Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
MM3Z10VST1G
  • В избранное
  • В сравнение
MM3Z10VST1G

MM3Z10VST1G

MM3Z10VST1G
;
MM3Z10VST1G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    ON SEMICONDUCTOR
  • Артикул:
    MM3Z10VST1G
  • Описание:
    Диод: DIODE ZENER 10V 300MW SOD323Все характеристики

Минимальная цена MM3Z10VST1G при покупке от 1 шт 21.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MM3Z10VST1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MM3Z10VST1G

MM3Z10VST1G onsemi Диод:

  • Тип: Диод зендер
  • Напряжение зенда: 10В
  • Мощность: 300мВт
  • Форм-фактор: SOD323

Основные параметры:

  • Рабочий диапазон напряжения: от 9,5В до 10,5В
  • Противодействие обратному току: до 100мА
  • Температурный коэффициент: ±50мВ/°C

Плюсы:

  • Высокая стабильность напряжения при изменении температуры
  • Компактный размер (форм-фактор SOD323)
  • Высокая мощность

Минусы:

  • Высокие цены по сравнению с обычными диодами
  • Обратный ток ограничивается 100мА

Общее назначение:

  • Стабилизация напряжения в электронных устройствах
  • Защита от перенапряжений
  • Измерение напряжения

В каких устройствах применяется:

  • Системы питания
  • Мобильные устройства
  • Автомобильная электроника
  • Промышленное оборудование
  • Видеонаблюдение
Выбрано: Показать

Характеристики MM3Z10VST1G

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Напряжение туннельного пробоя p-n- перехода (Vz)
    10 V
  • Допуск
    ±2%
  • Рассеивание мощности
    300 mW
  • Импеданс (Макс) (Zzt)
    15 Ohms
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    500 nA @ 6 V
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    900 mV @ 10 mA
  • Рабочая температура
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SC-76, SOD-323
  • Исполнение корпуса
    SOD-323
  • Base Product Number
    MM3Z10

Техническая документация

 MM3Z10VST1G.pdf
pdf. 0 kb
  • 1258 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    21 ₽
  • 100
    8 ₽
  • 500
    5.3 ₽
  • 3000
    3.8 ₽
  • 9000
    3.3 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    ON SEMICONDUCTOR
  • Артикул:
    MM3Z10VST1G
  • Описание:
    Диод: DIODE ZENER 10V 300MW SOD323Все характеристики

Минимальная цена MM3Z10VST1G при покупке от 1 шт 21.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MM3Z10VST1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MM3Z10VST1G

MM3Z10VST1G onsemi Диод:

  • Тип: Диод зендер
  • Напряжение зенда: 10В
  • Мощность: 300мВт
  • Форм-фактор: SOD323

Основные параметры:

  • Рабочий диапазон напряжения: от 9,5В до 10,5В
  • Противодействие обратному току: до 100мА
  • Температурный коэффициент: ±50мВ/°C

Плюсы:

  • Высокая стабильность напряжения при изменении температуры
  • Компактный размер (форм-фактор SOD323)
  • Высокая мощность

Минусы:

  • Высокие цены по сравнению с обычными диодами
  • Обратный ток ограничивается 100мА

Общее назначение:

  • Стабилизация напряжения в электронных устройствах
  • Защита от перенапряжений
  • Измерение напряжения

В каких устройствах применяется:

  • Системы питания
  • Мобильные устройства
  • Автомобильная электроника
  • Промышленное оборудование
  • Видеонаблюдение
Выбрано: Показать

Характеристики MM3Z10VST1G

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Напряжение туннельного пробоя p-n- перехода (Vz)
    10 V
  • Допуск
    ±2%
  • Рассеивание мощности
    300 mW
  • Импеданс (Макс) (Zzt)
    15 Ohms
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    500 nA @ 6 V
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    900 mV @ 10 mA
  • Рабочая температура
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SC-76, SOD-323
  • Исполнение корпуса
    SOD-323
  • Base Product Number
    MM3Z10

Техническая документация

 MM3Z10VST1G.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    MMSZ2V7T1GДиод: DIODE ZENER 2.7V 500MW SOD123
    21Кешбэк 3 балла
    MMBZ5228BLT1GДиод: DIODE ZENER 3.9V 225MW SOT23-3
    21Кешбэк 3 балла
    MM3Z13VST1GДиод: DIODE ZENER 13V 300MW SOD323
    21Кешбэк 3 балла
    MM3Z10VST1GДиод: DIODE ZENER 10V 300MW SOD323
    21Кешбэк 3 балла
    BZX84C3V3LT1GДиод: DIODE ZENER 3.3V 225MW SOT23-3
    21.2Кешбэк 3 балла
    BZX84C6V2LT1GДиод: DIODE ZENER 6.2V 225MW SOT23-3
    21.3Кешбэк 3 балла
    BZX84B6V2LT1GДиод: DIODE ZENER 6.2V 225MW SOT23-3
    21.3Кешбэк 3 балла
    MM3Z2V4T1GДиод: DIODE ZENER 2.4V 300MW SOD323
    21.3Кешбэк 3 балла
    MMSZ6V2T1GДиод: DIODE ZENER 6.2V 500MW SOD123
    21.3Кешбэк 3 балла
    MMSZ27T1GДиод: DIODE ZENER 27V 500MW SOD123
    21.3Кешбэк 3 балла
    MM3Z13VT1GДиод: DIODE ZENER 13V 300MW SOD323
    21.3Кешбэк 3 балла
    MMSZ4688T1GДиод: DIODE ZENER 4.7V 500MW SOD123
    21.3Кешбэк 3 балла
    MMSZ5253BT1GДиод: DIODE ZENER 25V 500MW SOD123
    21.3Кешбэк 3 балла
    BZX84C3V0LT1GДиод: DIODE ZENER 3V 225MW SOT23-3
    21.3Кешбэк 3 балла
    MMSZ30T1GДиод: DIODE ZENER 30V 500MW SOD123
    21.3Кешбэк 3 балла
    MMSZ4687T1GДиод: DIODE ZENER 4.3V 500MW SOD123
    21.3Кешбэк 3 балла
    MMSZ4685T1GДиод: DIODE ZENER 3.6V 500MW SOD123
    21.3Кешбэк 3 балла
    MMBZ5241BLT1GДиод: DIODE ZENER 11V 225MW SOT23-3
    21.4Кешбэк 3 балла
    MMBZ5231BLT1GДиод: DIODE ZENER 5.1V 225MW SOT23-3
    21.4Кешбэк 3 балла
    MMSZ5221BT1GДиод: DIODE ZENER 2.4V 500MW SOD123
    21.4Кешбэк 3 балла
    MMSZ4689T1GДиод: DIODE ZENER 5.1V 500MW SOD123
    21.6Кешбэк 3 балла
    MMSZ5V1T1GДиод: DIODE ZENER 5.1V 500MW SOD123
    21.7Кешбэк 3 балла
    MMBZ5243BLT1GДиод: DIODE ZENER 13V 225MW SOT23-3
    22.3Кешбэк 3 балла
    MM5Z3V6T1GДиод: DIODE ZENER 3.6V 500MW SOD523
    22.6Кешбэк 3 балла
    MMSZ5248BT1GДиод: DIODE ZENER 18V 500MW SOD123
    22.8Кешбэк 3 балла
    1SMA5930BT3GДиод: DIODE ZENER 16V 1.5W SMA
    23Кешбэк 3 балла
    MM3Z9V1ST1GДиод: DIODE ZENER 9.1V 300MW SOD323
    23Кешбэк 3 балла
    MMSZ4684T1GДиод: DIODE ZENER 3.3V 500MW SOD123
    23.3Кешбэк 3 балла
    MMSZ4707T1GДиод: DIODE ZENER 20V 500MW SOD123
    23.3Кешбэк 3 балла
    MM5Z4V7T1GДиод: DIODE ZENER 4.7V 500MW SOD523
    23.4Кешбэк 3 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Модули драйверов питания
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторные модули
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Сборки биполярных транзисторов
    Транзисторы специального назначения
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Модули драйверов питания
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды силовые
    Тиристоры - SCR - модули
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Тиристоры - TRIACs
    Диодные мосты - Модули
    Симисторы - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диодные мосты
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Тиристоры - SCR
    Диоды - мостовые выпрямители
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Варикапы и Варакторы
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Высокочастотные диоды
    Симисторы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Модули триодных тиристоров
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Одиночные триодные тиристоры
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диоды - выпрямители - массивы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    IGBT транзисторы
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Одиночные биполярные транзисторы
    Транзисторы - JFET
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды - ВЧ
    Одиночные IGBT транзисторы
    Полевые транзисторы - Сборки
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП