Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Триодные тиристоры - Одиночные
MCR100-8G
MCR100-8G

MCR100-8G

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    ON Semiconductor
  • Артикул:
    MCR100-8G
  • Описание:
    SCR 600V 800MA TO92-3Все характеристики

Минимальная цена MCR100-8G при покупке от 10 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MCR100-8G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики MCR100-8G

  • Обратное напряжение
    600 V
    Обратное напряжение 600 V
  • Отпирающее напряжение на управляющем электроде(Vgt) (Макс)
    800 mV
    Отпирающее напряжение на управляющем электроде(Vgt) (Макс) 800 mV
  • Отпирающий ток управления (Igt)
    200 µA
    Отпирающий ток управления (Igt) 200 µA
  • Напряжение в открытом состоянии (Vtm) (Макс)
    1.7 V
    Напряжение в открытом состоянии (Vtm) (Макс) 1.7 V
  • Среднеквадратичное значение прямого тока (It (RMS))
    800 mA
    Среднеквадратичное значение прямого тока (It (RMS)) 800 mA
  • Максимальный ток удержания (Ih)
    5 mA
    Максимальный ток удержания (Ih) 5 mA
  • Ток тиристора в закрытом состоянии (Макс)
    10 µA
    Ток тиристора в закрытом состоянии (Макс) 10 µA
  • Максимальный ток перегрузки 50, 60Hz (Itsm)
    10A @ 60Hz
    Максимальный ток перегрузки 50, 60Hz (Itsm) 10A @ 60Hz
  • Тип Тиристора
    Sensitive Gate
    Тип Тиристора Sensitive Gate
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 110°C (TJ)
    Рабочая температура -40°C ~ 110°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
    Вид монтажа Through Hole
  • Корпус
    TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
    Корпус TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
  • Исполнение корпуса
    TO-92 (TO-226)
    Исполнение корпуса TO-92 (TO-226)
Техническая документация
 MCR100-8G.pdf
pdf. 0 kb
  • В избранное
  • В сравнение
  • по запросу

Минимально и кратно 10 шт
Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
получить кешбэк баллы

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    ON Semiconductor
  • Артикул:
    MCR100-8G
  • Описание:
    SCR 600V 800MA TO92-3Все характеристики

Минимальная цена MCR100-8G при покупке от 10 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MCR100-8G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики MCR100-8G

  • Обратное напряжение
    600 V
    Обратное напряжение 600 V
  • Отпирающее напряжение на управляющем электроде(Vgt) (Макс)
    800 mV
    Отпирающее напряжение на управляющем электроде(Vgt) (Макс) 800 mV
  • Отпирающий ток управления (Igt)
    200 µA
    Отпирающий ток управления (Igt) 200 µA
  • Напряжение в открытом состоянии (Vtm) (Макс)
    1.7 V
    Напряжение в открытом состоянии (Vtm) (Макс) 1.7 V
  • Среднеквадратичное значение прямого тока (It (RMS))
    800 mA
    Среднеквадратичное значение прямого тока (It (RMS)) 800 mA
  • Максимальный ток удержания (Ih)
    5 mA
    Максимальный ток удержания (Ih) 5 mA
  • Ток тиристора в закрытом состоянии (Макс)
    10 µA
    Ток тиристора в закрытом состоянии (Макс) 10 µA
  • Максимальный ток перегрузки 50, 60Hz (Itsm)
    10A @ 60Hz
    Максимальный ток перегрузки 50, 60Hz (Itsm) 10A @ 60Hz
  • Тип Тиристора
    Sensitive Gate
    Тип Тиристора Sensitive Gate
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 110°C (TJ)
    Рабочая температура -40°C ~ 110°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
    Вид монтажа Through Hole
  • Корпус
    TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
    Корпус TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
  • Исполнение корпуса
    TO-92 (TO-226)
    Исполнение корпуса TO-92 (TO-226)
Техническая документация
 MCR100-8G.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    VS-16RIA20SCR 200V 35A TO208AA
    CS45-12IO1SCR 1.2KV 75A PLUS247-3
    VS-25RIA100SCR 1KV 40A TO208AA
    VS-ST1000C24K1SCR 2.4KV 2913A A24
    S6055MTPSCR 600V 55A TO218-3
    2N687ATO 48 25 AMP SCR
    VS-ST1200C20K0LPSCR 2KV 3080A A24
    VS-ST230S12P1VPBFSCR 1.2KV 360A TO209AB
    MCR22-2RL1GSCR 50V 1.5A TO92-3
    S6X8TS1RPSCR 600V 800MA SOT223
    VS-ST173C12CFP0SCR 1.2KV 610A A-PUK
    VS-ST300C16L0SCR 1.6KV 1115A TO200AB
    25TTS08FPSCR 800V 25A TO220AB FP
    TN2540-800G-TRSCR 800V 25A D2PAK
    S6008DS2TPSCR 600V 8A TO252
    VS-ST333C08LFM0SCR 800V 1435A TO200AB
    TYN612MFPSCR 600V 12A TO220FPAB
    2N6504GSCR 50V 25A TO220AB
    S6X8TSRPSCR 600V 800MA SOT223
    CYNB16-1200PTSCR 1.2KV 16A TO220AB

Мы рекомендуем

Все товары
Мы рекомендуем
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    IGBT транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - Специального назначения
    Симисторы - Модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диодные мосты
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды силовые
    Транзисторы - Модули
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - IGBT - модули
    Принадлежности
    Триодные тиристоры - Модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Варикапы и Варакторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Тиристоры - TRIACs
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Полевые транзисторы - Модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Симисторы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Модули драйверов питания
    Тиристоры - SCR - модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Биполярные транзисторы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды - ВЧ
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Высокочастотные диоды
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2025, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП