Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
MJD112G

MJD112G

MJD112G
;
MJD112G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена MJD112G при покупке от 1 шт 178.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MJD112G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MJD112G

MJD112G ONSEMI TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK — это транзистор на основе дарlington-конструкции с низким сопротивлением вCollector-Emitter (CE) режиме работы. Он предназначен для использования в различных электронных устройствах.

  • Основные параметры:
    • Максимальное напряжение Collector-Emitter (VCEO) - 100В
    • Максимальный ток Collector (IC) - 2А
    • Тип транзистора - NPN
    • Форм-фактор - DPAK (Dual Plastic Axial Package)
  • Плюсы:
    • Высокая мощность и способность обрабатывать большие токи
    • Увеличенная чувствительность благодаря дарlington-конструкции
    • Малый размер и легкий монтаж
  • Минусы:
    • Высокое напряжение может вызвать повреждение транзистора при несоблюдении ограничений
    • Низкий коэффициент усиления может привести к снижению эффективности в некоторых схемах

Общее назначение: Используется в различных приборах и устройствах, где требуется высокий ток и напряжение, такие как источники питания, преобразователи напряжения, регуляторы и другие силовые электронные устройства.

  • Применение:
    • Источники питания
    • Преобразователи напряжения
    • Регуляторы напряжения
    • Силовые контроллеры
    • Электронные системы управления
Выбрано: Показать

Характеристики MJD112G

Техническая документация

MJD112G.pdf
pdf. 0 kb
  • 270 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    178 ₽
  • 25
    83 ₽
  • 150
    52 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена MJD112G при покупке от 1 шт 178.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MJD112G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MJD112G

MJD112G ONSEMI TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK — это транзистор на основе дарlington-конструкции с низким сопротивлением вCollector-Emitter (CE) режиме работы. Он предназначен для использования в различных электронных устройствах.

  • Основные параметры:
    • Максимальное напряжение Collector-Emitter (VCEO) - 100В
    • Максимальный ток Collector (IC) - 2А
    • Тип транзистора - NPN
    • Форм-фактор - DPAK (Dual Plastic Axial Package)
  • Плюсы:
    • Высокая мощность и способность обрабатывать большие токи
    • Увеличенная чувствительность благодаря дарlington-конструкции
    • Малый размер и легкий монтаж
  • Минусы:
    • Высокое напряжение может вызвать повреждение транзистора при несоблюдении ограничений
    • Низкий коэффициент усиления может привести к снижению эффективности в некоторых схемах

Общее назначение: Используется в различных приборах и устройствах, где требуется высокий ток и напряжение, такие как источники питания, преобразователи напряжения, регуляторы и другие силовые электронные устройства.

  • Применение:
    • Источники питания
    • Преобразователи напряжения
    • Регуляторы напряжения
    • Силовые контроллеры
    • Электронные системы управления
Выбрано: Показать

Характеристики MJD112G

Техническая документация

MJD112G.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории