Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Биполярные транзисторы - Одиночные
MJE18008G
  • В избранное
  • В сравнение
MJE18008G

MJE18008G

MJE18008G
;
MJE18008G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    MJE18008G
  • Описание:
    TRANS NPN 450V 8A TO220Все характеристики

Минимальная цена MJE18008G при покупке от 1 шт 508.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MJE18008G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MJE18008G

MJE18008G onsemi TRANS NPN 450V 8A TO220

  • Основные параметры:
    • Напряжение на выходе (VCEO): 450В
    • Ток непрерывного тока (ICM): 8А
    • Тип: Транзистор NPN
    • Пакет: TO220
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и стабильность работы
    • Высокий коэффициент усиления
    • Доступность и экономичность
    • Компактный размер пакета TO220
  • Минусы:
    • Требует дополнительного охлаждения при высоких нагрузках
    • Могут быть ограничения по максимальному току при высоких температурах
  • Общее назначение:
    • Использование в источниках питания
    • Управление нагрузками в электронных устройствах
    • Регулировка напряжения
    • Применение в системах управления двигателей
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Электроприборы
    • Источники бесперебойного питания
    • Системы управления промышленным оборудованием
Выбрано: Показать

Характеристики MJE18008G

  • Package
    Tube
  • Тип транзистора
    NPN
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    8 A
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    450 V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    700mV @ 900mA, 4.5V
  • Обратный ток коллектора (Max)
    100µA
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    14 @ 1A, 5V
  • Рассеивание мощности
    125 W
  • Трансформация частоты
    13MHz
  • Рабочая температура
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-220-3
  • Исполнение корпуса
    TO-220
  • Base Product Number
    MJE18008

Техническая документация

 MJE18008G.pdf
pdf. 0 kb
  • 2964 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    508 ₽
  • 10
    276 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    MJE18008G
  • Описание:
    TRANS NPN 450V 8A TO220Все характеристики

Минимальная цена MJE18008G при покупке от 1 шт 508.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MJE18008G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MJE18008G

MJE18008G onsemi TRANS NPN 450V 8A TO220

  • Основные параметры:
    • Напряжение на выходе (VCEO): 450В
    • Ток непрерывного тока (ICM): 8А
    • Тип: Транзистор NPN
    • Пакет: TO220
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и стабильность работы
    • Высокий коэффициент усиления
    • Доступность и экономичность
    • Компактный размер пакета TO220
  • Минусы:
    • Требует дополнительного охлаждения при высоких нагрузках
    • Могут быть ограничения по максимальному току при высоких температурах
  • Общее назначение:
    • Использование в источниках питания
    • Управление нагрузками в электронных устройствах
    • Регулировка напряжения
    • Применение в системах управления двигателей
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Электроприборы
    • Источники бесперебойного питания
    • Системы управления промышленным оборудованием
Выбрано: Показать

Характеристики MJE18008G

  • Package
    Tube
  • Тип транзистора
    NPN
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    8 A
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    450 V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    700mV @ 900mA, 4.5V
  • Обратный ток коллектора (Max)
    100µA
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    14 @ 1A, 5V
  • Рассеивание мощности
    125 W
  • Трансформация частоты
    13MHz
  • Рабочая температура
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-220-3
  • Исполнение корпуса
    TO-220
  • Base Product Number
    MJE18008

Техническая документация

 MJE18008G.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    ZTX853STZTRANS NPN 100V 4A E-LINE
    259Кешбэк 38 баллов
    BC52PA,115NOW NEXPERIA BC52PA - SMALL SIGN
    89Кешбэк 13 баллов
    FCX558TATRANS PNP 400V 0.2A SOT89-3
    145Кешбэк 21 балл
    2SD1664T100PTRANS NPN 32V 1A MPT3
    126Кешбэк 18 баллов
    MJE15030TRANS NPN 150V 8A TO220
    391Кешбэк 58 баллов
    DSC7Q01S0LTRANS NPN DARL 80V 1A MINIP3
    138Кешбэк 20 баллов
    FMMT495TAТранзистор: TRANS NPN 150V 1A SOT23-3
    94Кешбэк 14 баллов
    CMPTA92 TRTRANS PNP 300V 0.5A SOT23
    96Кешбэк 14 баллов
    BUL805TRANS NPN 450V 5A TO220
    189Кешбэк 28 баллов
    2SB1412TLRTRANS PNP 20V 5A CPT3
    296Кешбэк 44 балла
    TIP32GTRANS PNP 40V 3A TO220
    252Кешбэк 37 баллов
    MJE2955TGTRANS PNP 60V 10A TO220
    226Кешбэк 33 балла
    50A02MH-TL-ETRANS PNP 50V 0.5A 3MCPH
    78Кешбэк 11 баллов
    2SC5200-O(Q)Транзистор: TRANS NPN 230V 15A TO3P
    443Кешбэк 66 баллов
    BCW66HTATRANS NPN 45V 0.8A SOT23-3
    54Кешбэк 8 баллов
    BD13516STUTRANS NPN 45V 1.5A TO126-3
    210Кешбэк 31 балл
    MMBTA14-7-FTRANS NPN DARL 30V 0.3A SOT23-3
    37Кешбэк 5 баллов
    PBSS5220T,215TRANS PNP 20V 2A TO236AB
    83Кешбэк 12 баллов
    2N5195TRANS PNP 80V 4A SOT32-3
    39Кешбэк 5 баллов
    2N3019DIE TRANS NPN SMALL SIGNAL 80V
    209Кешбэк 31 балл
    ZX5T949GTAТранзистор: TRANS PNP 30V 5.5A SOT223-3
    269Кешбэк 40 баллов
    BCX5216TATRANS PNP 60V 1A SOT89-3
    82Кешбэк 12 баллов
    BSS64LT1GTRANS NPN 80V 0.1A SOT23-3
    35Кешбэк 5 баллов
    ZXTP2009ZTATRANS PNP 40V 5.5A SOT89-3
    239Кешбэк 35 баллов
    NJVMJD42CRLGTRANS PNP 100V 6A DPAK
    278Кешбэк 41 балл
    BC856BLT1GTRANS PNP 65V 0.1A SOT23-3
    18Кешбэк 2 балла
    PMBTA42,215TRANS NPN 300V 0.1A TO236AB
    33.3Кешбэк 4 балла
    BD677GTRANS NPN DARL 60V 4A TO126
    78Кешбэк 11 баллов
    ZXTN25020DGTATRANS NPN 20V 7A SOT223-3
    228Кешбэк 34 балла
    BC549CTAТранзистор: TRANS NPN 30V 0.1A TO92-3
    54Кешбэк 8 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы - Специального назначения
    Диоды силовые
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Принадлежности
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Симисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - Модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Высокочастотные диоды
    Полевые транзисторы - Модули
    Варикапы и Варакторы
    Диодные мосты
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Драйверы питания - Модули
    Симисторы - Модули
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Транзисторы - JFET
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    IGBT транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Триодные тиристоры - Модули
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Диоды - ВЧ
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диодные мосты - Модули
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Биполярные транзисторы - Сборки
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП