Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Высокочастотные диоды
MMBD301LT3G
  • В избранное
  • В сравнение
MMBD301LT3G

MMBD301LT3G

MMBD301LT3G
;
MMBD301LT3G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    MMBD301LT3G
  • Описание:
    DIODE SCHOTTKY 30V 200MW SOT23-3Все характеристики

Минимальная цена MMBD301LT3G при покупке от 1 шт 19.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MMBD301LT3G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MMBD301LT3G

MMBD301LT3G onsemi DIODE SCHOTTKY 30V 200MW SOT23-3

  • Основные параметры:
    • Напряжение срабатывания: 30В
    • Максимальная мощность: 200мВт
    • Форм-фактор: SOT23-3
  • Плюсы:
    • Высокая скорость переключения
    • Низкое напряжение срабатывания
    • Малый размер корпуса
    • Высокая теплопроводность
  • Минусы:
    • Средняя долговечность при частом использовании
    • Уязвимость к электрическому удару
  • Общее назначение:
    • Использование в электронных устройствах для блокировки обратного тока
    • Защита электронных компонентов от обратного напряжения
    • Изоляция цепей от внешних воздействий
  • В каких устройствах применяется:
    • Блоки питания
    • Мобильные устройства
    • Автомобильная электроника
    • Промышленное оборудование
    • Телекоммуникационное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики MMBD301LT3G

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип диода
    Schottky - Single
  • Обратное Напряжение (Макс)
    30V
  • Емкость @ Vr, F
    1.5pF @ 15V, 1MHz
  • Рассеивание мощности (Макс)
    200 mW
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 125°C (TJ)
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Исполнение корпуса
    SOT-23-3 (TO-236)
  • Base Product Number
    MMBD301

Техническая документация

 MMBD301LT3G.pdf
pdf. 0 kb
  • 36401 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    19 ₽
  • 25
    9.2 ₽
  • 250
    7 ₽
  • 1000
    6.2 ₽
  • 5000
    5.6 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    MMBD301LT3G
  • Описание:
    DIODE SCHOTTKY 30V 200MW SOT23-3Все характеристики

Минимальная цена MMBD301LT3G при покупке от 1 шт 19.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MMBD301LT3G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MMBD301LT3G

MMBD301LT3G onsemi DIODE SCHOTTKY 30V 200MW SOT23-3

  • Основные параметры:
    • Напряжение срабатывания: 30В
    • Максимальная мощность: 200мВт
    • Форм-фактор: SOT23-3
  • Плюсы:
    • Высокая скорость переключения
    • Низкое напряжение срабатывания
    • Малый размер корпуса
    • Высокая теплопроводность
  • Минусы:
    • Средняя долговечность при частом использовании
    • Уязвимость к электрическому удару
  • Общее назначение:
    • Использование в электронных устройствах для блокировки обратного тока
    • Защита электронных компонентов от обратного напряжения
    • Изоляция цепей от внешних воздействий
  • В каких устройствах применяется:
    • Блоки питания
    • Мобильные устройства
    • Автомобильная электроника
    • Промышленное оборудование
    • Телекоммуникационное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики MMBD301LT3G

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип диода
    Schottky - Single
  • Обратное Напряжение (Макс)
    30V
  • Емкость @ Vr, F
    1.5pF @ 15V, 1MHz
  • Рассеивание мощности (Макс)
    200 mW
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 125°C (TJ)
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Исполнение корпуса
    SOT-23-3 (TO-236)
  • Base Product Number
    MMBD301

Техническая документация

 MMBD301LT3G.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    BA89202VH6327XTSA1RF DIODE STANDARD 35V SC79-2
    11.4Кешбэк 1 балл
    BAT1705WH6327XTSA1DIODE SCHOTTKY 4V 150MW SOT323-3
    11.4Кешбэк 1 балл
    BAR6406WH6327XTSA1RF DIODE PIN 150V 250MW SOT323-3
    19.4Кешбэк 2 балла
    BA592E6433HTMA1RF DIODE STANDARD 35V SOD323-2
    21Кешбэк 3 балла
    BAR6303WE6327HTSA1Диод: RF DIODE PIN 50V 250MW SOD323-2
    25Кешбэк 3 балла
    BAR9002ELE6327XTMA1Диод: RF DIODE PIN 80V 250MW TSLP-2-19
    28.5Кешбэк 4 балла
    BAR6402ELE6327XTMA1RF DIODE PIN 150V 250MW TSLP2-19
    28.5Кешбэк 4 балла
    BAR9002ELSE6327XTSA1Диод: RF DIODE PIN 80V 250MW TSSLP-2
    30.4Кешбэк 4 балла
    BAR6304WH6327XTSA1Диод: RF DIODE PIN 50V 250MW SOT323-3
    32Кешбэк 4 балла
    BAR6403WE6327HTSA1Диод: RF DIODE PIN 150V 250MW SOD323-2
    36Кешбэк 5 баллов
    BA592E6327HTSA1Диод: RF DIODE STANDARD 35V SOD323-2
    38Кешбэк 5 баллов
    BAR 63-06W H6327RF PIN DIODE > ANTENNA SWITCH
    40Кешбэк 6 баллов
    BAR6405WH6327XTSA1Диод: RF DIODE PIN 150V 250MW SOT323-3
    42Кешбэк 6 баллов
    BAR6702VH6327XTSA1RF DIODE PIN 150V 250MW SC79-2
    44Кешбэк 6 баллов
    BAR6404WH6327XTSA1RF DIODE PIN 150V 250MW SOT323-3
    46Кешбэк 6 баллов
    BAT1707E6327HTSA1DIODE SCHOTTKY 4V 150MW SOT143-4
    65Кешбэк 9 баллов
    BAT6804WH6327XTSA1Диод: DIODE SCHOTTKY 8V 150MW SOT323-3
    90Кешбэк 13 баллов
    BAT1504WH6327XTSA1Диод: DIODE SCHOTTKY 4V 100MW SOT323-3
    90Кешбэк 13 баллов
    BAT1704WH6327XTSA1Диод: DIODE SCHOTTKY 4V 150MW SOT323-3
    90Кешбэк 13 баллов
    BAT62E6327HTSA1Диод: DIODE SCHOTTKY 40V 100MW SOT143
    108Кешбэк 16 баллов
    BAT6302VH6327XTSA1Диод: RF DIODE SCHOTTKY 3V 100MW SC79
    111Кешбэк 16 баллов
    BAT1502LRHE6327XTSA1RF DIODE SCHOTTKY 4V 100MW TSLP2
    122Кешбэк 18 баллов
    BAT1503WE6327HTSA1Диод: DIODE SCHOTTKY 4V 100MW SOD323-2
    141Кешбэк 21 балл
    BAT15099E6433HTMA1Диод: DIODE SCHOTTKY 4V 100MW SOT143-4
    190Кешбэк 28 баллов
    BAT2402LSE6327XTSA1DIODE SCHOTTKY 4V 100MW TSSLP-2
    198Кешбэк 29 баллов
    BAT15099RE6327HTSA1Диод: DIODE SCHOTTKY 4V 100MW SOT143-4
    251Кешбэк 37 баллов
    MMBD301LT1GДиод: DIODE SCHOTTKY 30V 200MW SOT23-3
    19Кешбэк 2 балла
    MBD110DWT1GRF DIODE SCHOTTKY 7V 120MW SC88
    19Кешбэк 2 балла
    MMBD301LT3GDIODE SCHOTTKY 30V 200MW SOT23-3
    19Кешбэк 2 балла
    MMBD770T1GDIODE SCHOTTKY 70V 120MW SC70-3
    19Кешбэк 2 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Сборки биполярных транзисторов
    Транзисторы специального назначения
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    IGBT транзисторы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Диодные мосты
    Одиночные биполярные транзисторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды силовые
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Симисторы - Модули
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Модули драйверов питания
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - JFET
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Одиночные триодные тиристоры
    Модули триодных тиристоров
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Модули драйверов питания
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Одиночные IGBT транзисторы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Симисторы
    Диоды - ВЧ
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диодные мосты - Модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Полевые транзисторы - Сборки
    Высокочастотные диоды
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Транзисторные модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Тиристоры - SCR
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП