Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Одиночные биполярные транзисторы
MJD31CQ-13
  • В избранное
  • В сравнение
MJD31CQ-13

MJD31CQ-13

MJD31CQ-13
;
MJD31CQ-13

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Diodes Incorporated
  • Артикул:
    MJD31CQ-13
  • Описание:
    TRANS NPN 100V 3A TO252-3Все характеристики

Минимальная цена MJD31CQ-13 при покупке от 1 шт 207.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MJD31CQ-13 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MJD31CQ-13

MJD31CQ-13 Diodes Incorporated TRANS NPN 100V 3A TO252-3

  • Основные параметры:
    • Тип: NPN
    • Номинальное напряжение: 100В
    • Номинальный ток: 3А
    • Пакет: TO252-3
  • Плюсы:
    • Высокое номинальное напряжение (100В)
    • Высокий номинальный ток (3А)
    • Устойчивость к перенапряжению
    • Малый размер пакета (TO252-3)
  • Минусы:
    • Требует дополнительного охлаждения при больших нагрузках
    • Могут быть чувствительны к скачкам напряжения
  • Общее назначение:
    • Переключение высоковольтных сигналов
    • Компенсация разности уровней напряжений
    • Защита от обратного напряжения
  • Применяется в:
    • Автомобильных системах
    • Инверторах
    • Системах управления электропитанием
    • Телевизорах и других электронных устройствах
Выбрано: Показать

Характеристики MJD31CQ-13

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    NPN
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    3 A
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    100 V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    1.2V @ 375mA, 3A
  • Обратный ток коллектора (Max)
    1µA
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    10 @ 3A, 4V
  • Рассеивание мощности
    15 W
  • Трансформация частоты
    3MHz
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Исполнение корпуса
    TO-252-3
  • Base Product Number
    MJD31

Техническая документация

 MJD31CQ-13.pdf
pdf. 0 kb
  • 3053 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    207 ₽
  • 10
    129 ₽
  • 500
    66 ₽
  • 2500
    59 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Diodes Incorporated
  • Артикул:
    MJD31CQ-13
  • Описание:
    TRANS NPN 100V 3A TO252-3Все характеристики

Минимальная цена MJD31CQ-13 при покупке от 1 шт 207.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MJD31CQ-13 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MJD31CQ-13

MJD31CQ-13 Diodes Incorporated TRANS NPN 100V 3A TO252-3

  • Основные параметры:
    • Тип: NPN
    • Номинальное напряжение: 100В
    • Номинальный ток: 3А
    • Пакет: TO252-3
  • Плюсы:
    • Высокое номинальное напряжение (100В)
    • Высокий номинальный ток (3А)
    • Устойчивость к перенапряжению
    • Малый размер пакета (TO252-3)
  • Минусы:
    • Требует дополнительного охлаждения при больших нагрузках
    • Могут быть чувствительны к скачкам напряжения
  • Общее назначение:
    • Переключение высоковольтных сигналов
    • Компенсация разности уровней напряжений
    • Защита от обратного напряжения
  • Применяется в:
    • Автомобильных системах
    • Инверторах
    • Системах управления электропитанием
    • Телевизорах и других электронных устройствах
Выбрано: Показать

Характеристики MJD31CQ-13

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    NPN
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    3 A
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    100 V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    1.2V @ 375mA, 3A
  • Обратный ток коллектора (Max)
    1µA
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    10 @ 3A, 4V
  • Рассеивание мощности
    15 W
  • Трансформация частоты
    3MHz
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Исполнение корпуса
    TO-252-3
  • Base Product Number
    MJD31

Техническая документация

 MJD31CQ-13.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    2SC5662T2LPТранзистор: TRANS NPN 11V 0.05A VMT3
    114Кешбэк 17 баллов
    2SD2654TLVTRANS NPN 50V 0.15A EMT3
    114Кешбэк 17 баллов
    2SB1689T106Транзистор: TRANS PNP 12V 1.5A UMT3
    118Кешбэк 17 баллов
    2SC4725TLPТранзистор: TRANS NPN 20V 0.05A EMT3
    122Кешбэк 18 баллов
    2SC5663T2LTRANS NPN 12V 0.5A VMT3
    123Кешбэк 18 баллов
    2SA2030T2LTRANS PNP 12V 0.5A VMT3
    123Кешбэк 18 баллов
    2SD2674TLTRANS NPN 12V 1.5A TSMT3
    123Кешбэк 18 баллов
    2SC4061KT146NTRANS NPN 300V 0.1A SMT3
    124Кешбэк 18 баллов
    2SD2142KT146TRANS NPN DARL 30V 0.3A SMT3
    127Кешбэк 19 баллов
    2SD1664T100PTRANS NPN 32V 1A MPT3
    129Кешбэк 19 баллов
    2SB1733TLTRANS PNP 30V 1A TUMT3
    131Кешбэк 19 баллов
    2SD2657KT146TRANS NPN 30V 1.5A SMT3
    131Кешбэк 19 баллов
    2SD1383KT146BTRANS NPN DARL 32V 0.3A SMT3
    131Кешбэк 19 баллов
    2SD1757KT146STRANS NPN 15V 0.5A SMT3
    131Кешбэк 19 баллов
    2SB1732TLTRANS PNP 12V 1.5A TUMT3
    131Кешбэк 19 баллов
    2SD2702TLTRANS NPN 12V 1.5A TUMT3
    131Кешбэк 19 баллов
    2SB1132T100RТранзистор: TRANS PNP 32V 1A MPT3
    131Кешбэк 19 баллов
    2SB1695KT146TRANS PNP 30V 1.5A SMT3
    131Кешбэк 19 баллов
    2SB1132T100PTRANS PNP 32V 1A MPT3
    131Кешбэк 19 баллов
    2SD2226KT146WTRANS NPN 50V 0.15A SMT3
    133Кешбэк 19 баллов
    2SD2226KT146VTRANS NPN 50V 0.15A SMT3
    133Кешбэк 19 баллов
    2SA2094TLQTRANS PNP 60V 2A TSMT3
    135Кешбэк 20 баллов
    2SB1690KT146TRANS PNP 12V 2A SMT3
    137Кешбэк 20 баллов
    2SB852KT146BTRANS PNP DARL 32V 0.3A SMT3
    137Кешбэк 20 баллов
    2SC5866TLRTRANS NPN 60V 2A TSMT3
    139Кешбэк 20 баллов
    2SD2652T106TRANS NPN 12V 1.5A UMT3
    139Кешбэк 20 баллов
    2SC5876T106QTRANS NPN 60V 0.5A UMT3
    139Кешбэк 20 баллов
    2SC5866TLQTRANS NPN 60V 2A TSMT3
    139Кешбэк 20 баллов
    2SD2657TLTRANS NPN 30V 1.5A TSMT3
    139Кешбэк 20 баллов
    2SC5876T106RTRANS NPN 60V 0.5A UMT3
    139Кешбэк 20 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - JFET
    Одиночные биполярные транзисторы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Модули драйверов питания
    IGBT транзисторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диодные мосты
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Полевые транзисторы - Сборки
    Одиночные триодные тиристоры
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторные модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды - ВЧ
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Диоды выпрямительные - Модули
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Симисторы - Модули
    Модули драйверов питания
    Варикапы и Варакторы
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Модули триодных тиристоров
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Сборки биполярных транзисторов
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды силовые
    Высокочастотные диоды
    Тиристоры - SCR - модули
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы специального назначения
    Одиночные IGBT транзисторы
    Симисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП