Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
 Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
MMBF5459
  • В избранное
  • В сравнение
MMBF5459

MMBF5459

MMBF5459
;
MMBF5459

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    MMBF5459
  • Описание:
    JFET N-CH 25V 350MW SOT23Все характеристики

Минимальная цена MMBF5459 при покупке от 1 шт 83.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MMBF5459 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MMBF5459

MMBF5459 onsemi JFET N-CH 25V 350MW SOT23

  • Основные параметры:
    • Напряжение смещения: 25В
    • Максимальная мощность: 350мВт
    • Тип: N-канальный JFET (Junction Field-Effect Transistor)
    • Пакет: SOT23
  • Плюсы:
    • Высокая скорость включения/выключения
    • Большой диапазон рабочих температур
    • Малый размер и легкость интеграции в дизайн
    • Низкий уровень шума
  • Минусы:
    • Меньшая устойчивость к импульсным перенапряжениям
    • Необходимость использования дополнительных компонентов для некоторых приложений
  • Общее назначение:
    • Управление нагрузками
    • Изоляция сигналов
    • Коммутация
    • Регулирование напряжения
  • В каких устройствах применяется:
    • Мобильные устройства
    • Игровые приставки
    • Автомобили
    • Промышленное оборудование
    • Электронные часы
Выбрано: Показать

Характеристики MMBF5459

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Напряжение туннельного пробоя (V(BR)GSS)
    25 V
  • Ток утечки (Idss) @ Vds (Vgs=0)
    4 mA @ 15 V
  • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id
    2 V @ 10 nA
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    7pF @ 15V
  • Рассеивание мощности
    350 mW
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Исполнение корпуса
    SOT-23-3
  • Base Product Number
    MMBF54

Техническая документация

 MMBF5459.pdf
pdf. 0 kb
  • 122168 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    83 ₽
  • 2616
    20.4 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    MMBF5459
  • Описание:
    JFET N-CH 25V 350MW SOT23Все характеристики

Минимальная цена MMBF5459 при покупке от 1 шт 83.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MMBF5459 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MMBF5459

MMBF5459 onsemi JFET N-CH 25V 350MW SOT23

  • Основные параметры:
    • Напряжение смещения: 25В
    • Максимальная мощность: 350мВт
    • Тип: N-канальный JFET (Junction Field-Effect Transistor)
    • Пакет: SOT23
  • Плюсы:
    • Высокая скорость включения/выключения
    • Большой диапазон рабочих температур
    • Малый размер и легкость интеграции в дизайн
    • Низкий уровень шума
  • Минусы:
    • Меньшая устойчивость к импульсным перенапряжениям
    • Необходимость использования дополнительных компонентов для некоторых приложений
  • Общее назначение:
    • Управление нагрузками
    • Изоляция сигналов
    • Коммутация
    • Регулирование напряжения
  • В каких устройствах применяется:
    • Мобильные устройства
    • Игровые приставки
    • Автомобили
    • Промышленное оборудование
    • Электронные часы
Выбрано: Показать

Характеристики MMBF5459

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Напряжение туннельного пробоя (V(BR)GSS)
    25 V
  • Ток утечки (Idss) @ Vds (Vgs=0)
    4 mA @ 15 V
  • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id
    2 V @ 10 nA
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    7pF @ 15V
  • Рассеивание мощности
    350 mW
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Исполнение корпуса
    SOT-23-3
  • Base Product Number
    MMBF54

Техническая документация

 MMBF5459.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    2SK3738-TL-EMOSFET N-CH 40V SC-75
    39Кешбэк 5 баллов
    2SK715UJFET N-CH 50MA 300MW SPA
    67Кешбэк 10 баллов
    CPH3910-TL-EТиристор: JFET N-CH 25V 50MA 3CPH
    109Кешбэк 16 баллов
    MMBF4393LT3GJFET N-CH 30V 0.225W SOT23
    82Кешбэк 12 баллов
    MMBF5460Тиристор: JFET P-CH 40V 0.225W SOT23
    80Кешбэк 12 баллов
    NSVJ3557SA3T1GJFET N-CH 15V 50MA SC59-3/CP3
    91Кешбэк 13 баллов
    MMBFJ175LT3GТиристор: JFET P-CH 30V 0.225W SOT23
    93Кешбэк 13 баллов
    2SK2394-6-TB-EТиристор: JFET N-CH 50MA 200MW 3CP
    124Кешбэк 18 баллов
    BSR58JFET N-CH 40V 0.25W SOT-23
    82Кешбэк 12 баллов
    SMMBFJ175LT1GТиристор: TRANS JFET P-CH 30V SOT23
    52Кешбэк 7 баллов
    J113SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
    80Кешбэк 12 баллов
    MCH5908H-TL-EJFET 2N-CH 0.3W MCPH5
    202Кешбэк 30 баллов
    SMMBFJ177LT1GТиристор: TRANS JFET P-CH SOT23
    52Кешбэк 7 баллов
    TF256TH-4-TL-HJFET N-CH 1MA 100MW VTFP
    18.5Кешбэк 2 балла
    2SK932-24-TB-EТиристор: JFET N-CH 50MA 200MW CP
    91Кешбэк 13 баллов
    MMBF4393LT1GJFET N-CH 30V 0.225W SOT23-3
    55Кешбэк 8 баллов
    MCH3914-7-TL-HJFET N-CH 50MA 300MW SC70FL/MCPH
    178Кешбэк 26 баллов
    MMBF5457Тиристор: JFET N-CH 25V 350MW SOT23
    43Кешбэк 6 баллов
    SMMBF4393LT1GJFET N-CH 30V 0.225W SOT23-3
    145Кешбэк 21 балл
    2SK932-22-TB-EJFET N-CH 50MA 200MW 3CP
    133Кешбэк 19 баллов
    J109JFET N-CH 25V 625MW TO92
    64Кешбэк 9 баллов
    2SK880-BL(TE85L,F)JFET N-CH 50V 0.1W USM
    157Кешбэк 23 балла
    2SK880-Y(TE85L,F)JFET N-CH 50V 0.1W USM
    157Кешбэк 23 балла
    P1087JFET P-CH 30V 350MW TO92
    847Кешбэк 127 баллов
    PN4391SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
    795Кешбэк 119 баллов
    P1086JFET P-CH 30V 0.35W TO92
    847Кешбэк 127 баллов
    PN4117JFET N-CH 40V 0.35W TO92
    695Кешбэк 104 балла
    2N4858AТиристор: JFET N-CH 40V 0.36W TO-18
    2 842Кешбэк 426 баллов
    2N4391N CHANNEL J-FET T0-18
    2 701Кешбэк 405 баллов
    2N5116P-CHANNEL MOSFET TO-18
    2 785Кешбэк 417 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диодные мосты
    Диоды выпрямительные - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Диодные мосты - Модули
    Биполярные транзисторы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - Специального назначения
    Диоды - ВЧ
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диоды силовые
    Высокочастотные диоды
    Триодные тиристоры - Одиночные
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды - мостовые выпрямители
    Драйверы питания - Модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Симисторы - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Тиристоры - SCR
    Принадлежности
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - IGBT - модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Полевые транзисторы - Модули
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды - выпрямители - одиночные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - Модули
    Триодные тиристоры - Модули
    Тиристоры - SCR - модули
    Симисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП