Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диодные мосты
KBP2005G
  • В избранное
  • В сравнение
KBP2005G

KBP2005G

KBP2005G
;
KBP2005G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Diodes Incorporated
  • Артикул:
    KBP2005G
  • Описание:
    BRIDGE RECT 1PHASE 50V 2A KBPВсе характеристики

Минимальная цена KBP2005G при покупке от 1 шт 129.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить KBP2005G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание KBP2005G

KBP2005G Diodes Incorporated BRIDGE RECT 1PHASE 50V 2A KBP — это диодный мост, предназначенный для преобразования переменного напряжения в постоянное.

  • Основные параметры:
    • Тип: Диодный мост
    • Количество фаз: 1фаза
    • Номинальное напряжение: 50В
    • Номинальный ток: 2А
  • Плюсы:
    • Высокая надежность
    • Малый размер
    • Эффективность преобразования
    • Простота использования
  • Минусы:
    • Затрудненность регулирования напряжения
    • Необходимость дополнительных компонентов для полной схемы
  • Общее назначение:
    • Преобразование переменного напряжения в постоянное
    • Упрощение схем электронных устройств
    • Снижение потребления энергии
  • В каких устройствах применяется:
    • Электронные блоки питания
    • Автомобильные системы
    • Медицинское оборудование
    • Промышленное оборудование
    • Измерительная техника
Выбрано: Показать

Характеристики KBP2005G

  • Тип диода
    Single Phase
  • Технология
    Standard
  • Обратное Напряжение (Макс)
    50 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    2 A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.1 V @ 2 A
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    5 µA @ 50 V
  • Рабочая температура
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    4-SIP, KBP
  • Исполнение корпуса
    KBP
  • Base Product Number
    KBP2005

Техническая документация

 KBP2005G.pdf
pdf. 0 kb
  • 2543 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    129 ₽
  • 105
    53 ₽
  • 1015
    35.5 ₽
  • 5005
    33 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Diodes Incorporated
  • Артикул:
    KBP2005G
  • Описание:
    BRIDGE RECT 1PHASE 50V 2A KBPВсе характеристики

Минимальная цена KBP2005G при покупке от 1 шт 129.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить KBP2005G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание KBP2005G

KBP2005G Diodes Incorporated BRIDGE RECT 1PHASE 50V 2A KBP — это диодный мост, предназначенный для преобразования переменного напряжения в постоянное.

  • Основные параметры:
    • Тип: Диодный мост
    • Количество фаз: 1фаза
    • Номинальное напряжение: 50В
    • Номинальный ток: 2А
  • Плюсы:
    • Высокая надежность
    • Малый размер
    • Эффективность преобразования
    • Простота использования
  • Минусы:
    • Затрудненность регулирования напряжения
    • Необходимость дополнительных компонентов для полной схемы
  • Общее назначение:
    • Преобразование переменного напряжения в постоянное
    • Упрощение схем электронных устройств
    • Снижение потребления энергии
  • В каких устройствах применяется:
    • Электронные блоки питания
    • Автомобильные системы
    • Медицинское оборудование
    • Промышленное оборудование
    • Измерительная техника
Выбрано: Показать

Характеристики KBP2005G

  • Тип диода
    Single Phase
  • Технология
    Standard
  • Обратное Напряжение (Макс)
    50 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    2 A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.1 V @ 2 A
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    5 µA @ 50 V
  • Рабочая температура
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    4-SIP, KBP
  • Исполнение корпуса
    KBP
  • Base Product Number
    KBP2005

Техническая документация

 KBP2005G.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    DF02MBRIDGE RECT 1PHASE 200KV 1A DFM
    82Кешбэк 12 баллов
    DF04MBRIDGE RECT 1PHASE 400V 1A DFM
    85Кешбэк 12 баллов
    HD04-TBRIDGE RECT 1P 400V 800MA 4-DIP
    95Кешбэк 14 баллов
    HD01-TBRIDGE RECT 1P 100V 800MA 4-DIP
    101Кешбэк 15 баллов
    HD02-TBRIDGE RECT 1P 200V 800MA 4-DIP
    101Кешбэк 15 баллов
    DF1501S-TBRIDGE RECT 1P 100V 1.5A DF-S
    102Кешбэк 15 баллов
    HD06-TBRIDGE RECT 1P 600V 800MA 4-DIP
    111Кешбэк 16 баллов
    DF01S-TBRIDGE RECT 1PHASE 100V 1A DF-S
    111Кешбэк 16 баллов
    DF005MДиод: BRIDGE RECT 1PHASE 50V 1A DFM
    116Кешбэк 17 баллов
    DF005S-TBRIDGE RECT 1PHASE 50V 1A DF-S
    118Кешбэк 17 баллов
    DF02S-TBRIDGE RECT 1PHASE 200V 1A DF-S
    118Кешбэк 17 баллов
    DF04S-TBRIDGE RECT 1PHASE 400V 1A DF-S
    118Кешбэк 17 баллов
    DF06S-TBRIDGE RECT 1PHASE 600V 1A DF-S
    121Кешбэк 18 баллов
    DF1502S-TBRIDGE RECT 1P 200V 1.5A DF-S
    123Кешбэк 18 баллов
    KBP2005GBRIDGE RECT 1PHASE 50V 2A KBP
    129Кешбэк 19 баллов
    DF10MBRIDGE RECT 1PHASE 1KV 1A DFM
    131Кешбэк 19 баллов
    DF1504S-TBRIDGE RECT 1P 400V 1.5A DF-S
    132Кешбэк 19 баллов
    DF1510S-TДиод: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 1.5A DF-S
    134Кешбэк 20 баллов
    SDA006-7BRIDGE RECT 3P 75V 215MA SOT363
    135Кешбэк 20 баллов
    KBP01GBRIDGE RECT 1PHASE 100V 1.5A KBP
    135Кешбэк 20 баллов
    KBP02GBRIDGE RECT 1PHASE 200V 1.5A KBP
    135Кешбэк 20 баллов
    KBP005GBRIDGE RECT 1PHASE 50V 1.5A KBP
    135Кешбэк 20 баллов
    KBP201GДиод: BRIDGE RECT 1PHASE 50V 2A KBP
    136Кешбэк 20 баллов
    DF08S-TBRIDGE RECT 1PHASE 800V 1A DF-S
    137Кешбэк 20 баллов
    DF08MДиод: BRIDGE RECT 1PHASE 800KV 1A DFM
    137Кешбэк 20 баллов
    DF15005S-TBRIDGE RECT 1PHASE 50V 1.5A DF-S
    140Кешбэк 21 балл
    DF10S-TBRIDGE RECT 1PHASE 1KV 1A DF-S
    140Кешбэк 21 балл
    KBP04GBRIDGE RECT 1PHASE 400V 1.5A KBP
    142Кешбэк 21 балл
    KBP08GBRIDGE RECT 1PHASE 800V 1.5A KBP
    142Кешбэк 21 балл
    KBP06GBRIDGE RECT 1PHASE 600V 1.5A KBP
    156Кешбэк 23 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Сборки биполярных транзисторов
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Полевые транзисторы - Сборки
    Модули драйверов питания
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды силовые
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды - мостовые выпрямители
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Модули драйверов питания
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диодные мосты
    Модули триодных тиристоров
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Одиночные биполярные транзисторы
    Одиночные IGBT транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторные модули
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - JFET
    Высокочастотные диоды
    Одиночные триодные тиристоры
    Биполярные транзисторы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диодные мосты - Модули
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    IGBT транзисторы
    Тиристоры - SCR
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Варикапы и Варакторы
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы специального назначения
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды - ВЧ
    Симисторы
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП