Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диодные мосты
KBPC3506T
  • В избранное
  • В сравнение
KBPC3506T

KBPC3506T

KBPC3506T
;
KBPC3506T

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    GeneSiC Semiconductor
  • Артикул:
    KBPC3506T
  • Описание:
    BRIDGE RECT 1PHASE 600V 35A KBPCВсе характеристики

Минимальная цена KBPC3506T при покупке от 1 шт 795.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить KBPC3506T с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание KBPC3506T

KBPC3506T GeneSiC Semiconductor BRIDGE RECT 1PHASE 600V 35A KBPC

  • Основные параметры:
    • Напряжение: 600В
    • Ток: 35А
    • Фаза: 1фаза
    • Тип: мостовой резистор
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность из-за использования SiC-технологии
    • Малый размер и вес
    • Высокий КПД
    • Устойчивость к перегреву и перенапряжению
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с традиционными материалами
    • Необходимость специального оборудования для монтажа и обслуживания
  • Общее назначение:
    • Преобразование переменного тока в постоянный
    • Использование в высоковольтных системах
    • Работа в условиях высокого нагрева
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные инверторы
    • Системы хранения энергии
    • Маршрутизаторы и преобразователи энергии
    • Высоковольтные источники питания
    • Солнечные системы и другие возобновляемые источники энергии
Выбрано: Показать

Характеристики KBPC3506T

  • Тип диода
    Single Phase
  • Технология
    Standard
  • Обратное Напряжение (Макс)
    600 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    35 A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.1 V @ 17.5 A
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    5 µA @ 600 V
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    QC Terminal
  • Корпус
    4-Square, KBPC-T
  • Исполнение корпуса
    KBPC
  • Base Product Number
    KBPC3506

Техническая документация

 KBPC3506T.pdf
pdf. 0 kb
  • 1679 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    795 ₽
  • 10
    632 ₽
  • 25
    512 ₽
  • 100
    497 ₽
  • 250
    456 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    GeneSiC Semiconductor
  • Артикул:
    KBPC3506T
  • Описание:
    BRIDGE RECT 1PHASE 600V 35A KBPCВсе характеристики

Минимальная цена KBPC3506T при покупке от 1 шт 795.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить KBPC3506T с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание KBPC3506T

KBPC3506T GeneSiC Semiconductor BRIDGE RECT 1PHASE 600V 35A KBPC

  • Основные параметры:
    • Напряжение: 600В
    • Ток: 35А
    • Фаза: 1фаза
    • Тип: мостовой резистор
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность из-за использования SiC-технологии
    • Малый размер и вес
    • Высокий КПД
    • Устойчивость к перегреву и перенапряжению
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с традиционными материалами
    • Необходимость специального оборудования для монтажа и обслуживания
  • Общее назначение:
    • Преобразование переменного тока в постоянный
    • Использование в высоковольтных системах
    • Работа в условиях высокого нагрева
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные инверторы
    • Системы хранения энергии
    • Маршрутизаторы и преобразователи энергии
    • Высоковольтные источники питания
    • Солнечные системы и другие возобновляемые источники энергии
Выбрано: Показать

Характеристики KBPC3506T

  • Тип диода
    Single Phase
  • Технология
    Standard
  • Обратное Напряжение (Макс)
    600 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    35 A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.1 V @ 17.5 A
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    5 µA @ 600 V
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    QC Terminal
  • Корпус
    4-Square, KBPC-T
  • Исполнение корпуса
    KBPC
  • Base Product Number
    KBPC3506

Техническая документация

 KBPC3506T.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    DB101-BPBRIDGE RECT 1PHASE 50V 1A DB-1
    166Кешбэк 24 балла
    UD4KB100-BPBRIDGE RECT 1PHASE 1KV 4A D3K
    168Кешбэк 25 баллов
    GBJ3508-BPBRIDGE RECT 1PHASE 800V 35A GBJ
    189Кешбэк 28 баллов
    GBU4K-BPДиод: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 4A GBU
    210Кешбэк 31 балл
    GBU4M-BPBRIDGE RECT 1PHASE 1KV 4A GBU
    210Кешбэк 31 балл
    GBU4J-BPBRIDGE RECT 1PHASE 600V 4A GBU
    210Кешбэк 31 балл
    DB107-BPBRIDGE RECT 1PHASE 1KV 1A DB-1
    221Кешбэк 33 балла
    GBU6K-BPДиод: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 6A GBU
    225Кешбэк 33 балла
    GBU6J-BPBRIDGE RECT 1PHASE 600V 6A GBU
    227Кешбэк 34 балла
    GBU4A-BPBRIDGE RECT 1PHASE 50V 4A GBU
    243Кешбэк 36 баллов
    GBU4D-BPBRIDGE RECT 1PHASE 200V 4A GBU
    243Кешбэк 36 баллов
    GBU4G-BPДиод: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 4A GBU
    243Кешбэк 36 баллов
    GBU6B-BPДиод: BRIDGE RECT 1PHASE 100V 6A GBU
    252Кешбэк 37 баллов
    GBJ1006-BPBRIDGE RECT 1PHASE 600V 10A GBJ
    264Кешбэк 39 баллов
    GBU6M-BPBRIDGE RECT 1PHASE 1KV 6A GBU
    264Кешбэк 39 баллов
    GBU8M-BPДиод: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 8A GBU
    271Кешбэк 40 баллов
    RS405GL-BPBRIDGE RECT 1PHASE 600V 4A RS-4L
    295Кешбэк 44 балла
    RS403GL-BPBRIDGE RECT 1PHASE 200V 4A RS-4L
    297Кешбэк 44 балла
    PB605-BPBRIDGE RECT 1PHASE 50V 6A PB-6
    316Кешбэк 47 баллов
    PB66-BPДиод: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 6A PB-6
    316Кешбэк 47 баллов
    PB61-BPBRIDGE RECT 1PHASE 100V 6A PB-6
    316Кешбэк 47 баллов
    GBJ1506-BPBRIDGE RECT 1PHASE 600V 15A GBJ
    347Кешбэк 52 балла
    GBU10B-BPBRIDGE RECT 1PHASE 100V 10A GBU
    379Кешбэк 56 баллов
    GBU10J-BPBRIDGE RECT 1PHASE 600V 10A GBU
    379Кешбэк 56 баллов
    GBJ2506-BPДиод: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 25A GBJ
    414Кешбэк 62 балла
    GBJ3506-BPBRIDGE RECT 1PHASE 600V 35A GBJ
    451Кешбэк 67 баллов
    GBJ5010-BPBRIDGE RECT 1PHASE 1KV 50A GBJ
    628Кешбэк 94 балла
    GBJ5006-BPBRIDGE RECT 1PHASE 600V 50A GBJ
    645Кешбэк 96 баллов
    MB251W-BPBRIDGE RECT 1P 100V 25A MB-35W
    710Кешбэк 106 баллов
    MB1505W-BPBRIDGE RECT 1P 50V 15A MB-35W
    724Кешбэк 108 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Тиристоры - TRIACs
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Одиночные триодные тиристоры
    Диоды - выпрямители - массивы
    Модули драйверов питания
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Диодные мосты
    IGBT транзисторы
    Симисторы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы специального назначения
    Сборки биполярных транзисторов
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды - ВЧ
    Одиночные IGBT транзисторы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Полевые транзисторы - Модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Одиночные биполярные транзисторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Модули триодных тиристоров
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Модули драйверов питания
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Тиристоры - SCR
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диодные мосты - Модули
    Тиристоры - SCR - модули
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторные модули
    Биполярные транзисторы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - JFET
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Диоды силовые
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП