Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Биполярные транзисторы - Одиночные
MJE5731G
  • В избранное
  • В сравнение
MJE5731G

MJE5731G

MJE5731G
;
MJE5731G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    MJE5731G
  • Описание:
    TRANS PNP 350V 1A TO220Все характеристики

Минимальная цена MJE5731G при покупке от 1 шт 332.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MJE5731G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MJE5731G

MJE5731G onsemi TRANS PNP 350V 1A TO220

  • Основные параметры:
    • Тип: PNP (полярный)
    • Номинальное напряжение: 350В
    • Номинальная токовая способность: 1А
    • Пакет: TO220
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и стабильность
    • Устойчивость к перегреву
    • Высокий коэффициент усиления
    • Компактность
  • Минусы:
    • Требует дополнительного охлаждения при больших нагрузках
    • Не подходит для высокочастотных приложений из-за индуктивности корпуса
  • Общее назначение:
    • Использование в электронных схемах как управляющий элемент
    • Регулировка напряжений
    • Измерение токов
    • Переключение высоких токов
  • Применение в устройствах:
    • Автомобильные системы
    • Питание и регулировка напряжений в бытовой технике
    • Электронные устройства управления двигателей
    • Системы защиты от перегрузок
Выбрано: Показать

Характеристики MJE5731G

  • Тип транзистора
    PNP
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    1 A
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    350 V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    1V @ 200mA, 1A
  • Обратный ток коллектора (Max)
    1mA
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    30 @ 300mA, 10V
  • Рассеивание мощности
    40 W
  • Трансформация частоты
    10MHz
  • Рабочая температура
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-220-3
  • Исполнение корпуса
    TO-220
  • Base Product Number
    MJE5731

Техническая документация

 MJE5731G.pdf
pdf. 0 kb
  • 340 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    332 ₽
  • 10
    159 ₽
  • 100
    142 ₽
  • 500
    112 ₽
  • 1000
    96 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    MJE5731G
  • Описание:
    TRANS PNP 350V 1A TO220Все характеристики

Минимальная цена MJE5731G при покупке от 1 шт 332.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MJE5731G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MJE5731G

MJE5731G onsemi TRANS PNP 350V 1A TO220

  • Основные параметры:
    • Тип: PNP (полярный)
    • Номинальное напряжение: 350В
    • Номинальная токовая способность: 1А
    • Пакет: TO220
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и стабильность
    • Устойчивость к перегреву
    • Высокий коэффициент усиления
    • Компактность
  • Минусы:
    • Требует дополнительного охлаждения при больших нагрузках
    • Не подходит для высокочастотных приложений из-за индуктивности корпуса
  • Общее назначение:
    • Использование в электронных схемах как управляющий элемент
    • Регулировка напряжений
    • Измерение токов
    • Переключение высоких токов
  • Применение в устройствах:
    • Автомобильные системы
    • Питание и регулировка напряжений в бытовой технике
    • Электронные устройства управления двигателей
    • Системы защиты от перегрузок
Выбрано: Показать

Характеристики MJE5731G

  • Тип транзистора
    PNP
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    1 A
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    350 V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    1V @ 200mA, 1A
  • Обратный ток коллектора (Max)
    1mA
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    30 @ 300mA, 10V
  • Рассеивание мощности
    40 W
  • Трансформация частоты
    10MHz
  • Рабочая температура
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-220-3
  • Исполнение корпуса
    TO-220
  • Base Product Number
    MJE5731

Техническая документация

 MJE5731G.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    BD682TRANS PNP DARL 100V 4A TO126
    216Кешбэк 32 балла
    TIP107TRANS PNP DARL 100V 8A TO220
    216Кешбэк 32 балла
    TIP112TRANS NPN DARL 100V 2A TO220-3
    219Кешбэк 32 балла
    TIP42CТранзистор: TRANS PNP 100V 6A TO220-3
    222Кешбэк 33 балла
    2STD1665T4TRANS NPN 65V 6A DPAK
    224Кешбэк 33 балла
    STD13003T4TRANS NPN 400V 1.5A DPAK
    226Кешбэк 33 балла
    ST901TТранзистор: TRANS NPN DARL 350V 4A TO220
    227Кешбэк 34 балла
    BDX53BTRANS NPN DARL 80V 8A TO220
    233Кешбэк 34 балла
    2SD882Транзистор: TRANS NPN 30V 3A SOT32
    233Кешбэк 34 балла
    TIP47TRANS NPN 250V 1A TO220-3
    234Кешбэк 35 баллов
    STN9260TRANS PNP 600V 0.5A SOT223
    235Кешбэк 35 баллов
    BDW93CTRANS NPN DARL 100V 12A TO220-3
    240Кешбэк 36 баллов
    MJD31CT4TRANS NPN 100V 3A DPAK
    243Кешбэк 36 баллов
    TIP42ATRANS PNP 60V 6A TO220AB
    243Кешбэк 36 баллов
    TIP41CTRANS NPN 100V 6A TO220-3
    245Кешбэк 36 баллов
    STN851TRANS NPN 60V 5A SOT223
    248Кешбэк 37 баллов
    BDW94CTRANS PNP DARL 100V 12A TO220-3
    250Кешбэк 37 баллов
    STN851-ATRANS NPN 60V 5A SOT223
    252Кешбэк 37 баллов
    STLD128DNT4TRANS NPN 400V 4A DPAK
    252Кешбэк 37 баллов
    TIP3055TRANS NPN 100V 15A TO218
    253Кешбэк 37 баллов
    D44H11TRANS NPN 80V 10A TO220-3
    257Кешбэк 38 баллов
    BUL741TRANS NPN 400V 2.5A TO220
    258Кешбэк 38 баллов
    BD911TRANS NPN 100V 15A TO220
    259Кешбэк 38 баллов
    MJD3055T4TRANS NPN 60V 10A DPAK
    259Кешбэк 38 баллов
    BUX87TRANS NPN 450V 0.5A SOT32-3
    260Кешбэк 39 баллов
    2ST31ATRANS NPN 60V 3A TO220
    261Кешбэк 39 баллов
    STD2805T4Транзистор: TRANS PNP 60V 5A DPAK
    269Кешбэк 40 баллов
    MJD122-1TRANS NPN DARL 100V 8A TO251
    269Кешбэк 40 баллов
    MJD47T4TRANS NPN 250V 1A DPAK
    270Кешбэк 40 баллов
    TIP102TRANS NPN DARL 100V 8A TO220AB
    271Кешбэк 40 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диодные мосты - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Модули драйверов питания
    Варикапы и Варакторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - Специального назначения
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Триодные тиристоры - Модули
    Тиристоры - TRIACs
    Диодные мосты
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Высокочастотные диоды
    Диоды силовые
    IGBT транзисторы
    Драйверы питания - Модули
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Полевые транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды - мостовые выпрямители
    Симисторы - Модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Полевые транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - Модули
    Диоды выпрямительные - Модули
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Симисторы
    Принадлежности
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Тиристоры - SCR - модули
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП