Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
MJD31CUQ-13
  • В избранное
  • В сравнение
MJD31CUQ-13

MJD31CUQ-13

MJD31CUQ-13
;
MJD31CUQ-13

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Diodes Incorporated
  • Артикул:
    MJD31CUQ-13
  • Описание:
    TRANS NPN 100V 3A TO252Все характеристики

Минимальная цена MJD31CUQ-13 при покупке от 1 шт 203.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MJD31CUQ-13 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MJD31CUQ-13

MJD31CUQ-13 Diodes Incorporated TRANS NPN 100В 3А TO252

  • Основные параметры:
    • Тип: NPN транзистор
    • Номинальное напряжение блокировки (VCEO): 100В
    • Номинальный ток коллектора (IC): 3А
    • Пакет: TO252
  • Плюсы:
    • Высокая мощность
    • Стабильная работа при высоких температурах
    • Малый размер пакета для передаваемой мощности
  • Минусы:
    • Высокие требования к проектированию системы охлаждения
    • Необходимость использования защитных устройств для предотвращения перегрева
  • Общее назначение:
    • Управление нагрузками
    • Конвертация уровней напряжений
    • Фильтрация сигналов
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Инверторы
    • Промышленное оборудование
    • Электронные устройства управления
Выбрано: Показать

Характеристики MJD31CUQ-13

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Тип транзистора
    NPN
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    3 A
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    100 V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    700mV @ 375mA, 3A
  • Обратный ток коллектора (Max)
    1µA
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    25 @ 1A, 4V
  • Рассеивание мощности
    1.6 W
  • Трансформация частоты
    3MHz
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Исполнение корпуса
    TO-252, (D-Pak)
  • Base Product Number
    MJD31

Техническая документация

 MJD31CUQ-13.pdf
pdf. 0 kb
  • 22 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    203 ₽
  • 10
    126 ₽
  • 500
    64 ₽
  • 2500
    47 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Diodes Incorporated
  • Артикул:
    MJD31CUQ-13
  • Описание:
    TRANS NPN 100V 3A TO252Все характеристики

Минимальная цена MJD31CUQ-13 при покупке от 1 шт 203.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MJD31CUQ-13 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MJD31CUQ-13

MJD31CUQ-13 Diodes Incorporated TRANS NPN 100В 3А TO252

  • Основные параметры:
    • Тип: NPN транзистор
    • Номинальное напряжение блокировки (VCEO): 100В
    • Номинальный ток коллектора (IC): 3А
    • Пакет: TO252
  • Плюсы:
    • Высокая мощность
    • Стабильная работа при высоких температурах
    • Малый размер пакета для передаваемой мощности
  • Минусы:
    • Высокие требования к проектированию системы охлаждения
    • Необходимость использования защитных устройств для предотвращения перегрева
  • Общее назначение:
    • Управление нагрузками
    • Конвертация уровней напряжений
    • Фильтрация сигналов
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Инверторы
    • Промышленное оборудование
    • Электронные устройства управления
Выбрано: Показать

Характеристики MJD31CUQ-13

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Тип транзистора
    NPN
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    3 A
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    100 V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    700mV @ 375mA, 3A
  • Обратный ток коллектора (Max)
    1µA
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    25 @ 1A, 4V
  • Рассеивание мощности
    1.6 W
  • Трансформация частоты
    3MHz
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Исполнение корпуса
    TO-252, (D-Pak)
  • Base Product Number
    MJD31

Техническая документация

 MJD31CUQ-13.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    DXTP07060BFG-7TRANS PNP 60V 3A POWERDI3
    157Кешбэк 23 балла
    DXTN07060BFG-7TRANS NPN 60V 3A POWERDI3
    157Кешбэк 23 балла
    DXTN07100BFG-7TRANS NPN 100V 2A POWERDI3
    157Кешбэк 23 балла
    FCX491QTATRANS NPN 60V 1A SOT89-3
    159Кешбэк 23 балла
    FCX491AQTAPWR MID PERF TRANSISTOR SOT89 T&
    159Кешбэк 23 балла
    MJD32CUQ-13TRANS PNP 100V 3A TO252
    163Кешбэк 24 балла
    DXTN07045DFG-7TRANS NPN 45V 3A POWERDI3
    163Кешбэк 24 балла
    DXT5551P5Q-13PWR HI VOLTAGE TRANSISTOR PDI5
    167Кешбэк 25 баллов
    ZXTP01500BGQTCTRANS PNP 500V 0.15A SOT223
    171Кешбэк 25 баллов
    DXTP07040CFGQ-7TRANS PNP 40V 3A POWERDI3
    171Кешбэк 25 баллов
    DXTN3C100PSQ-13TRANS NPN 100V 3A POWERDI5060-8
    173Кешбэк 25 баллов
    FMMT619QTASS LOW SAT TRANSISTOR SOT23 T&R
    173Кешбэк 25 баллов
    DXTN3C60PSQ-13TRANS NPN 60V 3A POWERDI5060-8
    173Кешбэк 25 баллов
    DXTP3C100PSQ-13TRANS PNP 100V 3A POWERDI5060-8
    176Кешбэк 26 баллов
    DSS60600MZ4Q-13PWR MID PERF TRANSISTOR SOT223 T
    180Кешбэк 27 баллов
    ZXT1053AKQTCPWR LOW SAT TRANSISTOR TO252 T&R
    190Кешбэк 28 баллов
    MJD31CUQ-13TRANS NPN 100V 3A TO252
    203Кешбэк 30 баллов
    DXT2011P5Q-13TRANS NPN 100V 6A POWERDI5
    209Кешбэк 31 балл
    ZXTN19020DZQTATRANS NPN 20V 7.5A SOT89-3
    209Кешбэк 31 балл
    ZXTP25140BFHQTATRANS PNP 140V 1A SOT23-3
    213Кешбэк 31 балл
    ZXTN25060BZQTATRANS NPN 60V 5A SOT89-3
    214Кешбэк 32 балла
    FZT458QTAPWR HI VOLTAGE TRANSISTOR SOT223
    214Кешбэк 32 балла
    FZT491AQTATRANS NPN 40V 1A SOT223
    232Кешбэк 34 балла
    DXTN07100BP5Q-13TRANS NPN 100V 2A POWERDI5 T&R
    241Кешбэк 36 баллов
    FZT591AQTATRANS PNP 40V 1A SOT223-3
    245Кешбэк 36 баллов
    DXTN3C60PS-13SS LOW SAT TRANSISTOR POWERDI506
    247Кешбэк 37 баллов
    ZXTN2005ZQTATRANS NPN 25V 5.5A SOT89-3
    273Кешбэк 40 баллов
    FZT603QTATRANS NPN DARL 80V 2A SOT223-3
    279Кешбэк 41 балл
    ZXTP2012ZQTATRANS PNP 60V 4.3A SOT89
    281Кешбэк 42 балла
    ZXTP2008ZQTATRANS PNP 30V 5.5A SOT89-3
    288Кешбэк 43 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы специального назначения
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Диодные мосты
    Одиночные триодные тиристоры
    Диоды - выпрямители - массивы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - IGBT - модули
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Одиночные биполярные транзисторы
    Симисторы - Модули
    Сборки биполярных транзисторов
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Модули триодных тиристоров
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Модули драйверов питания
    Одиночные IGBT транзисторы
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Симисторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Полевые транзисторы - Модули
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды - ВЧ
    IGBT транзисторы
    Биполярные транзисторы
    Модули драйверов питания
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диоды силовые
    Диоды - мостовые выпрямители
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторные модули
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - JFET
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Тиристоры - SCR - модули
    Варикапы и Варакторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП