Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Высокочастотные полевые транзисторы
MMBFJ211
  • В избранное
  • В сравнение
MMBFJ211

MMBFJ211

MMBFJ211
;
MMBFJ211

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi / Fairchild
  • Артикул:
    MMBFJ211
  • Описание:
    Транзистор: JFET N-CH 25V 20MA SOT23Все характеристики

Минимальная цена MMBFJ211 при покупке от 1 шт 133.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MMBFJ211 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MMBFJ211

MMBFJ211 onsemi / Fairchild Транзистор: JFET N-CH 25V 20MA SOT23

  • Основные параметры:
    • Тип: N-канальный JFET (Junction Field-Effect Transistor)
    • Номинальное напряжение: 25В
    • Номинальный ток: 20мА
    • Пакет: SOT23
  • Плюсы:
    • Высокая частота работы
    • Малое потребление энергии
    • Низкий уровень шума
    • Устойчивость к электрическим помехам
  • Минусы:
    • Не подходит для больших токов
    • Скорость перехода ниже, чем у биполярных транзисторов
  • Общее назначение:
    • Использование в качестве регулятора напряжения
    • Компенсация температурных изменений
    • Усиление сигналов
    • Изоляция сигналов
  • В каких устройствах применяется:
    • Медицинское оборудование
    • Электроника для домашнего использования
    • Автомобильная электроника
    • Промышленное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики MMBFJ211

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    N-Channel JFET
  • Current Rating (Amps)
    20mA
  • Нормальное напряжение
    25 V
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Исполнение корпуса
    SOT-23-3
  • Base Product Number
    MMBFJ2

Техническая документация

 MMBFJ211.pdf
pdf. 0 kb
  • 18955 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    133 ₽
  • 100
    53 ₽
  • 1000
    36 ₽
  • 6000
    24.4 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi / Fairchild
  • Артикул:
    MMBFJ211
  • Описание:
    Транзистор: JFET N-CH 25V 20MA SOT23Все характеристики

Минимальная цена MMBFJ211 при покупке от 1 шт 133.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MMBFJ211 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MMBFJ211

MMBFJ211 onsemi / Fairchild Транзистор: JFET N-CH 25V 20MA SOT23

  • Основные параметры:
    • Тип: N-канальный JFET (Junction Field-Effect Transistor)
    • Номинальное напряжение: 25В
    • Номинальный ток: 20мА
    • Пакет: SOT23
  • Плюсы:
    • Высокая частота работы
    • Малое потребление энергии
    • Низкий уровень шума
    • Устойчивость к электрическим помехам
  • Минусы:
    • Не подходит для больших токов
    • Скорость перехода ниже, чем у биполярных транзисторов
  • Общее назначение:
    • Использование в качестве регулятора напряжения
    • Компенсация температурных изменений
    • Усиление сигналов
    • Изоляция сигналов
  • В каких устройствах применяется:
    • Медицинское оборудование
    • Электроника для домашнего использования
    • Автомобильная электроника
    • Промышленное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики MMBFJ211

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    N-Channel JFET
  • Current Rating (Amps)
    20mA
  • Нормальное напряжение
    25 V
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Исполнение корпуса
    SOT-23-3
  • Base Product Number
    MMBFJ2

Техническая документация

 MMBFJ211.pdf
pdf. 0 kb
Доставка

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    BLF8G20LS-230VJТранзистор: RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1239B
    16 396Кешбэк 2 459 баллов
    BLF8G27LS-140,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V 17.4DB SOT502B
    16 396Кешбэк 2 459 баллов
    BLF8G27LS-140,118Транзистор: RF FET LDMOS 65V 17.4DB SOT502B
    16 396Кешбэк 2 459 баллов
    BLF8G10LS-270GV,12Транзистор: RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT1244C
    16 396Кешбэк 2 459 баллов
    BLF8G10LS-270GVJТранзистор: RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT1244C
    16 396Кешбэк 2 459 баллов
    BLF8G22LS-205VUТранзистор: RF FET LDMOS 65V 18.3DB SOT1239B
    16 396Кешбэк 2 459 баллов
    BLF7G20L-90P,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT1121A
    17 418Кешбэк 2 612 баллов
    BLF8G10LS-270V,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT1244B
    18 244Кешбэк 2 736 баллов
    BLF8G09LS-400PWJТранзистор: RF FET LDMOS 65V 20.6DB SOT1242B
    18 351Кешбэк 2 752 балла
    BLF8G09LS-400PWUТранзистор: RF FET LDMOS 65V 20.6DB SOT1242B
    18 351Кешбэк 2 752 балла
    BLF8G20LS-400PVJТранзистор: RF FET LDMOS 65V 19DB SOT1242B
    18 351Кешбэк 2 752 балла
    BLF8G20LS-400PVUТранзистор: RF FET LDMOS 65V 19DB SOT1242B
    18 351Кешбэк 2 752 балла
    BLF8G20LS-400PGVQТранзистор: RF FET LDMOS 65V 19DB SOT1242C
    18 351Кешбэк 2 752 балла
    BLF7G22LS-130,118Транзистор: RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT502B
    18 482Кешбэк 2 772 балла
    BLF6G22LS-130,118Транзистор: RF FET LDMOS 65V 17DB SOT502B
    18 575Кешбэк 2 786 баллов
    BLF8G22LS-270JТранзистор: RF FET LDMOS 65V 17.7DB SOT502B
    19 129Кешбэк 2 869 баллов
    BLF8G22LS-270GV,12Транзистор: RF FET LDMOS 65V 17.3DB SOT1244C
    19 129Кешбэк 2 869 баллов
    BLF8G22LS-270UТранзистор: RF FET LDMOS 65V 17.7DB SOT502B
    19 129Кешбэк 2 869 баллов
    BLF6G38LS-50,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V 14DB SOT502B
    19 174Кешбэк 2 876 баллов
    BLF6G10LS-200RN:11RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502B
    19 535Кешбэк 2 930 баллов
    BLF7G20LS-140P,112RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1121B
    19 863Кешбэк 2 979 баллов
    BLF6G20LS-110,118Транзистор: RF FET LDMOS 65V 19DB SOT502B
    20 377Кешбэк 3 056 баллов
    BLF6G20LS-110,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V 19DB SOT502B
    20 377Кешбэк 3 056 баллов
    BLF6G27LS-75,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V SOT502B
    20 700Кешбэк 3 105 баллов
    BLF6G22LS-130,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V 17DB SOT502B
    21 034Кешбэк 3 155 баллов
    BLF7G22LS-160,112RF FET LDMOS 65V 18DB SOT502B
    21 416Кешбэк 3 212 баллов
    BLF8G10LS-300PUТранзистор: RF FET LDMOS 65V 20.5DB SOT539B
    21 647Кешбэк 3 247 баллов
    BLF8G10LS-300PJТранзистор: RF FET LDMOS 65V 20.5DB SOT539B
    21 647Кешбэк 3 247 баллов
    BLF6G27-75,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V SOT502A
    21 722Кешбэк 3 258 баллов
    BLF6G10LS-135R,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V 21DB SOT502B
    21 811Кешбэк 3 271 балл

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Модули драйверов питания
    Диодные мосты - Модули
    Тиристоры - SCR - модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Одиночные IGBT транзисторы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диодные мосты
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Полевые транзисторы - Модули
    Модули драйверов питания
    Биполярные транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Сборки биполярных транзисторов
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы специального назначения
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Модули
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторы - JFET
    Диоды силовые
    Модули триодных тиристоров
    Тиристоры - TRIACs
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторные модули
    Высокочастотные диоды
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Диоды - мостовые выпрямители
    IGBT транзисторы
    Одиночные биполярные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Симисторы - Модули
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Одиночные триодные тиристоры
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Симисторы
    Диоды - выпрямители - массивы
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП