Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
MMBF4393LT1G

MMBF4393LT1G

MMBF4393LT1G
;
MMBF4393LT1G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена MMBF4393LT1G при покупке от 1 шт 53.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MMBF4393LT1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MMBF4393LT1G

MMBF4393LT1G ONSEMI JFET N-CH 30V 0.225W SOT23-3

  • Основные параметры:
    • Напряжение разрыва: 30В
    • Мощность: 0.225Вт
    • Тип: JFET (Junction Field-Effect Transistor)
    • Тип поля: N-канальный
    • Форм-фактор: SOT23-3
  • Плюсы:
    • Низкое сопротивление входа
    • Высокая гальваническая изоляция
    • Устойчивость к электрическим шумам
    • Малый размер и легкий вес
  • Минусы:
    • Низкая пропускная способность по сравнению с MOSFET
    • Отсутствие контрольного поля
    • Зависимость тока от напряжения
  • Общее назначение:
    • Распределение сигнала в радиоэлектронных устройствах
    • Изоляция источников питания
    • Коммутация низковольтных сигналов
  • Применение в устройствах:
    • Сигнальные предварительные усилители
    • Изоляционные преобразователи уровня
    • Разъемные соединения
    • Микроконтроллерные платы
Выбрано: Показать

Характеристики MMBF4393LT1G

Техническая документация

MMBF4393LT1G.pdf
pdf. 0 kb
  • 3010 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    53 ₽
  • 50
    28.5 ₽
  • 250
    23.4 ₽
  • 1000
    20 ₽
  • 9000
    16.7 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена MMBF4393LT1G при покупке от 1 шт 53.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MMBF4393LT1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MMBF4393LT1G

MMBF4393LT1G ONSEMI JFET N-CH 30V 0.225W SOT23-3

  • Основные параметры:
    • Напряжение разрыва: 30В
    • Мощность: 0.225Вт
    • Тип: JFET (Junction Field-Effect Transistor)
    • Тип поля: N-канальный
    • Форм-фактор: SOT23-3
  • Плюсы:
    • Низкое сопротивление входа
    • Высокая гальваническая изоляция
    • Устойчивость к электрическим шумам
    • Малый размер и легкий вес
  • Минусы:
    • Низкая пропускная способность по сравнению с MOSFET
    • Отсутствие контрольного поля
    • Зависимость тока от напряжения
  • Общее назначение:
    • Распределение сигнала в радиоэлектронных устройствах
    • Изоляция источников питания
    • Коммутация низковольтных сигналов
  • Применение в устройствах:
    • Сигнальные предварительные усилители
    • Изоляционные преобразователи уровня
    • Разъемные соединения
    • Микроконтроллерные платы
Выбрано: Показать

Характеристики MMBF4393LT1G

Техническая документация

MMBF4393LT1G.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории