Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Одиночные биполярные транзисторы
MJE182G
  • В избранное
  • В сравнение
MJE182G

MJE182G

MJE182G
;
MJE182G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    ONSEMI
  • Артикул:
    MJE182G
  • Описание:
    Транзистор: TRANS NPN 80V 3A TO126Все характеристики

Минимальная цена MJE182G при покупке от 1 шт 241.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MJE182G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MJE182G

MJE182G onsemi Транзистор: TRANS NPN 80В 3А TO126

  • Основные параметры:
    • Тип: NPN-транзистор
    • Номинальное напряжение: 80В
    • Номинальный ток: 3А
    • Пакет: TO126
  • Плюсы:
    • Высокая мощность
    • Устойчивость к перегрузкам
    • Малый размер и легкость
    • Прочность при работе в различных условиях
  • Минусы:
    • Необходимо учитывать параметры работы в разных режимах
    • Требуется правильная термическая вентиляция для предотвращения перегрева
  • Общее назначение:
    • Использование в электронных цепях как усилитель сигнала
    • Регулировка тока в нагрузках
    • Выполнение функций управления в электроприводах
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы управления двигателем
    • Электроприводы и промышленное оборудование
    • Стабилизаторы напряжения
    • Инверторы и преобразователи
Выбрано: Показать

Характеристики MJE182G

  • Тип транзистора
    NPN
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    3 A
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    80 V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    1.7V @ 600mA, 3A
  • Обратный ток коллектора (Max)
    100nA (ICBO)
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    50 @ 100mA, 1V
  • Рассеивание мощности
    1.5 W
  • Трансформация частоты
    50MHz
  • Рабочая температура
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-225AA, TO-126-3
  • Исполнение корпуса
    TO-126
  • Base Product Number
    MJE182

Техническая документация

 MJE182G.pdf
pdf. 0 kb
  • 442 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    241 ₽
  • 10
    155 ₽
  • 100
    107 ₽
  • 1000
    70 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    ONSEMI
  • Артикул:
    MJE182G
  • Описание:
    Транзистор: TRANS NPN 80V 3A TO126Все характеристики

Минимальная цена MJE182G при покупке от 1 шт 241.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MJE182G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MJE182G

MJE182G onsemi Транзистор: TRANS NPN 80В 3А TO126

  • Основные параметры:
    • Тип: NPN-транзистор
    • Номинальное напряжение: 80В
    • Номинальный ток: 3А
    • Пакет: TO126
  • Плюсы:
    • Высокая мощность
    • Устойчивость к перегрузкам
    • Малый размер и легкость
    • Прочность при работе в различных условиях
  • Минусы:
    • Необходимо учитывать параметры работы в разных режимах
    • Требуется правильная термическая вентиляция для предотвращения перегрева
  • Общее назначение:
    • Использование в электронных цепях как усилитель сигнала
    • Регулировка тока в нагрузках
    • Выполнение функций управления в электроприводах
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы управления двигателем
    • Электроприводы и промышленное оборудование
    • Стабилизаторы напряжения
    • Инверторы и преобразователи
Выбрано: Показать

Характеристики MJE182G

  • Тип транзистора
    NPN
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    3 A
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    80 V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    1.7V @ 600mA, 3A
  • Обратный ток коллектора (Max)
    100nA (ICBO)
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    50 @ 100mA, 1V
  • Рассеивание мощности
    1.5 W
  • Трансформация частоты
    50MHz
  • Рабочая температура
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-225AA, TO-126-3
  • Исполнение корпуса
    TO-126
  • Base Product Number
    MJE182

Техническая документация

 MJE182G.pdf
pdf. 0 kb
Доставка

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    MJD243T4GTRANS NPN 100V 4A DPAK
    228Кешбэк 34 балла
    MJD41CRLGTRANS NPN 100V 6A DPAK
    228Кешбэк 34 балла
    MJE180STUTRANS NPN 40V 3A TO126-3
    228Кешбэк 34 балла
    MMJT350T1GTRANS PNP 300V 0.5A SOT223
    230Кешбэк 34 балла
    KSE13003H1ASTUTRANS NPN 400V 1.5A TO126-3
    232Кешбэк 34 балла
    MJD148T4GTRANS NPN 45V 4A DPAK
    232Кешбэк 34 балла
    BD13516SТранзистор: TRANS NPN 45V 1.5A TO126-3
    232Кешбэк 34 балла
    MJD44H11-1GTRANS NPN 80V 8A IPAK
    236Кешбэк 35 баллов
    NJVMJD44H11RLGТранзистор: TRANS NPN 80V 8A DPAK
    237Кешбэк 35 баллов
    FSB619TRANS NPN 50V 2A SOT23-3
    238Кешбэк 35 баллов
    BD787GTRANS NPN 60V 4A TO126
    238Кешбэк 35 баллов
    BD135GTRANS NPN 45V 1.5A TO126
    238Кешбэк 35 баллов
    2SC3649S-TD-ETRANS NPN 160V 1.5A PCP
    238Кешбэк 35 баллов
    2SA2126-TL-ETRANS PNP 50V 3A TP-FA
    238Кешбэк 35 баллов
    KSD882YSTUТранзистор: TRANS NPN 30V 3A TO126-3
    239Кешбэк 35 баллов
    MJD41CT4GТранзистор: TRANS NPN 100V 6A DPAK
    240Кешбэк 36 баллов
    NJVMJD128T4GTRANS PNP DARL 120V 8A DPAK
    240Кешбэк 36 баллов
    NJVMJD42CT4GТранзистор: TRANS PNP 100V 6A DPAK
    240Кешбэк 36 баллов
    MJD44H11RLGТранзистор: TRANS NPN 80V 8A DPAK
    240Кешбэк 36 баллов
    BD135TGTRANS NPN 45V 1.5A TO126
    240Кешбэк 36 баллов
    MJE182GТранзистор: TRANS NPN 80V 3A TO126
    241Кешбэк 36 баллов
    NJVMJD243T4GTRANS NPN 100V 4A DPAK
    244Кешбэк 36 баллов
    NJVMJD112T4GTRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
    244Кешбэк 36 баллов
    NSV1C301ET4GTRANS NPN 100V 3A DPAK
    244Кешбэк 36 баллов
    BD17510STUTRANS NPN 45V 3A TO126-3
    244Кешбэк 36 баллов
    TIP110GTRANS NPN DARL 60V 2A TO220
    244Кешбэк 36 баллов
    FJE3303H1TUTRANS NPN 400V 1.5A TO126-3
    244Кешбэк 36 баллов
    TIP50GTRANS NPN 400V 1A TO220
    246Кешбэк 36 баллов
    MJD117T4GTRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
    248Кешбэк 37 баллов
    2N6488GTRANS NPN 80V 15A TO220
    248Кешбэк 37 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Модули драйверов питания
    Высокочастотные диоды
    Симисторы - Модули
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Полевые транзисторы - Модули
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Тиристоры - SCR
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Одиночные триодные тиристоры
    Модули драйверов питания
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Варикапы и Варакторы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Полевые транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Модули триодных тиристоров
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    IGBT транзисторы
    Тиристоры - SCR - модули
    Диодные мосты
    Симисторы
    Диоды - ВЧ
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - JFET
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Одиночные биполярные транзисторы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторные модули
    Транзисторы специального назначения
    Диодные мосты - Модули
    Сборки биполярных транзисторов
    Одиночные IGBT транзисторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды силовые
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП