Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диодные мосты
KBU6K
  • В избранное
  • В сравнение
KBU6K

KBU6K

KBU6K
;
KBU6K

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    GeneSiC Semiconductor
  • Артикул:
    KBU6K
  • Описание:
    BRIDGE RECT 1PHASE 800V 6A KBUВсе характеристики

Минимальная цена KBU6K при покупке от 1 шт 334.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить KBU6K с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание KBU6K

KBU6K GeneSiC Semiconductor BRIDGE RECT 1PHASE 800V 6A KBU — это полупроводниковый диод, предназначенный для использования в однофазных схемах питания. Основные параметры:

  • Номинальное напряжение: 800 В
  • Максимальный ток: 6 А
  • Тип: Бридж-ректификационный

Плюсы:

  • Высокая надежность и долговечность благодаря использованию гетеротропного GaN (Галлийный нитрид) технологий от GeneSiC Semiconductor.
  • Высокая скорость переключения, что позволяет уменьшить размеры и стоимость конвертеров.
  • Меньший тепловой дрейф и меньшее тепловое сопротивление по сравнению с традиционными диодами.

Минусы:

  • Высокая стоимость по сравнению с традиционными диодами.
  • Необходимость использования специализированной аппаратуры для монтажа и тестирования.

Общее назначение и применение:

  • Применяется в системах управления мощностью, например, в инверторах и преобразователях энергии.
  • Используется в трансформаторных блоках питания для ректификации.
  • Подходит для устройств, требующих высокой эффективности и компактности, таких как мобильные зарядные устройства и бытовые приборы.
Выбрано: Показать

Характеристики KBU6K

  • Тип диода
    Single Phase
  • Технология
    Standard
  • Обратное Напряжение (Макс)
    800 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    6 A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1 V @ 6 A
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    5 µA @ 800 V
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    4-SIP, KBU
  • Исполнение корпуса
    KBU
  • Base Product Number
    KBU6

Техническая документация

 KBU6K.pdf
pdf. 0 kb
  • 1024 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    334 ₽
  • 10
    249 ₽
  • 25
    220 ₽
  • 100
    185 ₽
  • 400
    144 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    GeneSiC Semiconductor
  • Артикул:
    KBU6K
  • Описание:
    BRIDGE RECT 1PHASE 800V 6A KBUВсе характеристики

Минимальная цена KBU6K при покупке от 1 шт 334.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить KBU6K с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание KBU6K

KBU6K GeneSiC Semiconductor BRIDGE RECT 1PHASE 800V 6A KBU — это полупроводниковый диод, предназначенный для использования в однофазных схемах питания. Основные параметры:

  • Номинальное напряжение: 800 В
  • Максимальный ток: 6 А
  • Тип: Бридж-ректификационный

Плюсы:

  • Высокая надежность и долговечность благодаря использованию гетеротропного GaN (Галлийный нитрид) технологий от GeneSiC Semiconductor.
  • Высокая скорость переключения, что позволяет уменьшить размеры и стоимость конвертеров.
  • Меньший тепловой дрейф и меньшее тепловое сопротивление по сравнению с традиционными диодами.

Минусы:

  • Высокая стоимость по сравнению с традиционными диодами.
  • Необходимость использования специализированной аппаратуры для монтажа и тестирования.

Общее назначение и применение:

  • Применяется в системах управления мощностью, например, в инверторах и преобразователях энергии.
  • Используется в трансформаторных блоках питания для ректификации.
  • Подходит для устройств, требующих высокой эффективности и компактности, таких как мобильные зарядные устройства и бытовые приборы.
Выбрано: Показать

Характеристики KBU6K

  • Тип диода
    Single Phase
  • Технология
    Standard
  • Обратное Напряжение (Макс)
    800 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    6 A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1 V @ 6 A
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    5 µA @ 800 V
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    4-SIP, KBU
  • Исполнение корпуса
    KBU
  • Base Product Number
    KBU6

Техническая документация

 KBU6K.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    GBJ2508-FBRIDGE RECT 1PHASE 800V 25A GBJ
    526Кешбэк 78 баллов
    GBJ2010-FДиод: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 20A GBJ
    555Кешбэк 83 балла
    GBJ2510-FДиод: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 25A GBJ
    574Кешбэк 86 баллов
    GBJ15005-FBRIDGE RECT 1PHASE 50V 15A GBJ
    574Кешбэк 86 баллов
    GBJ608-FBRIDGE RECT 1PHASE 800V 6A GBJ
    577Кешбэк 86 баллов
    3N250BRIDGE RECTIFIER DIODE
    85Кешбэк 12 баллов
    3N258BRIDGE RECTIFIER DIODE
    158Кешбэк 23 балла
    KBU6GBRIDGE RECT 1PHASE 400V 6A KBU
    112Кешбэк 16 баллов
    KBU8GДиод: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 8A KBU
    118Кешбэк 17 баллов
    DB103GBRIDGE RECT 1PHASE 200V 1A DB
    247Кешбэк 37 баллов
    KBL406GBRIDGE RECT 1PHASE 600V 4A KBL
    291Кешбэк 43 балла
    GBU6BДиод: BRIDGE RECT 1PHASE 100V 6A GBU
    291Кешбэк 43 балла
    KBL404GBRIDGE RECT 1PHASE 400V 4A KBL
    291Кешбэк 43 балла
    KBL604GBRIDGE RECT 1PHASE 400V 6A KBL
    302Кешбэк 45 баллов
    GBU10ABRIDGE RECT 1PHASE 50V 10A GBU
    308Кешбэк 46 баллов
    GBU10JBRIDGE RECT 1PHASE 600V 10A GBU
    310Кешбэк 46 баллов
    KBU6MДиод: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 6A KBU
    334Кешбэк 50 баллов
    KBU6DBRIDGE RECT 1PHASE 200V 6A KBU
    334Кешбэк 50 баллов
    KBU6BBRIDGE RECT 1PHASE 100V 6A KBU
    334Кешбэк 50 баллов
    KBU6KBRIDGE RECT 1PHASE 800V 6A KBU
    334Кешбэк 50 баллов
    KBU6JBRIDGE RECT 1PHASE 600V 6A KBU
    336Кешбэк 50 баллов
    KBU8MДиод: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 8A KBU
    344Кешбэк 51 балл
    BR62BRIDGE RECT 1PHASE 200V 6A BR-6
    346Кешбэк 51 балл
    KBU8JBRIDGE RECT 1PHASE 600V 8A KBU
    346Кешбэк 51 балл
    KBU8KBRIDGE RECT 1PHASE 800V 8A KBU
    382Кешбэк 57 баллов
    BR82BRIDGE RECT 1PHASE 200V 8A BR-8
    384Кешбэк 57 баллов
    BR88BRIDGE RECT 1PHASE 800V 8A BR-8
    384Кешбэк 57 баллов
    KBJ25005GBRIDGE RECT 1PHASE 50V 25A KBJ
    386Кешбэк 57 баллов
    KBPC1502WBRIDGE RECT 1P 200V 15A KBPC-W
    710Кешбэк 106 баллов
    KBPC15005WBRIDGE RECT 1P 50V 15A KBPC-W
    710Кешбэк 106 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Диодные мосты
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - JFET
    Модули драйверов питания
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Высокочастотные диоды
    Симисторы
    Одиночные биполярные транзисторы
    Транзисторы специального назначения
    Транзисторные модули
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    IGBT транзисторы
    Диоды - ВЧ
    Модули драйверов питания
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы
    Диоды силовые
    Диоды - мостовые выпрямители
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Тиристоры - SCR - модули
    Симисторы - Модули
    Тиристоры - TRIACs
    Полевые транзисторы - Сборки
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Одиночные IGBT транзисторы
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Модули триодных тиристоров
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Одиночные триодные тиристоры
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Сборки биполярных транзисторов
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП