Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Одиночные биполярные транзисторы
MJD117T4G
  • В избранное
  • В сравнение
MJD117T4G

MJD117T4G

MJD117T4G
;
MJD117T4G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    MJD117T4G
  • Описание:
    TRANS PNP DARL 100V 2A DPAKВсе характеристики

Минимальная цена MJD117T4G при покупке от 1 шт 248.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MJD117T4G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MJD117T4G

MJD117T4G onsemi TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK — это полупроводниковый транзистор.

  • Основные параметры:
    • Максимальное напряжение (VCEO) — 100В
    • Максимальный ток (IC) — 2А
    • Тип — PNP
    • Оболочка — DPAK
    • Тип устройства — Дарlington
  • Плюсы:
    • Высокая мощность
    • Увеличенная пропускная способность
    • Устойчивость к ошибкам
    • Низкий коэффициент усиления
  • Минусы:
    • Высокий уровень шума из-за использования Дарlington структуры
    • Высокое энергетическое затухание
    • Затрудненное использование при низких напряжениях
  • Общее назначение:
    • Управление нагрузками высокого напряжения и тока
    • Импульсные преобразователи
    • Реверсивные конвертеры
    • Контроль скорости электродвигателей
  • Применяется в:
    • Автомобильных системах
    • Электротехнической аппаратуре
    • Импульсных источниках питания
    • Драйверах для электродвигателей
Выбрано: Показать

Характеристики MJD117T4G

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    PNP - Darlington
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    2 A
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    100 V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    3V @ 40mA, 4A
  • Обратный ток коллектора (Max)
    20µA
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    1000 @ 2A, 3V
  • Рассеивание мощности
    1.75 W
  • Трансформация частоты
    25MHz
  • Рабочая температура
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Исполнение корпуса
    DPAK
  • Base Product Number
    MJD117

Техническая документация

 MJD117T4G.pdf
pdf. 0 kb
  • 6446 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    248 ₽
  • 10
    156 ₽
  • 500
    80 ₽
  • 2500
    64 ₽
  • 7500
    57 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    MJD117T4G
  • Описание:
    TRANS PNP DARL 100V 2A DPAKВсе характеристики

Минимальная цена MJD117T4G при покупке от 1 шт 248.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MJD117T4G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MJD117T4G

MJD117T4G onsemi TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK — это полупроводниковый транзистор.

  • Основные параметры:
    • Максимальное напряжение (VCEO) — 100В
    • Максимальный ток (IC) — 2А
    • Тип — PNP
    • Оболочка — DPAK
    • Тип устройства — Дарlington
  • Плюсы:
    • Высокая мощность
    • Увеличенная пропускная способность
    • Устойчивость к ошибкам
    • Низкий коэффициент усиления
  • Минусы:
    • Высокий уровень шума из-за использования Дарlington структуры
    • Высокое энергетическое затухание
    • Затрудненное использование при низких напряжениях
  • Общее назначение:
    • Управление нагрузками высокого напряжения и тока
    • Импульсные преобразователи
    • Реверсивные конвертеры
    • Контроль скорости электродвигателей
  • Применяется в:
    • Автомобильных системах
    • Электротехнической аппаратуре
    • Импульсных источниках питания
    • Драйверах для электродвигателей
Выбрано: Показать

Характеристики MJD117T4G

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    PNP - Darlington
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    2 A
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    100 V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    3V @ 40mA, 4A
  • Обратный ток коллектора (Max)
    20µA
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    1000 @ 2A, 3V
  • Рассеивание мощности
    1.75 W
  • Трансформация частоты
    25MHz
  • Рабочая температура
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Исполнение корпуса
    DPAK
  • Base Product Number
    MJD117

Техническая документация

 MJD117T4G.pdf
pdf. 0 kb
Доставка

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    MJF15031GТранзистор: TRANS PNP 150V 8A TO220FP
    611Кешбэк 91 балл
    MJE18008GTRANS NPN 450V 8A TO220
    635Кешбэк 95 баллов
    MJF18008GTRANS NPN 450V 8A TO220FP
    657Кешбэк 98 баллов
    TIP147FTUТранзистор: TRANS PNP DARL 100V 10A TO3PF
    681Кешбэк 102 балла
    TIP36AGTRANS PNP 60V 25A TO247-3
    732Кешбэк 109 баллов
    TIP35CGТранзистор: TRANS NPN 100V 25A TO247-3
    736Кешбэк 110 баллов
    NJW44H11GTRANS NPN 80V 10A TO3P-3L
    748Кешбэк 112 баллов
    BUB323ZT4GTRANS NPN DARL 350V 10A D2PAK
    758Кешбэк 113 баллов
    TIP36CGTRANS PNP 100V 25A TO247-3
    778Кешбэк 116 баллов
    MJB5742T4GTRANS NPN DARL 400V 8A D2PAK
    794Кешбэк 119 баллов
    FJA4310OTUTRANS NPN 140V 10A TO3P
    794Кешбэк 119 баллов
    NJW3281GTRANS NPN 250V 15A TO3P-3L
    925Кешбэк 138 баллов
    TIP35AGTRANS NPN 60V 25A TO247-3
    931Кешбэк 139 баллов
    NJW1302GTRANS PNP 250V 15A TO3P-3L
    933Кешбэк 139 баллов
    MJW3281AGТранзистор: TRANS NPN 230V 15A TO247-3
    1 024Кешбэк 153 балла
    MJW1302AGTRANS PNP 230V 15A TO247-3
    1 030Кешбэк 154 балла
    MJH6284GTRANS NPN DARL 100V 20A TO247-3
    1 074Кешбэк 161 балл
    MJ2955GТранзистор: TRANS PNP 60V 15A TO204
    1 147Кешбэк 172 балла
    MJH11017GTRANS PNP DARL 150V 15A TO247-3
    1 159Кешбэк 173 балла
    FJA4313OTUTRANS NPN 250V 17A TO3PN
    1 184Кешбэк 177 баллов
    MJL21195GTRANS PNP 250V 16A TO264
    1 193Кешбэк 178 баллов
    MJE4343GТранзистор: TRANS NPN 160V 16A TO247-3
    1 197Кешбэк 179 баллов
    FJL4215OTUTRANS PNP 250V 17A HPM F2
    1 205Кешбэк 180 баллов
    2SC5200OTUТранзистор: TRANS NPN 250V 17A TO264-3
    1 207Кешбэк 181 балл
    MJW21196GTRANS NPN 250V 16A TO247-3
    1 226Кешбэк 183 балла
    MJW21193GTRANS PNP 250V 16A TO247-3
    1 228Кешбэк 184 балла
    MJL21196GTRANS NPN 250V 16A TO264
    1 238Кешбэк 185 баллов
    MJL21194GTRANS NPN 250V 16A TO264
    1 262Кешбэк 189 баллов
    NJL0302DGTRANS PNP 260V 15A TO264
    1 290Кешбэк 193 балла
    NJL1302DGTRANS PNP 260V 15A TO264
    1 314Кешбэк 197 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Модули триодных тиристоров
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - JFET
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы специального назначения
    Варикапы и Варакторы
    Диоды силовые
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Симисторы
    Модули драйверов питания
    Диоды - выпрямители - массивы
    Полевые транзисторы - Модули
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Диоды выпрямительные - Модули
    Тиристоры - SCR
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Тиристоры - SCR - модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Симисторы - Модули
    Диоды - мостовые выпрямители
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    IGBT транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Одиночные биполярные транзисторы
    Диоды - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Модули драйверов питания
    Сборки биполярных транзисторов
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Тиристоры - TRIACs
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Биполярные транзисторы
    Диодные мосты - Модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Одиночные триодные тиристоры
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Одиночные IGBT транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Высокочастотные диоды
    Диодные мосты
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторные модули
    Принадлежности для дискретных полупроводников
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП