Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
MJD45H11J
  • В избранное
  • В сравнение
MJD45H11J

MJD45H11J

MJD45H11J
;
MJD45H11J

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    NEXPERIA
  • Артикул:
    MJD45H11J
  • Описание:
    Транзистор: TRANS PNP 80V 8A DPAKВсе характеристики

Минимальная цена MJD45H11J при покупке от 1 шт 313.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MJD45H11J с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MJD45H11J

Разрешенные ТОЛЬКО теги:

,

    ,
  • , .

    • Основные параметры:
      • Тип: Транзистор PNP
      • Напряжение коллектора-;base: 80В
      • Максимальный ток коллектора: 8А
      • Пакет: DPAK
    • Плюсы:
      • Высокая надежность и стабильность работы
      • Высокие характеристики при работе с высокими напряжениями и токами
      • Простота использования в различных схемах
    • Минусы:
      • Требует дополнительных компонентов для некоторых схем
      • Меньше эффективен по сравнению с NPN-транзисторами в некоторых приложениях
    • Общее назначение:
      • Управление нагрузками при высоких напряжениях и токах
      • Использование в источниках питания
      • Контроль и управление электрическими цепями
    • В каких устройствах применяется:
      • Автомобильных системах
      • Электронных блоках питания
      • Стабилизаторах напряжения
      • Промышленном оборудовании
Выбрано: Показать

Характеристики MJD45H11J

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    PNP
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    8 A
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    80 V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    1V @ 400mA, 8A
  • Обратный ток коллектора (Max)
    1µA
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    60 @ 2A, 1V
  • Рассеивание мощности
    1.75 W
  • Трансформация частоты
    80MHz
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Исполнение корпуса
    DPAK
  • Base Product Number
    MJD45H11

Техническая документация

 MJD45H11J.pdf
pdf. 0 kb
  • 822 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    313 ₽
  • 10
    208 ₽
  • 500
    133 ₽
  • 5000
    127 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    NEXPERIA
  • Артикул:
    MJD45H11J
  • Описание:
    Транзистор: TRANS PNP 80V 8A DPAKВсе характеристики

Минимальная цена MJD45H11J при покупке от 1 шт 313.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MJD45H11J с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MJD45H11J

Разрешенные ТОЛЬКО теги:

,

    ,
  • , .

    • Основные параметры:
      • Тип: Транзистор PNP
      • Напряжение коллектора-;base: 80В
      • Максимальный ток коллектора: 8А
      • Пакет: DPAK
    • Плюсы:
      • Высокая надежность и стабильность работы
      • Высокие характеристики при работе с высокими напряжениями и токами
      • Простота использования в различных схемах
    • Минусы:
      • Требует дополнительных компонентов для некоторых схем
      • Меньше эффективен по сравнению с NPN-транзисторами в некоторых приложениях
    • Общее назначение:
      • Управление нагрузками при высоких напряжениях и токах
      • Использование в источниках питания
      • Контроль и управление электрическими цепями
    • В каких устройствах применяется:
      • Автомобильных системах
      • Электронных блоках питания
      • Стабилизаторах напряжения
      • Промышленном оборудовании
Выбрано: Показать

Характеристики MJD45H11J

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    PNP
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    8 A
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    80 V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    1V @ 400mA, 8A
  • Обратный ток коллектора (Max)
    1µA
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    60 @ 2A, 1V
  • Рассеивание мощности
    1.75 W
  • Трансформация частоты
    80MHz
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Исполнение корпуса
    DPAK
  • Base Product Number
    MJD45H11

Техническая документация

 MJD45H11J.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    PBHV9115TLHRTRANS PNP 150V 1A TO236AB
    133Кешбэк 19 баллов
    PHPT61002NYCLHXTRANS NPN 100V 2A LFPAK56 PWRSO8
    146Кешбэк 21 балл
    PHPT61002PYCLHXTRANS PNP 100V 2A LFPAK56 PWRSO8
    146Кешбэк 21 балл
    BC56PA,115TRANS NPN 80V 1A 3HUSON
    149Кешбэк 22 балла
    PBSS4480XZTRANS NPN 80V 4A SOT89
    152Кешбэк 22 балла
    PBSS5540ZFPBSS5540Z/SC-73/REEL 13" Q1/T1
    156Кешбэк 23 балла
    MJD2873JTRANS NPN 50V 2A DPAK
    160Кешбэк 24 балла
    MJD32CAJMJD32CA/SOT428/DPAK
    228Кешбэк 34 балла
    MJD31CAJMJD31CA/SOT428/DPAK
    247Кешбэк 37 баллов
    MJD45H11JТранзистор: TRANS PNP 80V 8A DPAK
    313Кешбэк 46 баллов
    S8550-HTRANS PNP 25V 0.5A TO92
    12Кешбэк 1 балл
    S8050-HTRANS NPN 25V 0.5A TO92
    13Кешбэк 1 балл
    DXTP3C60PS-13TRANS PNP 60V 3A POWERDI5060-8
    154Кешбэк 23 балла
    DXTP3C60PSQ-13TRANS PNP 60V 3A POWERDI5060-8
    192Кешбэк 28 баллов
    FZT651QTCТранзистор: PWR MID PERF TRANSISTOR SOT223 T
    269Кешбэк 40 баллов
    BC337-16 A1GTRANS NPN 45V 0.8A TO92
    1.16Кешбэк 1 балл
    BC847B RFGTRANS NPN 45V 0.1A SOT23
    6.8Кешбэк 1 балл
    BC817-16 RFGTRANS NPN 45V 0.5A SOT23
    14.5Кешбэк 2 балла
    MMBT3906 RFGТранзистор: TRANS PNP 40V 0.2A SOT23
    30.4Кешбэк 4 балла
    BC847BW RFGTRANS NPN 45V 0.1A SOT323
    34Кешбэк 5 баллов
    BC807-16 RFGTRANS PNP 45V 0.5A SOT23
    42Кешбэк 6 баллов
    TSA884CX RFGTRANS PNP 500V 0.15A SOT23
    135Кешбэк 20 баллов
    TSC873CW RPGTRANS NPN 400V 1A SOT223
    207Кешбэк 31 балл
    TSC4505CX RFGTRANS NPN 400V 0.3A SOT23
    243Кешбэк 36 баллов
    BCX70J-TPTRANS NPN 45V 0.2A SOT23
    19.4Кешбэк 2 балла
    MMBT5401HE3-TPTRANS PNP 150V 0.6A SOT23
    42Кешбэк 6 баллов
    BCX56-16HE3-TPТранзистор: TRANS NPN 80V 1A SOT89
    57Кешбэк 8 баллов
    BCP51-16-TPTRANS PNP 45V 1A SOT223
    66Кешбэк 9 баллов
    BCP56-16-TPTRANS NPN 80V 1A SOT223
    68Кешбэк 10 баллов
    BCX56-16-TPTRANS NPN 80V 1A SOT89
    76Кешбэк 11 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды - мостовые выпрямители
    IGBT транзисторы
    Варикапы и Варакторы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы специального назначения
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Модули триодных тиристоров
    Модули драйверов питания
    Диоды силовые
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Полевые транзисторы - Модули
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Одиночные IGBT транзисторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Одиночные триодные тиристоры
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Модули драйверов питания
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - IGBT - модули
    Высокочастотные диоды
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Тиристоры - SCR
    Тиристоры - SCR - модули
    Диодные мосты
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диодные мосты - Модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Симисторы - Модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторные модули
    Сборки биполярных транзисторов
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Тиристоры - TRIACs
    Одиночные биполярные транзисторы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Биполярные транзисторы
    Симисторы
    Транзисторы - JFET
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Высокочастотные полевые транзисторы
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП