Кешбэк 19 баллов
    DF1504S-TBRIDGE RECT 1P 400V 1.5A DF-S
    132Кешбэк 19 баллов
    DF1510S-TДиод: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 1.5A DF-S
    134Кешбэк 20 баллов
    SDA006-7BRIDGE RECT 3P 75V 215MA SOT363
    135Кешбэк 20 баллов
    KBP01GBRIDGE RECT 1PHASE 100V 1.5A KBP
    135Кешбэк 20 баллов
    KBP02GBRIDGE RECT 1PHASE 200V 1.5A KBP
    135Кешбэк 20 баллов
    KBP005GBRIDGE RECT 1PHASE 50V 1.5A KBP
    135Кешбэк 20 баллов
    KBP201GДиод: BRIDGE RECT 1PHASE 50V 2A KBP
    136Кешбэк 20 баллов
    DF08S-TBRIDGE RECT 1PHASE 800V 1A DF-S
    137Кешбэк 20 баллов
    DF08MДиод: BRIDGE RECT 1PHASE 800KV 1A DFM
    137Кешбэк 20 баллов
    DF15005S-TBRIDGE RECT 1PHASE 50V 1.5A DF-S
    140Кешбэк 21 балл
    DF10S-TBRIDGE RECT 1PHASE 1KV 1A DF-S
    140Кешбэк 21 балл
    KBP04GBRIDGE RECT 1PHASE 400V 1.5A KBP
    142Кешбэк 21 балл
    KBP08GBRIDGE RECT 1PHASE 800V 1.5A KBP
    142Кешбэк 21 балл
    KBP06GBRIDGE RECT 1PHASE 600V 1.5A KBP
    156Кешбэк 23 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диодные мосты
    Диоды - выпрямители - массивы
    Программируемые однопереходные транзисторы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диодные мосты - Модули
    Биполярные транзисторы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Сборки биполярных транзисторов
    Диоды - ВЧ
    Модули триодных тиристоров
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Тиристоры - SCR - модули
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Транзисторы - IGBT - модули
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Модули драйверов питания
    Симисторы - Модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Симисторы
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Одиночные триодные тиристоры
    Тиристоры - TRIACs
    Полевые транзисторы - Сборки
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды силовые
    Одиночные IGBT транзисторы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Высокочастотные диоды
    Транзисторные модули
    Полевые транзисторы - Модули
    Модули драйверов питания
    Транзисторы специального назначения
    Транзисторы - JFET
    Тиристоры - SCR
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Варикапы и Варакторы
    Одиночные биполярные транзисторы
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    IGBT транзисторы
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП