Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Одиночные биполярные транзисторы
MJD117T4G
  • В избранное
  • В сравнение
MJD117T4G

MJD117T4G

MJD117T4G
;
MJD117T4G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    MJD117T4G
  • Описание:
    TRANS PNP DARL 100V 2A DPAKВсе характеристики

Минимальная цена MJD117T4G при покупке от 1 шт 248.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MJD117T4G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MJD117T4G

MJD117T4G onsemi TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK — это полупроводниковый транзистор.

  • Основные параметры:
    • Максимальное напряжение (VCEO) — 100В
    • Максимальный ток (IC) — 2А
    • Тип — PNP
    • Оболочка — DPAK
    • Тип устройства — Дарlington
  • Плюсы:
    • Высокая мощность
    • Увеличенная пропускная способность
    • Устойчивость к ошибкам
    • Низкий коэффициент усиления
  • Минусы:
    • Высокий уровень шума из-за использования Дарlington структуры
    • Высокое энергетическое затухание
    • Затрудненное использование при низких напряжениях
  • Общее назначение:
    • Управление нагрузками высокого напряжения и тока
    • Импульсные преобразователи
    • Реверсивные конвертеры
    • Контроль скорости электродвигателей
  • Применяется в:
    • Автомобильных системах
    • Электротехнической аппаратуре
    • Импульсных источниках питания
    • Драйверах для электродвигателей
Выбрано: Показать

Характеристики MJD117T4G

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    PNP - Darlington
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    2 A
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    100 V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    3V @ 40mA, 4A
  • Обратный ток коллектора (Max)
    20µA
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    1000 @ 2A, 3V
  • Рассеивание мощности
    1.75 W
  • Трансформация частоты
    25MHz
  • Рабочая температура
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Исполнение корпуса
    DPAK
  • Base Product Number
    MJD117

Техническая документация

 MJD117T4G.pdf
pdf. 0 kb
  • 6446 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    248 ₽
  • 10
    156 ₽
  • 500
    80 ₽
  • 2500
    64 ₽
  • 7500
    57 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    MJD117T4G
  • Описание:
    TRANS PNP DARL 100V 2A DPAKВсе характеристики

Минимальная цена MJD117T4G при покупке от 1 шт 248.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MJD117T4G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MJD117T4G

MJD117T4G onsemi TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK — это полупроводниковый транзистор.

  • Основные параметры:
    • Максимальное напряжение (VCEO) — 100В
    • Максимальный ток (IC) — 2А
    • Тип — PNP
    • Оболочка — DPAK
    • Тип устройства — Дарlington
  • Плюсы:
    • Высокая мощность
    • Увеличенная пропускная способность
    • Устойчивость к ошибкам
    • Низкий коэффициент усиления
  • Минусы:
    • Высокий уровень шума из-за использования Дарlington структуры
    • Высокое энергетическое затухание
    • Затрудненное использование при низких напряжениях
  • Общее назначение:
    • Управление нагрузками высокого напряжения и тока
    • Импульсные преобразователи
    • Реверсивные конвертеры
    • Контроль скорости электродвигателей
  • Применяется в:
    • Автомобильных системах
    • Электротехнической аппаратуре
    • Импульсных источниках питания
    • Драйверах для электродвигателей
Выбрано: Показать

Характеристики MJD117T4G

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    PNP - Darlington
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    2 A
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    100 V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    3V @ 40mA, 4A
  • Обратный ток коллектора (Max)
    20µA
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    1000 @ 2A, 3V
  • Рассеивание мощности
    1.75 W
  • Трансформация частоты
    25MHz
  • Рабочая температура
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Исполнение корпуса
    DPAK
  • Base Product Number
    MJD117

Техническая документация

 MJD117T4G.pdf
pdf. 0 kb
Доставка

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    MJD243T4GTRANS NPN 100V 4A DPAK
    228Кешбэк 34 балла
    MJD41CRLGTRANS NPN 100V 6A DPAK
    228Кешбэк 34 балла
    MJE180STUTRANS NPN 40V 3A TO126-3
    228Кешбэк 34 балла
    MMJT350T1GTRANS PNP 300V 0.5A SOT223
    230Кешбэк 34 балла
    KSE13003H1ASTUTRANS NPN 400V 1.5A TO126-3
    232Кешбэк 34 балла
    MJD148T4GTRANS NPN 45V 4A DPAK
    232Кешбэк 34 балла
    BD13516SТранзистор: TRANS NPN 45V 1.5A TO126-3
    232Кешбэк 34 балла
    MJD44H11-1GTRANS NPN 80V 8A IPAK
    236Кешбэк 35 баллов
    NJVMJD44H11RLGТранзистор: TRANS NPN 80V 8A DPAK
    237Кешбэк 35 баллов
    FSB619TRANS NPN 50V 2A SOT23-3
    238Кешбэк 35 баллов
    BD787GTRANS NPN 60V 4A TO126
    238Кешбэк 35 баллов
    BD135GTRANS NPN 45V 1.5A TO126
    238Кешбэк 35 баллов
    2SC3649S-TD-ETRANS NPN 160V 1.5A PCP
    238Кешбэк 35 баллов
    2SA2126-TL-ETRANS PNP 50V 3A TP-FA
    238Кешбэк 35 баллов
    KSD882YSTUТранзистор: TRANS NPN 30V 3A TO126-3
    239Кешбэк 35 баллов
    MJD41CT4GТранзистор: TRANS NPN 100V 6A DPAK
    240Кешбэк 36 баллов
    NJVMJD128T4GTRANS PNP DARL 120V 8A DPAK
    240Кешбэк 36 баллов
    NJVMJD42CT4GТранзистор: TRANS PNP 100V 6A DPAK
    240Кешбэк 36 баллов
    MJD44H11RLGТранзистор: TRANS NPN 80V 8A DPAK
    240Кешбэк 36 баллов
    BD135TGTRANS NPN 45V 1.5A TO126
    240Кешбэк 36 баллов
    MJE182GТранзистор: TRANS NPN 80V 3A TO126
    241Кешбэк 36 баллов
    NJVMJD243T4GTRANS NPN 100V 4A DPAK
    244Кешбэк 36 баллов
    NJVMJD112T4GTRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
    244Кешбэк 36 баллов
    NSV1C301ET4GTRANS NPN 100V 3A DPAK
    244Кешбэк 36 баллов
    BD17510STUTRANS NPN 45V 3A TO126-3
    244Кешбэк 36 баллов
    TIP110GTRANS NPN DARL 60V 2A TO220
    244Кешбэк 36 баллов
    FJE3303H1TUTRANS NPN 400V 1.5A TO126-3
    244Кешбэк 36 баллов
    TIP50GTRANS NPN 400V 1A TO220
    246Кешбэк 36 баллов
    MJD117T4GTRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
    248Кешбэк 37 баллов
    2N6488GTRANS NPN 80V 15A TO220
    248Кешбэк 37 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Симисторы - Модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - JFET
    Диоды силовые
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Высокочастотные диоды
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Варикапы и Варакторы
    Одиночные биполярные транзисторы
    Одиночные триодные тиристоры
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды выпрямительные - Модули
    IGBT транзисторы
    Сборки биполярных транзисторов
    Биполярные транзисторы
    Тиристоры - SCR
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Одиночные IGBT транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды - выпрямители - массивы
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - IGBT - модули
    Модули драйверов питания
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Тиристоры - SCR - модули
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Модули триодных тиристоров
    Диодные мосты - Модули
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторные модули
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы специального назначения
    Высокочастотные биполярные транзисторы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Симисторы
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диодные мосты
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Принадлежности для дискретных полупроводников
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП