Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Биполярные транзисторы - Одиночные
MMBTA06WT1G
  • В избранное
  • В сравнение
MMBTA06WT1G

MMBTA06WT1G

MMBTA06WT1G
;
MMBTA06WT1G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    MMBTA06WT1G
  • Описание:
    TRANS NPN 80V 0.5A SC70-3Все характеристики

Минимальная цена MMBTA06WT1G при покупке от 1 шт 33.30 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MMBTA06WT1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MMBTA06WT1G

MMBTA06WT1G onsemi TRANS NPN 80V 0.5A SC70-3

  • Основные параметры:
    • Тип: NPN транзистор
    • Максимальное напряжение: 80В
    • Максимальный ток: 0.5А
    • Пакет: SC70-3
  • Плюсы:
    • Высокая надежность
    • Малый размер
    • Низкий сопротивление базы-эмиттера
    • Устойчивость к электрическим шумам
  • Минусы:
    • Малая мощность
    • Не подходит для высокочастотных приложений
  • Общее назначение:
    • Регулировка напряжения
    • Переключение сигналов
    • Инвертирование сигналов
    • Усиление сигналов
  • В каких устройствах применяется:
    • Системы управления двигателем
    • Автомобильные системы
    • Измерительная техника
    • Коммуникационное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики MMBTA06WT1G

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    NPN
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    500 mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    80 V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    250mV @ 10mA, 100mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    100nA
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    100 @ 100mA, 1V
  • Рассеивание мощности
    150 mW
  • Трансформация частоты
    100MHz
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SC-70, SOT-323
  • Исполнение корпуса
    SC-70-3 (SOT323)
  • Base Product Number
    MMBTA06

Техническая документация

 MMBTA06WT1G.pdf
pdf. 0 kb
  • 20960 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    33.3 ₽
  • 100
    12.4 ₽
  • 1000
    8 ₽
  • 6000
    5.8 ₽
  • 15000
    5 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    MMBTA06WT1G
  • Описание:
    TRANS NPN 80V 0.5A SC70-3Все характеристики

Минимальная цена MMBTA06WT1G при покупке от 1 шт 33.30 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MMBTA06WT1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MMBTA06WT1G

MMBTA06WT1G onsemi TRANS NPN 80V 0.5A SC70-3

  • Основные параметры:
    • Тип: NPN транзистор
    • Максимальное напряжение: 80В
    • Максимальный ток: 0.5А
    • Пакет: SC70-3
  • Плюсы:
    • Высокая надежность
    • Малый размер
    • Низкий сопротивление базы-эмиттера
    • Устойчивость к электрическим шумам
  • Минусы:
    • Малая мощность
    • Не подходит для высокочастотных приложений
  • Общее назначение:
    • Регулировка напряжения
    • Переключение сигналов
    • Инвертирование сигналов
    • Усиление сигналов
  • В каких устройствах применяется:
    • Системы управления двигателем
    • Автомобильные системы
    • Измерительная техника
    • Коммуникационное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики MMBTA06WT1G

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    NPN
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    500 mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    80 V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    250mV @ 10mA, 100mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    100nA
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    100 @ 100mA, 1V
  • Рассеивание мощности
    150 mW
  • Трансформация частоты
    100MHz
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SC-70, SOT-323
  • Исполнение корпуса
    SC-70-3 (SOT323)
  • Base Product Number
    MMBTA06

Техническая документация

 MMBTA06WT1G.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    NSVBC818-40LT1GTRANS NPN 25V 0.5A SOT23-3
    63Кешбэк 9 баллов
    NSS20101JT1GTRANS NPN 20V 1A SC89-3
    56Кешбэк 8 баллов
    NSS1C201MZ4T3GTRANS NPN 100V 2A SOT223
    158Кешбэк 23 балла
    NSS12200LT1GTRANS PNP 12V 2A SOT23-3
    111Кешбэк 16 баллов
    BC857BTT1GТранзистор: TRANS PNP 45V 0.1A SC75 SOT416
    22.5Кешбэк 3 балла
    MJE15028GTRANS NPN 120V 8A TO220
    378Кешбэк 56 баллов
    2N6388GTRANS NPN DARL 80V 10A TO220
    272Кешбэк 40 баллов
    2SB1122T-TD-ETRANS PNP 50V 1A PCP
    139Кешбэк 20 баллов
    NJD35N04T4GTRANS NPN DARL 350V 4A DPAK
    350Кешбэк 52 балла
    NSV20101JT1GTRANS NPN 20V 1A SC89-3
    384Кешбэк 57 баллов
    BC807-16LT3GТранзистор: TRANS PNP 45V 0.5A SOT23-3
    11.8Кешбэк 1 балл
    2SC6082-1ETRANS NPN 50V 15A TO220F-3SG
    393Кешбэк 58 баллов
    NZT660Транзистор: TRANS PNP 60V 3A SOT223-4
    159Кешбэк 23 балла
    FJT44TFTRANS NPN 400V 0.3A SOT223-4
    156Кешбэк 23 балла
    2SC4027T-TL-ETRANS NPN 160V 1.5A TP-FA
    300Кешбэк 45 баллов
    MPS2907ARLRAGTRANS PNP 60V 0.6A TO92
    20.4Кешбэк 3 балла
    SBC807-40LT1GТранзистор: TRANS PNP 45V 0.5A SOT23-3
    43Кешбэк 6 баллов
    NST3906F3T5GTRANS PNP 40V 0.2A SOT1123
    56Кешбэк 8 баллов
    SMMBTA56WT1GTRANS PNP 80V 0.5A SC70-3
    44.5Кешбэк 6 баллов
    BDX34CGTRANS PNP DARL 100V 10A TO220
    193Кешбэк 28 баллов
    MJD41CRLGTRANS NPN 100V 6A DPAK
    209Кешбэк 31 балл
    NSVMMBT589LT1GTRANS PNP 30V 1A SOT23-3
    161Кешбэк 24 балла
    SMMBT6521LT1GTRANS NPN 25V 0.1A SOT23-3
    154Кешбэк 23 балла
    2SA1416T-TD-EТранзистор: TRANS PNP 100V 1A PCP
    156Кешбэк 23 балла
    CPH3109-TL-ETRANS PNP 30V 3A 3CPH
    158Кешбэк 23 балла
    MMBT5088LT1GТранзистор: TRANS NPN 30V 0.05A SOT23-3
    32Кешбэк 4 балла
    BUX85GTRANS NPN 450V 2A TO220
    246Кешбэк 36 баллов
    2N5195GTRANS PNP 80V 4A TO126
    70Кешбэк 10 баллов
    BD679GTRANS NPN DARL 80V 4A TO126
    83Кешбэк 12 баллов
    NSS60601MZ4T1GТранзистор: TRANS NPN 60V 6A SOT223
    178Кешбэк 26 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Симисторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Принадлежности
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Драйверы питания - Модули
    Тиристоры - TRIACs
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Диодные мосты
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Тиристоры - SCR
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Симисторы - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диодные мосты - Модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Биполярные транзисторы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Полевые транзисторы - Модули
    IGBT транзисторы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - JFET
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диоды силовые
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - Специального назначения
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Варикапы и Варакторы
    Диоды - ВЧ
    Высокочастотные диоды
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП