Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
MMBFJ202

MMBFJ202

MMBFJ202
;
MMBFJ202

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена MMBFJ202 при покупке от 1 шт 82.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MMBFJ202 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MMBFJ202

MMBFJ202 ON SEMICONDUCTOR SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSISTOR

  • Основные параметры:
    • Максимальное напряжение коллектора-;base (VCEO) - 20 В
    • Максимальный ток дrain-source (ID) - 200 мА
    • Тип транзистора - N-channel JFET (Junction Field-Effect Transistor)
  • Плюсы:
    • Высокая частота работы
    • Низкий уровень шума
    • Высокая стабильность характеристик
    • Устойчивость к электромагнитным помехам
  • Минусы:
    • Низкая проводимость при малых напряжениях
    • Необходимость использования дополнительных компонентов для создания буферного усилителя
  • Общее назначение: Используется в малосигнальных цепях, где важны низкий уровень шума и высокая стабильность характеристик.
  • В каких устройствах применяется:
    • Аудиоусилители
    • Радиоприемники
    • Цифровые системы управления
    • Процессоры и микроконтроллеры
Выбрано: Показать

Характеристики MMBFJ202

Техническая документация

MMBFJ202.pdf
pdf. 0 kb
  • 2792 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    82 ₽
  • 10
    56 ₽
  • 100
    27 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена MMBFJ202 при покупке от 1 шт 82.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MMBFJ202 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MMBFJ202

MMBFJ202 ON SEMICONDUCTOR SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSISTOR

  • Основные параметры:
    • Максимальное напряжение коллектора-;base (VCEO) - 20 В
    • Максимальный ток дrain-source (ID) - 200 мА
    • Тип транзистора - N-channel JFET (Junction Field-Effect Transistor)
  • Плюсы:
    • Высокая частота работы
    • Низкий уровень шума
    • Высокая стабильность характеристик
    • Устойчивость к электромагнитным помехам
  • Минусы:
    • Низкая проводимость при малых напряжениях
    • Необходимость использования дополнительных компонентов для создания буферного усилителя
  • Общее назначение: Используется в малосигнальных цепях, где важны низкий уровень шума и высокая стабильность характеристик.
  • В каких устройствах применяется:
    • Аудиоусилители
    • Радиоприемники
    • Цифровые системы управления
    • Процессоры и микроконтроллеры
Выбрано: Показать

Характеристики MMBFJ202

Техническая документация

MMBFJ202.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории