Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Биполярные транзисторы - Одиночные
MJD45H11-1G
  • В избранное
  • В сравнение
MJD45H11-1G

MJD45H11-1G

MJD45H11-1G
;
MJD45H11-1G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    MJD45H11-1G
  • Описание:
    TRANS PNP 80V 8A IPAKВсе характеристики

Минимальная цена MJD45H11-1G при покупке от 1 шт 309.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MJD45H11-1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MJD45H11-1G

MJD45H11-1G onsemi TRANS PNP 80V 8A IPAK — это полупроводниковый транзистор.

  • Основные параметры:
    • Напряжение вCollector-emitter (VCE) = 80В
    • Ток Collector (IC) = 8А
    • Тип транзистора: PNP
    • Упаковка: IPAK (Интегральный корпус)
  • Плюсы:
    • Высокая надежность
    • Высокий коэффициент усиления
    • Устойчивость к перегреву
    • Простота в использовании
  • Минусы:
    • Требует дополнительных компонентов для работы (например, диоды, конденсаторы)
    • Не подходит для прямого управления от логических уровней без усилителя
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения
    • Управление электрическими цепями
    • Обратная связь в схемах
  • Применяется в:
    • Автомобильной электронике
    • Электропитании устройств
    • Системах управления двигателей
    • Коммутационных приборах
Выбрано: Показать

Характеристики MJD45H11-1G

  • Тип транзистора
    PNP
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    8 A
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    80 V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    1V @ 400mA, 8A
  • Обратный ток коллектора (Max)
    1µA
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    40 @ 4A, 1V
  • Рассеивание мощности
    1.75 W
  • Трансформация частоты
    90MHz
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
  • Исполнение корпуса
    I-PAK
  • Base Product Number
    MJD45

Техническая документация

 MJD45H11-1G.pdf
pdf. 0 kb
  • 50 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    309 ₽
  • 75
    137 ₽
  • 525
    103 ₽
  • 2025
    87 ₽
  • 10050
    76 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    MJD45H11-1G
  • Описание:
    TRANS PNP 80V 8A IPAKВсе характеристики

Минимальная цена MJD45H11-1G при покупке от 1 шт 309.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MJD45H11-1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MJD45H11-1G

MJD45H11-1G onsemi TRANS PNP 80V 8A IPAK — это полупроводниковый транзистор.

  • Основные параметры:
    • Напряжение вCollector-emitter (VCE) = 80В
    • Ток Collector (IC) = 8А
    • Тип транзистора: PNP
    • Упаковка: IPAK (Интегральный корпус)
  • Плюсы:
    • Высокая надежность
    • Высокий коэффициент усиления
    • Устойчивость к перегреву
    • Простота в использовании
  • Минусы:
    • Требует дополнительных компонентов для работы (например, диоды, конденсаторы)
    • Не подходит для прямого управления от логических уровней без усилителя
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения
    • Управление электрическими цепями
    • Обратная связь в схемах
  • Применяется в:
    • Автомобильной электронике
    • Электропитании устройств
    • Системах управления двигателей
    • Коммутационных приборах
Выбрано: Показать

Характеристики MJD45H11-1G

  • Тип транзистора
    PNP
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    8 A
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    80 V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    1V @ 400mA, 8A
  • Обратный ток коллектора (Max)
    1µA
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    40 @ 4A, 1V
  • Рассеивание мощности
    1.75 W
  • Трансформация частоты
    90MHz
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
  • Исполнение корпуса
    I-PAK
  • Base Product Number
    MJD45

Техническая документация

 MJD45H11-1G.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    15C02MH-TL-ETRANS NPN 15V 1A MCPH3
    54Кешбэк 8 баллов
    BC857ALT1GТранзистор: TRANS PNP 45V 0.1A SOT23-3
    20Кешбэк 3 балла
    BC33716BUTRANS NPN 45V 0.8A TO92-3
    52Кешбэк 7 баллов
    MMBTA42LT1GТранзистор: TRANS NPN 300V 0.5A SOT23-3
    33.5Кешбэк 5 баллов
    BC847AWT1GТранзистор: TRANS NPN 45V 0.1A SC70-3
    30.5Кешбэк 4 балла
    BC517_D74ZTRANS NPN DARL 30V 1.2A TO92-3
    83Кешбэк 12 баллов
    30C02MH-TL-ETRANS NPN 30V 0.7A 3MCPH
    61Кешбэк 9 баллов
    BCP56-16T1GТранзистор: TRANS NPN 80V 1A SOT223
    92Кешбэк 13 баллов
    BC849CLT1GTRANS NPN 30V 0.1A SOT23-3
    18.8Кешбэк 2 балла
    BC547BBUТранзистор: TRANS NPN 45V 0.1A TO92-3
    41Кешбэк 6 баллов
    BC848BLT1GTRANS NPN 30V 0.1A SOT23-3
    23Кешбэк 3 балла
    MMBT8099LT1TRANS NPN 80V 0.5A SOT23-3
    8.3Кешбэк 1 балл
    BC546BTFТранзистор: TRANS NPN 65V 0.1A TO92-3
    46Кешбэк 6 баллов
    NZT7053TRANS NPN DARL 100V 1.5A SOT223
    110Кешбэк 16 баллов
    BC857BLT1GТранзистор: TRANS PNP 45V 0.1A SOT23-3
    20Кешбэк 3 балла
    BC32725BUTRANS PNP 45V 0.8A TO92-3
    56Кешбэк 8 баллов
    BSS63LT1GТранзистор: TRANS PNP 100V 0.1A SOT23-3
    30Кешбэк 4 балла
    2N3904BUТранзистор: TRANS NPN 40V 0.2A TO92-3
    50Кешбэк 7 баллов
    BC550CTAТранзистор: TRANS NPN 45V 0.1A TO92-3
    34Кешбэк 5 баллов
    NZT560ATRANS NPN 60V 3A SOT223-4
    125Кешбэк 18 баллов
    PZT2907ATRANS PNP 60V 0.8A SOT223-4
    26.7Кешбэк 4 балла
    12A02CH-TL-ETRANS PNP 12V 1A 3CPH
    37Кешбэк 5 баллов
    MMBT3906WT1
    53Кешбэк 7 баллов
    BUD42DGTRANS NPN 350V 4A DPAK
    89Кешбэк 13 баллов
    MMBT6429LT1GTRANS NPN 45V 0.2A SOT23-3
    25.5Кешбэк 3 балла
    MMBTA05LT1GTRANS NPN 60V 0.5A SOT23-3
    29Кешбэк 4 балла
    MMBTA06LT1GTRANS NPN 80V 0.5A SOT23-3
    22.7Кешбэк 3 балла
    MMBT2369ALT1GТранзистор: TRANS NPN 15V 0.2A SOT23-3
    30.5Кешбэк 4 балла
    BC546ABUТранзистор: TRANS NPN 65V 0.1A TO92-3
    46Кешбэк 6 баллов
    SBC817-40LT1GТранзистор: TRANS NPN 45V 0.5A SOT23-3
    33Кешбэк 4 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Высокочастотные диоды
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Симисторы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Триодные тиристоры - Модули
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    IGBT транзисторы
    Диоды силовые
    Транзисторы - IGBT - модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Симисторы - Модули
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - Модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Полевые транзисторы - Сборки
    Варикапы и Варакторы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диодные мосты - Модули
    Диодные мосты
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Диоды - выпрямители - массивы
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы - Специального назначения
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Принадлежности
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Тиристоры - SCR
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы - JFET
    Полевые транзисторы - Модули
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП