Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диоды выпрямительные - Одиночные
MBRD350T4G
  • В избранное
  • В сравнение
MBRD350T4G

MBRD350T4G

MBRD350T4G
;
MBRD350T4G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    MBRD350T4G
  • Описание:
    DIODE SCHOTTKY 50V 3A DPAKВсе характеристики

Минимальная цена MBRD350T4G при покупке от 1 шт 180.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MBRD350T4G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MBRD350T4G

MBRD350T4G onsemi DIODE SCHOTTKY 50V 3A DPAK

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение: 50В
    • Номинальный ток: 3А
    • Тип: Диод Шоттки
    • Пакет: DPAK
  • Плюсы:
    • Низкое напряжения срабатывания (~0,3В)
    • Малый ток утечки
    • Высокая скорость переключения
    • Небольшой размер и легкий вес
  • Минусы:
    • Уязвимость к ударным токам
    • Не подходит для высокочастотных приложений
  • Общее назначение:
    • Защита от обратного тока в электронных устройствах
    • Регулировка напряжения в источниках питания
    • Переключение сигналов в цифровых системах
  • Применение:
    • Автомобильная электроника
    • Источники питания
    • Цифровые устройства
    • Маломощные электроприборы
Выбрано: Показать

Характеристики MBRD350T4G

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Тип диода
    Schottky
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    50 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    3A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    600 mV @ 3 A
  • Скорость
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    200 µA @ 50 V
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Исполнение корпуса
    DPAK
  • Рабочая температура pn-прехода
    -65°C ~ 150°C
  • Base Product Number
    MBRD350

Техническая документация

 MBRD350T4G.pdf
pdf. 0 kb
  • 984 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    180 ₽
  • 100
    94 ₽
  • 1000
    66 ₽
  • 5000
    51 ₽
  • 12500
    49 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    MBRD350T4G
  • Описание:
    DIODE SCHOTTKY 50V 3A DPAKВсе характеристики

Минимальная цена MBRD350T4G при покупке от 1 шт 180.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MBRD350T4G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MBRD350T4G

MBRD350T4G onsemi DIODE SCHOTTKY 50V 3A DPAK

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение: 50В
    • Номинальный ток: 3А
    • Тип: Диод Шоттки
    • Пакет: DPAK
  • Плюсы:
    • Низкое напряжения срабатывания (~0,3В)
    • Малый ток утечки
    • Высокая скорость переключения
    • Небольшой размер и легкий вес
  • Минусы:
    • Уязвимость к ударным токам
    • Не подходит для высокочастотных приложений
  • Общее назначение:
    • Защита от обратного тока в электронных устройствах
    • Регулировка напряжения в источниках питания
    • Переключение сигналов в цифровых системах
  • Применение:
    • Автомобильная электроника
    • Источники питания
    • Цифровые устройства
    • Маломощные электроприборы
Выбрано: Показать

Характеристики MBRD350T4G

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Тип диода
    Schottky
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    50 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    3A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    600 mV @ 3 A
  • Скорость
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    200 µA @ 50 V
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Исполнение корпуса
    DPAK
  • Рабочая температура pn-прехода
    -65°C ~ 150°C
  • Base Product Number
    MBRD350

Техническая документация

 MBRD350T4G.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    FFP30S60STUDIODE GEN PURP 600V 30A TO220-2L
    179Кешбэк 26 баллов
    MUR1560GДиод: DIODE GEN PURP 600V 15A TO220AC
    179Кешбэк 26 баллов
    FSV15120VDIODE SCHOTTKY 120V 15A TO277-3
    179Кешбэк 26 баллов
    MURS230T3GDIODE GEN PURP 300V 2A SMB
    179Кешбэк 26 баллов
    MBRD350T4GDIODE SCHOTTKY 50V 3A DPAK
    180Кешбэк 27 баллов
    RD0506T-TL-H
    182Кешбэк 27 баллов
    SBRS8340T3GDIODE SCHOTTKY 40V 3A SMC
    182Кешбэк 27 баллов
    MBR2045MFST1GDIODE SCHOTTKY 45V 20A 5DFN
    184Кешбэк 27 баллов
    MBRA2H100T3GDIODE SCHOTTKY 100V 2A SMA
    186Кешбэк 27 баллов
    MBR30H100MFST1GDIODE SCHOTTKY 100V 30A 5DFN
    186Кешбэк 27 баллов
    FFB20UP20STMDIODE GEN PURP 200V 20A D2PAK
    190Кешбэк 28 баллов
    NRVBAF260T3GДиод: DIODE SCHOTTKY 60V 2A SMA-FL
    194Кешбэк 29 баллов
    MUR840GDIODE GEN PURP 400V 8A TO220AC
    194Кешбэк 29 баллов
    MUR2020RGDIODE GEN PURP 200V 20A TO220AC
    196Кешбэк 29 баллов
    MBRA320T3GDIODE SCHOTTKY 20V 3A SMA
    196Кешбэк 29 баллов
    MBR1645GДиод: DIODE SCHOTTKY 45V 16A TO220-2
    203Кешбэк 30 баллов
    MBRM2H100T3GDIODE SCHOTTKY 100V 2A POWERMITE
    205Кешбэк 30 баллов
    SBRD81045T4GDIODE SCHOTTKY 45V 10A DPAK
    205Кешбэк 30 баллов
    MURHD560W1T4GDIODE GEN PURP 600V 5A DPAK
    211Кешбэк 31 балл
    NRVHPD660T4GDIODE GEN PURP 600V 6A DPAK
    213Кешбэк 31 балл
    SBRD8835LT4GDIODE SCHOTTKY 35V 8A DPAK
    218Кешбэк 32 балла
    FSV1060VDIODE SCHOTTKY 60V 10A TO277-3
    227Кешбэк 34 балла
    NRVTS1045EMFST1GДиод: DIODE SCHOTTKY 45V 10A 5DFN
    242Кешбэк 36 баллов
    NHPV08S600GDIODE GEN PURP 600V 8A TO220-2
    247Кешбэк 37 баллов
    NRVB10100MFST1GДиод: DIODE SCHOTTKY 100V 10A 5DFN
    251Кешбэк 37 баллов
    MUR815GDIODE GEN PURP 150V 8A TO220AC
    253Кешбэк 37 баллов
    FSV20100VDIODE SCHOTTKY 100V 20A TO277-3
    262Кешбэк 39 баллов
    NRVBAF440T3GДиод: DIODE SCHOTTKY 4A 40V SMA-FL
    270Кешбэк 40 баллов
    NTST40H120CTG
    272Кешбэк 40 баллов
    MSRF860GDIODE GEN PURP 600V 8A TO220FP
    275Кешбэк 41 балл

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды силовые
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Одиночные биполярные транзисторы
    Диоды - выпрямители - массивы
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторные модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Модули драйверов питания
    Тиристоры - TRIACs
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Модули триодных тиристоров
    Биполярные транзисторы
    Диоды - ВЧ
    Тиристоры - SCR
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Сборки биполярных транзисторов
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Одиночные IGBT транзисторы
    Одиночные триодные тиристоры
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Модули драйверов питания
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Полевые транзисторы - Модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Симисторы - Модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды выпрямительные - Модули
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Тиристоры - SCR - модули
    Диодные мосты
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы специального назначения
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диодные мосты - Модули
    Симисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - JFET
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП