Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диодные мосты
KBU6J
  • В избранное
  • В сравнение
KBU6J

KBU6J

KBU6J
;
KBU6J

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    GeneSiC Semiconductor
  • Артикул:
    KBU6J
  • Описание:
    BRIDGE RECT 1PHASE 600V 6A KBUВсе характеристики

Минимальная цена KBU6J при покупке от 1 шт 336.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить KBU6J с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание KBU6J

KBU6J GeneSiC Semiconductor BRIDGE RECT 1PHASE 600V 6A KBU — это полупроводниковый мостовой диод, предназначенный для работы в однофазных системах напряжением до 600В и током до 6А.

  • Основные параметры:
    • Напряжение срабатывания: 600В
    • Рейтинговый ток: 6А
    • Форма корпуса: KBU
  • Плюсы:
    • Высокая эффективность работы
    • Малый размер и легкость
    • Устойчивость к перегрузкам
    • Низкий ток собственного сопротивления
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с традиционными диодами
    • Требуют точной установки и подключения

Общее назначение: Используется для конвертации переменного тока в постоянный в однофазных электрических системах. Подходит для применения в различных приборах и устройствах, где требуется преобразование напряжения или тока.

  • Применяется в:
    • Автомобильных аккумуляторах
    • Инверторах
    • Электрооборудовании
    • Системах энергосбережения
    • Солнечных панелях
Выбрано: Показать

Характеристики KBU6J

  • Тип диода
    Single Phase
  • Технология
    Standard
  • Обратное Напряжение (Макс)
    600 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    6 A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1 V @ 6 A
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    5 µA @ 600 V
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    4-SIP, KBU
  • Исполнение корпуса
    KBU
  • Base Product Number
    KBU6

Техническая документация

 KBU6J.pdf
pdf. 0 kb
  • 112 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    336 ₽
  • 10
    249 ₽
  • 25
    222 ₽
  • 100
    189 ₽
  • 400
    153 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    GeneSiC Semiconductor
  • Артикул:
    KBU6J
  • Описание:
    BRIDGE RECT 1PHASE 600V 6A KBUВсе характеристики

Минимальная цена KBU6J при покупке от 1 шт 336.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить KBU6J с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание KBU6J

KBU6J GeneSiC Semiconductor BRIDGE RECT 1PHASE 600V 6A KBU — это полупроводниковый мостовой диод, предназначенный для работы в однофазных системах напряжением до 600В и током до 6А.

  • Основные параметры:
    • Напряжение срабатывания: 600В
    • Рейтинговый ток: 6А
    • Форма корпуса: KBU
  • Плюсы:
    • Высокая эффективность работы
    • Малый размер и легкость
    • Устойчивость к перегрузкам
    • Низкий ток собственного сопротивления
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с традиционными диодами
    • Требуют точной установки и подключения

Общее назначение: Используется для конвертации переменного тока в постоянный в однофазных электрических системах. Подходит для применения в различных приборах и устройствах, где требуется преобразование напряжения или тока.

  • Применяется в:
    • Автомобильных аккумуляторах
    • Инверторах
    • Электрооборудовании
    • Системах энергосбережения
    • Солнечных панелях
Выбрано: Показать

Характеристики KBU6J

  • Тип диода
    Single Phase
  • Технология
    Standard
  • Обратное Напряжение (Макс)
    600 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    6 A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1 V @ 6 A
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    5 µA @ 600 V
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    4-SIP, KBU
  • Исполнение корпуса
    KBU
  • Base Product Number
    KBU6

Техническая документация

 KBU6J.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    GBJ2508-FBRIDGE RECT 1PHASE 800V 25A GBJ
    526Кешбэк 78 баллов
    GBJ2010-FДиод: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 20A GBJ
    555Кешбэк 83 балла
    GBJ2510-FДиод: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 25A GBJ
    574Кешбэк 86 баллов
    GBJ15005-FBRIDGE RECT 1PHASE 50V 15A GBJ
    574Кешбэк 86 баллов
    GBJ608-FBRIDGE RECT 1PHASE 800V 6A GBJ
    577Кешбэк 86 баллов
    3N250BRIDGE RECTIFIER DIODE
    85Кешбэк 12 баллов
    3N258BRIDGE RECTIFIER DIODE
    158Кешбэк 23 балла
    KBU6GBRIDGE RECT 1PHASE 400V 6A KBU
    112Кешбэк 16 баллов
    KBU8GДиод: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 8A KBU
    118Кешбэк 17 баллов
    DB103GBRIDGE RECT 1PHASE 200V 1A DB
    247Кешбэк 37 баллов
    KBL406GBRIDGE RECT 1PHASE 600V 4A KBL
    291Кешбэк 43 балла
    GBU6BДиод: BRIDGE RECT 1PHASE 100V 6A GBU
    291Кешбэк 43 балла
    KBL404GBRIDGE RECT 1PHASE 400V 4A KBL
    291Кешбэк 43 балла
    KBL604GBRIDGE RECT 1PHASE 400V 6A KBL
    302Кешбэк 45 баллов
    GBU10ABRIDGE RECT 1PHASE 50V 10A GBU
    308Кешбэк 46 баллов
    GBU10JBRIDGE RECT 1PHASE 600V 10A GBU
    310Кешбэк 46 баллов
    KBU6MДиод: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 6A KBU
    334Кешбэк 50 баллов
    KBU6DBRIDGE RECT 1PHASE 200V 6A KBU
    334Кешбэк 50 баллов
    KBU6BBRIDGE RECT 1PHASE 100V 6A KBU
    334Кешбэк 50 баллов
    KBU6KBRIDGE RECT 1PHASE 800V 6A KBU
    334Кешбэк 50 баллов
    KBU6JBRIDGE RECT 1PHASE 600V 6A KBU
    336Кешбэк 50 баллов
    KBU8MДиод: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 8A KBU
    344Кешбэк 51 балл
    BR62BRIDGE RECT 1PHASE 200V 6A BR-6
    346Кешбэк 51 балл
    KBU8JBRIDGE RECT 1PHASE 600V 8A KBU
    346Кешбэк 51 балл
    KBU8KBRIDGE RECT 1PHASE 800V 8A KBU
    382Кешбэк 57 баллов
    BR82BRIDGE RECT 1PHASE 200V 8A BR-8
    384Кешбэк 57 баллов
    BR88BRIDGE RECT 1PHASE 800V 8A BR-8
    384Кешбэк 57 баллов
    KBJ25005GBRIDGE RECT 1PHASE 50V 25A KBJ
    386Кешбэк 57 баллов
    KBPC1502WBRIDGE RECT 1P 200V 15A KBPC-W
    710Кешбэк 106 баллов
    KBPC15005WBRIDGE RECT 1P 50V 15A KBPC-W
    710Кешбэк 106 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Одиночные биполярные транзисторы
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторы - IGBT - модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Полевые транзисторы - Модули
    Тиристоры - SCR
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Транзисторы специального назначения
    Биполярные транзисторы
    Модули драйверов питания
    Модули драйверов питания
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды - ВЧ
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторные модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды - мостовые выпрямители
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Симисторы - Модули
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Модули триодных тиристоров
    Тиристоры - TRIACs
    Диодные мосты
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - JFET
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды силовые
    IGBT транзисторы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Симисторы
    Тиристоры - SCR - модули
    Одиночные триодные тиристоры
    Варикапы и Варакторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Одиночные IGBT транзисторы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Сборки биполярных транзисторов
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Полевые транзисторы - Сборки
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП