Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Одиночные биполярные транзисторы
MJD117G
  • В избранное
  • В сравнение
MJD117G

MJD117G

MJD117G
;
MJD117G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    MJD117G
  • Описание:
    TRANS PNP DARL 100V 2A DPAKВсе характеристики

Минимальная цена MJD117G при покупке от 1 шт 270.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MJD117G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MJD117G

MJD117G onsemi TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение: 100В
    • Номинальный ток: 2А
    • Тип: Транзистор PNP
    • Монтаж: DPAK (двойная плоская оболочка)
  • Плюсы:
    • Высокая надежность
    • Долгий срок службы
    • Высокая скорость включения/выключения
    • Устойчивость к электрическим шумам
  • Минусы:
    • Требует дополнительного контура обратной связи для корректной работы
    • Не подходит для высокочастотных приложений
  • Общее назначение:
    • Регулировка напряжения
    • Управление электронными устройствами
    • Защита от перегрузки
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Электроприборы
    • Инверторы
    • Системы управления двигателем
    • Промышленное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики MJD117G

  • Тип транзистора
    PNP - Darlington
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    2 A
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    100 V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    3V @ 40mA, 4A
  • Обратный ток коллектора (Max)
    20µA
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    1000 @ 2A, 3V
  • Рассеивание мощности
    1.75 W
  • Трансформация частоты
    25MHz
  • Рабочая температура
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Исполнение корпуса
    DPAK
  • Base Product Number
    MJD117

Техническая документация

 MJD117G.pdf
pdf. 0 kb
  • 509 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    270 ₽
  • 75
    118 ₽
  • 525
    87 ₽
  • 2025
    73 ₽
  • 10050
    62 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    MJD117G
  • Описание:
    TRANS PNP DARL 100V 2A DPAKВсе характеристики

Минимальная цена MJD117G при покупке от 1 шт 270.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MJD117G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MJD117G

MJD117G onsemi TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение: 100В
    • Номинальный ток: 2А
    • Тип: Транзистор PNP
    • Монтаж: DPAK (двойная плоская оболочка)
  • Плюсы:
    • Высокая надежность
    • Долгий срок службы
    • Высокая скорость включения/выключения
    • Устойчивость к электрическим шумам
  • Минусы:
    • Требует дополнительного контура обратной связи для корректной работы
    • Не подходит для высокочастотных приложений
  • Общее назначение:
    • Регулировка напряжения
    • Управление электронными устройствами
    • Защита от перегрузки
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Электроприборы
    • Инверторы
    • Системы управления двигателем
    • Промышленное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики MJD117G

  • Тип транзистора
    PNP - Darlington
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    2 A
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    100 V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    3V @ 40mA, 4A
  • Обратный ток коллектора (Max)
    20µA
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    1000 @ 2A, 3V
  • Рассеивание мощности
    1.75 W
  • Трансформация частоты
    25MHz
  • Рабочая температура
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Исполнение корпуса
    DPAK
  • Base Product Number
    MJD117

Техническая документация

 MJD117G.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    PMBT5550,235Транзистор: TRANS NPN 140V 0.3A TO236AB
    42Кешбэк 6 баллов
    PMBT5551,215TRANS NPN 160V 0.3A TO236AB
    42Кешбэк 6 баллов
    BC69-16PASXNOW NEXPERIA BC69-16PASX - SMALL
    44Кешбэк 6 баллов
    BC857AM,315TRANS PNP 45V 0.1A SOT883
    44Кешбэк 6 баллов
    BCW71,215Транзистор: TRANS NPN 45V 0.1A TO236AB
    44Кешбэк 6 баллов
    PMST2222,115TRANS NPN 30V 0.6A SOT323
    44Кешбэк 6 баллов
    PMBTA06,235Транзистор: TRANS NPN 80V 0.5A TO236AB
    44Кешбэк 6 баллов
    BCW61C,235TRANS PNP 32V 0.1A TO236AB
    44Кешбэк 6 баллов
    2PD1820AS,115TRANS NPN 50V 0.5A SOT323
    46Кешбэк 6 баллов
    2PB1219AS,115TRANS PNP 50V 0.5A SOT323
    46Кешбэк 6 баллов
    MMBTA92,215Транзистор: TRANS PNP 300V 0.1A TO236AB
    46Кешбэк 6 баллов
    BC847AM,315Транзистор: TRANS NPN 45V 0.1A SOT883
    48Кешбэк 7 баллов
    BC847BMB,315TRANS NPN 45V 0.1A DFN1006B-3
    50Кешбэк 7 баллов
    BC856BMBYLTRANS PNP 60V 0.1A DFN1006B-3
    50Кешбэк 7 баллов
    PMBT5551,235TRANS NPN 160V 0.3A TO236AB
    50Кешбэк 7 баллов
    PMBT3906M,315TRANS PNP 40V 0.2A SOT883
    50Кешбэк 7 баллов
    BC857CM,315Транзистор: TRANS PNP 45V 0.1A SOT883
    50Кешбэк 7 баллов
    2PB709BRL,215TRANS PNP 50V 0.2A TO236AB
    50Кешбэк 7 баллов
    PMBT3904M,315TRANS NPN 40V 0.2A SOT883
    50Кешбэк 7 баллов
    BC847CMB,315NOW NEXPERIA BC847CMB - SMALL SI
    50Кешбэк 7 баллов
    PMBT4401YSXTRANS NPN 40V 0.6A TO236AB
    52Кешбэк 7 баллов
    PMBT4403YSXTRANS PNP 40V 0.6A TO236AB
    52Кешбэк 7 баллов
    BCX17,235Транзистор: TRANS PNP 45V 0.5A TO236AB
    52Кешбэк 7 баллов
    BCW60D,215TRANS NPN 32V 0.1A TO236AB
    54Кешбэк 8 баллов
    BC857AQAZNOW NEXPERIA BC857AQA SMALL SIGN
    54Кешбэк 8 баллов
    BCW72,235Транзистор: TRANS NPN 45V 0.1A TO236AB
    54Кешбэк 8 баллов
    BCW72,215Транзистор: TRANS NPN 45V 0.1A TO236AB
    54Кешбэк 8 баллов
    2PB710ARL,235TRANS PNP 50V 0.5A TO236AB
    54Кешбэк 8 баллов
    BC807-25QAZTRANS PNP 45V 0.5A DFN1010D-3
    56Кешбэк 8 баллов
    PBSS5350Z,135TRANS PNP 50V 3A SOT223
    56Кешбэк 8 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды силовые
    Варикапы и Варакторы
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Тиристоры - SCR - модули
    Биполярные транзисторы
    Сборки биполярных транзисторов
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - JFET
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Симисторы
    Диодные мосты
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Высокочастотные диоды
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Одиночные триодные тиристоры
    Транзисторы специального назначения
    Транзисторные модули
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Модули драйверов питания
    Модули триодных тиристоров
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Тиристоры - TRIACs
    Модули драйверов питания
    Диодные мосты - Модули
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды - ВЧ
    Одиночные IGBT транзисторы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Одиночные биполярные транзисторы
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Полевые транзисторы - Модули
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП