Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
 Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
MMBF4393LT3G
  • В избранное
  • В сравнение
MMBF4393LT3G

MMBF4393LT3G

MMBF4393LT3G
;
MMBF4393LT3G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    MMBF4393LT3G
  • Описание:
    JFET N-CH 30V 0.225W SOT23Все характеристики

Минимальная цена MMBF4393LT3G при покупке от 1 шт 85.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MMBF4393LT3G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MMBF4393LT3G

MMBF4393LT3G onsemi JFET N-CH 30V 0.225W SOT23

  • Основные параметры:
    • Напряжение блокировки: 30В
    • Мощность: 0,225Вт
    • Тип: JFET (Junction Field-Effect Transistor)
    • Тип канала: N-канальный
    • Пакет: SOT23
  • Плюсы:
    • Высокая скорость переключения
    • Устойчивость к электрическим шумам
    • Низкий уровень шума при работе
    • Компактный размер пакета SOT23
  • Минусы:
    • Низкая термическая стабильность
    • Высокие потери при больших токах
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения
    • Изоляция логических сигналов
    • Управление нагрузками
  • В каких устройствах применяется:
    • Мобильные устройства
    • Автомобильные системы
    • Электронные часы и другие небольшие электронные устройства
    • Промышленное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики MMBF4393LT3G

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Напряжение туннельного пробоя (V(BR)GSS)
    30 V
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30 V
  • Ток утечки (Idss) @ Vds (Vgs=0)
    5 mA @ 15 V
  • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id
    500 mV @ 10 nA
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    14pF @ 15V
  • Сопротивление в режиме насыщения (RDS)
    100 Ohms
  • Рассеивание мощности
    225 mW
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Исполнение корпуса
    SOT-23-3 (TO-236)
  • Base Product Number
    MMBF4393

Техническая документация

 MMBF4393LT3G.pdf
pdf. 0 kb
  • 7043 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    85 ₽
  • 100
    33 ₽
  • 1000
    20 ₽
  • 5000
    16.7 ₽
  • 20000
    14.2 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    MMBF4393LT3G
  • Описание:
    JFET N-CH 30V 0.225W SOT23Все характеристики

Минимальная цена MMBF4393LT3G при покупке от 1 шт 85.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MMBF4393LT3G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MMBF4393LT3G

MMBF4393LT3G onsemi JFET N-CH 30V 0.225W SOT23

  • Основные параметры:
    • Напряжение блокировки: 30В
    • Мощность: 0,225Вт
    • Тип: JFET (Junction Field-Effect Transistor)
    • Тип канала: N-канальный
    • Пакет: SOT23
  • Плюсы:
    • Высокая скорость переключения
    • Устойчивость к электрическим шумам
    • Низкий уровень шума при работе
    • Компактный размер пакета SOT23
  • Минусы:
    • Низкая термическая стабильность
    • Высокие потери при больших токах
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения
    • Изоляция логических сигналов
    • Управление нагрузками
  • В каких устройствах применяется:
    • Мобильные устройства
    • Автомобильные системы
    • Электронные часы и другие небольшие электронные устройства
    • Промышленное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики MMBF4393LT3G

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Напряжение туннельного пробоя (V(BR)GSS)
    30 V
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30 V
  • Ток утечки (Idss) @ Vds (Vgs=0)
    5 mA @ 15 V
  • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id
    500 mV @ 10 nA
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    14pF @ 15V
  • Сопротивление в режиме насыщения (RDS)
    100 Ohms
  • Рассеивание мощности
    225 mW
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Исполнение корпуса
    SOT-23-3 (TO-236)
  • Base Product Number
    MMBF4393

Техническая документация

 MMBF4393LT3G.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    J109JFET N-CH 25V 625MW TO92
    65Кешбэк 9 баллов
    2SK715W-ACJFET N-CH 50MA 300MW SPA
    69Кешбэк 10 баллов
    2SK715U-ACJFET N-CH 50MA 300MW SPA
    69Кешбэк 10 баллов
    2SK715UJFET N-CH 50MA 300MW SPA
    69Кешбэк 10 баллов
    J113SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
    73Кешбэк 10 баллов
    MMBF4393LT3GJFET N-CH 30V 0.225W SOT23
    85Кешбэк 12 баллов
    TF412ST5GТиристор: JFET N-CH 30V 10MA SOT883
    92Кешбэк 13 баллов
    2SK932-24-TB-EТиристор: JFET N-CH 50MA 200MW CP
    93Кешбэк 13 баллов
    MMBFU310LT1GJFET N-CH 25V 0.225W SOT23-3
    98Кешбэк 14 баллов
    MMBFJ175LT3GТиристор: JFET P-CH 30V 0.225W SOT23
    98Кешбэк 14 баллов
    NSVJ3557SA3T1GJFET N-CH 15V 50MA SC59-3/CP3
    109Кешбэк 16 баллов
    CPH3910-TL-EТиристор: JFET N-CH 25V 50MA 3CPH
    114Кешбэк 17 баллов
    2SK932-23-TB-EJFET N-CH 50MA 200MW 3CP
    125Кешбэк 18 баллов
    2SK2394-6-TB-EТиристор: JFET N-CH 50MA 200MW 3CP
    129Кешбэк 19 баллов
    2SK932-22-TB-EJFET N-CH 50MA 200MW 3CP
    139Кешбэк 20 баллов
    SMMBF4393LT1GJFET N-CH 30V 0.225W SOT23-3
    151Кешбэк 22 балла
    MCH3914-7-TL-HJFET N-CH 50MA 300MW SC70FL/MCPH
    185Кешбэк 27 баллов
    MCH5908H-TL-EJFET 2N-CH 0.3W MCPH5
    209Кешбэк 31 балл
    CPH6904-TL-EJFET 2N-CH 0.7W CPH6
    210Кешбэк 31 балл
    2SK879-GR(TE85L,F)JFET N-CH 0.1W USM
    104Кешбэк 15 баллов
    2SK208-R(TE85L,F)JFET N-CH 50V S-MINI
    127Кешбэк 19 баллов
    2SK880GRTE85LFJFET N-CH 50V 0.1W USM
    142Кешбэк 21 балл
    PN4117JFET N-CH 40V 0.35W TO92
    720Кешбэк 108 баллов
    PN4391SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
    826Кешбэк 123 балла
    P1087JFET P-CH 30V 350MW TO92
    880Кешбэк 132 балла
    P1086JFET P-CH 30V 0.35W TO92
    880Кешбэк 132 балла
    PN4117AJFET N-CH 40V 0.35W TO92
    920Кешбэк 138 баллов
    2N4391N CHANNEL J-FET T0-18
    2 807Кешбэк 421 балл
    2N4392N CHANNEL J-FET T0-18
    2 809Кешбэк 421 балл
    2N4393N CHANNEL J-FET T0-18
    2 809Кешбэк 421 балл

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Высокочастотные диоды
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Одиночные IGBT транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Одиночные биполярные транзисторы
    Модули драйверов питания
    Варикапы и Варакторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Сборки биполярных транзисторов
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    IGBT транзисторы
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы специального назначения
    Диодные мосты
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диодные мосты - Модули
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Симисторы
    Симисторы - Модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Одиночные триодные тиристоры
    Модули триодных тиристоров
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Диоды силовые
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Полевые транзисторы - Сборки
    Тиристоры - SCR - модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Модули драйверов питания
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Транзисторы - JFET
    Тиристоры - SCR
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторные модули
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП