Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Одиночные биполярные транзисторы
MJE5731G
  • В избранное
  • В сравнение
MJE5731G

MJE5731G

MJE5731G
;
MJE5731G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    MJE5731G
  • Описание:
    TRANS PNP 350V 1A TO220Все характеристики

Минимальная цена MJE5731G при покупке от 1 шт 361.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MJE5731G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MJE5731G

MJE5731G onsemi TRANS PNP 350V 1A TO220

  • Основные параметры:
    • Тип: PNP (полярный)
    • Номинальное напряжение: 350В
    • Номинальная токовая способность: 1А
    • Пакет: TO220
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и стабильность
    • Устойчивость к перегреву
    • Высокий коэффициент усиления
    • Компактность
  • Минусы:
    • Требует дополнительного охлаждения при больших нагрузках
    • Не подходит для высокочастотных приложений из-за индуктивности корпуса
  • Общее назначение:
    • Использование в электронных схемах как управляющий элемент
    • Регулировка напряжений
    • Измерение токов
    • Переключение высоких токов
  • Применение в устройствах:
    • Автомобильные системы
    • Питание и регулировка напряжений в бытовой технике
    • Электронные устройства управления двигателей
    • Системы защиты от перегрузок
Выбрано: Показать

Характеристики MJE5731G

  • Тип транзистора
    PNP
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    1 A
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    350 V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    1V @ 200mA, 1A
  • Обратный ток коллектора (Max)
    1mA
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    30 @ 300mA, 10V
  • Рассеивание мощности
    40 W
  • Трансформация частоты
    10MHz
  • Рабочая температура
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-220-3
  • Исполнение корпуса
    TO-220
  • Base Product Number
    MJE5731

Техническая документация

 MJE5731G.pdf
pdf. 0 kb
  • 358 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    361 ₽
  • 10
    173 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    MJE5731G
  • Описание:
    TRANS PNP 350V 1A TO220Все характеристики

Минимальная цена MJE5731G при покупке от 1 шт 361.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MJE5731G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MJE5731G

MJE5731G onsemi TRANS PNP 350V 1A TO220

  • Основные параметры:
    • Тип: PNP (полярный)
    • Номинальное напряжение: 350В
    • Номинальная токовая способность: 1А
    • Пакет: TO220
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и стабильность
    • Устойчивость к перегреву
    • Высокий коэффициент усиления
    • Компактность
  • Минусы:
    • Требует дополнительного охлаждения при больших нагрузках
    • Не подходит для высокочастотных приложений из-за индуктивности корпуса
  • Общее назначение:
    • Использование в электронных схемах как управляющий элемент
    • Регулировка напряжений
    • Измерение токов
    • Переключение высоких токов
  • Применение в устройствах:
    • Автомобильные системы
    • Питание и регулировка напряжений в бытовой технике
    • Электронные устройства управления двигателей
    • Системы защиты от перегрузок
Выбрано: Показать

Характеристики MJE5731G

  • Тип транзистора
    PNP
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    1 A
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    350 V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    1V @ 200mA, 1A
  • Обратный ток коллектора (Max)
    1mA
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    30 @ 300mA, 10V
  • Рассеивание мощности
    40 W
  • Трансформация частоты
    10MHz
  • Рабочая температура
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-220-3
  • Исполнение корпуса
    TO-220
  • Base Product Number
    MJE5731

Техническая документация

 MJE5731G.pdf
pdf. 0 kb
Доставка

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    DNLS320E-13TRANS NPN 20V 3A SOT223-3
    169Кешбэк 25 баллов
    FMMT624TCTRANS NPN 125V 1A SOT23-3
    171Кешбэк 25 баллов
    FMMT619TCTRANS NPN 50V 2A SOT23-3
    171Кешбэк 25 баллов
    FMMT734TATRANS PNP DARL 100V 0.8A SOT23-3
    171Кешбэк 25 баллов
    ZXTN25060BZTATRANS NPN 60V 5A SOT89-3
    173Кешбэк 25 баллов
    DXTP19020DP5-13TRANS PNP 20V 8A POWERDI5
    173Кешбэк 25 баллов
    ZXTN25100DZTAТранзистор: TRANS NPN 100V 2.5A SOT89-3
    173Кешбэк 25 баллов
    ZXTP05120HFFTATRANS PNP DARL 120V 1A SOT23F
    173Кешбэк 25 баллов
    ZXTN25012EZTATRANS NPN 12V 6.5A SOT89-3
    173Кешбэк 25 баллов
    ZXTP25012EZTATRANS PNP 12V 4.5A SOT89-3
    173Кешбэк 25 баллов
    ZXTN26020DMFTATRANS NPN 20V 1.5A 3DFN
    173Кешбэк 25 баллов
    ZXTP25100CZTAТранзистор: TRANS PNP 100V 1A SOT89-3
    173Кешбэк 25 баллов
    ZXTN25040DZTATRANS NPN 40V 5A SOT89-3
    173Кешбэк 25 баллов
    ZXTP25040DZTATRANS PNP 40V 3A SOT89-3
    173Кешбэк 25 баллов
    ZXTN25020DZTATRANS NPN 20V 6A SOT89-3
    173Кешбэк 25 баллов
    DXT2907A-13TRANS PNP 60V 0.6A SOT89-3
    173Кешбэк 25 баллов
    ZXTN08400BFFTATRANS NPN 400V 0.5A SOT23F
    173Кешбэк 25 баллов
    FCX789ATATRANS PNP 25V 3A SOT89-3
    173Кешбэк 25 баллов
    FCX690BTAТранзистор: TRANS NPN 45V 2A SOT89-3
    175Кешбэк 26 баллов
    FMMT560QTATRANS PNP 500V 0.15A SOT23-3
    175Кешбэк 26 баллов
    MJD340-13TRANS NPN 300V 0.5A TO252-3
    177Кешбэк 26 баллов
    MJD350-13TRANS PNP 300V 0.5A TO252-3
    177Кешбэк 26 баллов
    2DB1184Q-13TRANS PNP 50V 3A TO252-3
    177Кешбэк 26 баллов
    2DB1386R-13TRANS PNP 20V 5A SOT89-3
    177Кешбэк 26 баллов
    ZXTP25020CFHTATRANS PNP 20V 4A SOT23-3
    178Кешбэк 26 баллов
    FZT649TATRANS NPN 25V 3A SOT223-3
    179Кешбэк 26 баллов
    FZT851TATRANS NPN 60V 6A SOT223-3
    180Кешбэк 27 баллов
    DXT696BK-13TRANS NPN 180V 0.5A TO252-3
    181Кешбэк 27 баллов
    FZT7053TATRANS NPN DARL 100V 1.5A SOT223
    183Кешбэк 27 баллов
    FCX605TAТранзистор: TRANS NPN DARL 120V 1A SOT89-3
    183Кешбэк 27 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - JFET
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Симисторы - Модули
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Сборки биполярных транзисторов
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диодные мосты
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Варикапы и Варакторы
    Биполярные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диодные мосты - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Модули драйверов питания
    Транзисторные модули
    Транзисторы специального назначения
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    IGBT транзисторы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - IGBT - модули
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Модули драйверов питания
    Диоды - выпрямители - массивы
    Одиночные биполярные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Одиночные триодные тиристоры
    Модули триодных тиристоров
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды силовые
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды - ВЧ
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Одиночные IGBT транзисторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Тиристоры - SCR - модули
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Симисторы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды - мостовые выпрямители
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП