Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Одиночные биполярные транзисторы
MJD45H11-1G
  • В избранное
  • В сравнение
MJD45H11-1G

MJD45H11-1G

MJD45H11-1G
;
MJD45H11-1G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    MJD45H11-1G
  • Описание:
    TRANS PNP 80V 8A IPAKВсе характеристики

Минимальная цена MJD45H11-1G при покупке от 1 шт 337.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MJD45H11-1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MJD45H11-1G

MJD45H11-1G onsemi TRANS PNP 80V 8A IPAK — это полупроводниковый транзистор.

  • Основные параметры:
    • Напряжение вCollector-emitter (VCE) = 80В
    • Ток Collector (IC) = 8А
    • Тип транзистора: PNP
    • Упаковка: IPAK (Интегральный корпус)
  • Плюсы:
    • Высокая надежность
    • Высокий коэффициент усиления
    • Устойчивость к перегреву
    • Простота в использовании
  • Минусы:
    • Требует дополнительных компонентов для работы (например, диоды, конденсаторы)
    • Не подходит для прямого управления от логических уровней без усилителя
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения
    • Управление электрическими цепями
    • Обратная связь в схемах
  • Применяется в:
    • Автомобильной электронике
    • Электропитании устройств
    • Системах управления двигателей
    • Коммутационных приборах
Выбрано: Показать

Характеристики MJD45H11-1G

  • Тип транзистора
    PNP
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    8 A
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    80 V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    1V @ 400mA, 8A
  • Обратный ток коллектора (Max)
    1µA
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    40 @ 4A, 1V
  • Рассеивание мощности
    1.75 W
  • Трансформация частоты
    90MHz
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
  • Исполнение корпуса
    I-PAK
  • Base Product Number
    MJD45

Техническая документация

 MJD45H11-1G.pdf
pdf. 0 kb
  • 50 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    337 ₽
  • 75
    150 ₽
  • 525
    112 ₽
  • 2025
    94 ₽
  • 10050
    82 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    MJD45H11-1G
  • Описание:
    TRANS PNP 80V 8A IPAKВсе характеристики

Минимальная цена MJD45H11-1G при покупке от 1 шт 337.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MJD45H11-1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MJD45H11-1G

MJD45H11-1G onsemi TRANS PNP 80V 8A IPAK — это полупроводниковый транзистор.

  • Основные параметры:
    • Напряжение вCollector-emitter (VCE) = 80В
    • Ток Collector (IC) = 8А
    • Тип транзистора: PNP
    • Упаковка: IPAK (Интегральный корпус)
  • Плюсы:
    • Высокая надежность
    • Высокий коэффициент усиления
    • Устойчивость к перегреву
    • Простота в использовании
  • Минусы:
    • Требует дополнительных компонентов для работы (например, диоды, конденсаторы)
    • Не подходит для прямого управления от логических уровней без усилителя
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения
    • Управление электрическими цепями
    • Обратная связь в схемах
  • Применяется в:
    • Автомобильной электронике
    • Электропитании устройств
    • Системах управления двигателей
    • Коммутационных приборах
Выбрано: Показать

Характеристики MJD45H11-1G

  • Тип транзистора
    PNP
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    8 A
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    80 V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    1V @ 400mA, 8A
  • Обратный ток коллектора (Max)
    1µA
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    40 @ 4A, 1V
  • Рассеивание мощности
    1.75 W
  • Трансформация частоты
    90MHz
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
  • Исполнение корпуса
    I-PAK
  • Base Product Number
    MJD45

Техническая документация

 MJD45H11-1G.pdf
pdf. 0 kb
Доставка

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    DNLS320E-13TRANS NPN 20V 3A SOT223-3
    169Кешбэк 25 баллов
    FMMT624TCTRANS NPN 125V 1A SOT23-3
    171Кешбэк 25 баллов
    FMMT619TCTRANS NPN 50V 2A SOT23-3
    171Кешбэк 25 баллов
    FMMT734TATRANS PNP DARL 100V 0.8A SOT23-3
    171Кешбэк 25 баллов
    ZXTN25060BZTATRANS NPN 60V 5A SOT89-3
    173Кешбэк 25 баллов
    DXTP19020DP5-13TRANS PNP 20V 8A POWERDI5
    173Кешбэк 25 баллов
    ZXTN25100DZTAТранзистор: TRANS NPN 100V 2.5A SOT89-3
    173Кешбэк 25 баллов
    ZXTP05120HFFTATRANS PNP DARL 120V 1A SOT23F
    173Кешбэк 25 баллов
    ZXTN25012EZTATRANS NPN 12V 6.5A SOT89-3
    173Кешбэк 25 баллов
    ZXTP25012EZTATRANS PNP 12V 4.5A SOT89-3
    173Кешбэк 25 баллов
    ZXTN26020DMFTATRANS NPN 20V 1.5A 3DFN
    173Кешбэк 25 баллов
    ZXTP25100CZTAТранзистор: TRANS PNP 100V 1A SOT89-3
    173Кешбэк 25 баллов
    ZXTN25040DZTATRANS NPN 40V 5A SOT89-3
    173Кешбэк 25 баллов
    ZXTP25040DZTATRANS PNP 40V 3A SOT89-3
    173Кешбэк 25 баллов
    ZXTN25020DZTATRANS NPN 20V 6A SOT89-3
    173Кешбэк 25 баллов
    DXT2907A-13TRANS PNP 60V 0.6A SOT89-3
    173Кешбэк 25 баллов
    ZXTN08400BFFTATRANS NPN 400V 0.5A SOT23F
    173Кешбэк 25 баллов
    FCX789ATATRANS PNP 25V 3A SOT89-3
    173Кешбэк 25 баллов
    FCX690BTAТранзистор: TRANS NPN 45V 2A SOT89-3
    175Кешбэк 26 баллов
    FMMT560QTATRANS PNP 500V 0.15A SOT23-3
    175Кешбэк 26 баллов
    MJD340-13TRANS NPN 300V 0.5A TO252-3
    177Кешбэк 26 баллов
    MJD350-13TRANS PNP 300V 0.5A TO252-3
    177Кешбэк 26 баллов
    2DB1184Q-13TRANS PNP 50V 3A TO252-3
    177Кешбэк 26 баллов
    2DB1386R-13TRANS PNP 20V 5A SOT89-3
    177Кешбэк 26 баллов
    ZXTP25020CFHTATRANS PNP 20V 4A SOT23-3
    178Кешбэк 26 баллов
    FZT649TATRANS NPN 25V 3A SOT223-3
    179Кешбэк 26 баллов
    FZT851TATRANS NPN 60V 6A SOT223-3
    180Кешбэк 27 баллов
    DXT696BK-13TRANS NPN 180V 0.5A TO252-3
    181Кешбэк 27 баллов
    FZT7053TATRANS NPN DARL 100V 1.5A SOT223
    183Кешбэк 27 баллов
    FCX605TAТранзистор: TRANS NPN DARL 120V 1A SOT89-3
    183Кешбэк 27 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы - JFET
    Модули драйверов питания
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Варикапы и Варакторы
    Симисторы
    Диоды силовые
    Высокочастотные диоды
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды - ВЧ
    Диодные мосты
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Одиночные IGBT транзисторы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы специального назначения
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - IGBT - модули
    Одиночные биполярные транзисторы
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диодные мосты - Модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Сборки биполярных транзисторов
    Одиночные триодные тиристоры
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    IGBT транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Биполярные транзисторы
    Полевые транзисторы - Модули
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Симисторы - Модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Модули триодных тиристоров
    Диоды - мостовые выпрямители
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Транзисторные модули
    Тиристоры - SCR
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП