Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Одиночные биполярные транзисторы
MMBTA13LT3G
  • В избранное
  • В сравнение
MMBTA13LT3G

MMBTA13LT3G

MMBTA13LT3G
;
MMBTA13LT3G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    MMBTA13LT3G
  • Описание:
    Транзистор: TRANS NPN DARL 30V 0.3A SOT23-3Все характеристики

Минимальная цена MMBTA13LT3G при покупке от 1 шт 36.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MMBTA13LT3G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MMBTA13LT3G

MMBTA13LT3G onsemi Транзистор: TRANS NPN DARL 30V 0.3A SOT23-3

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение блокировки VCEO: 30В
    • Номинальный ток IC: 0.3А
    • Тип: NPN транзистор Дарлингтона
    • Пакет: SOT23-3
  • Плюсы:
    • Высокая усиленная трансформация
    • Малый размер и легкий вес благодаря компактному пакету SOT23-3
    • Высокая надежность и долговечность
  • Минусы:
    • Высокие требования к охлаждению при больших нагрузках
    • Необходимость использования управляющего сигнала для управления током
  • Общее назначение:
    • Усиление сигналов
    • Контроль электрических цепей
    • Применяется в цифровых и аналоговых схемах
  • В каких устройствах применяется:
    • Системы управления двигателем
    • Автомобильные системы
    • Электронные часы и цифровые часы
    • Игровые консоли и периферийное оборудование
    • Мобильные устройства
Выбрано: Показать

Характеристики MMBTA13LT3G

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    NPN - Darlington
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    300 mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    30 V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    1.5V @ 100µA, 100mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    100nA (ICBO)
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    10000 @ 100mA, 5V
  • Рассеивание мощности
    225 mW
  • Трансформация частоты
    125MHz
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Исполнение корпуса
    SOT-23-3 (TO-236)
  • Base Product Number
    MMBTA13

Техническая документация

 MMBTA13LT3G.pdf
pdf. 0 kb
  • 15620 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    36 ₽
  • 100
    13.3 ₽
  • 1000
    8.5 ₽
  • 5000
    6.4 ₽
  • 20000
    5.2 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    MMBTA13LT3G
  • Описание:
    Транзистор: TRANS NPN DARL 30V 0.3A SOT23-3Все характеристики

Минимальная цена MMBTA13LT3G при покупке от 1 шт 36.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MMBTA13LT3G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MMBTA13LT3G

MMBTA13LT3G onsemi Транзистор: TRANS NPN DARL 30V 0.3A SOT23-3

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение блокировки VCEO: 30В
    • Номинальный ток IC: 0.3А
    • Тип: NPN транзистор Дарлингтона
    • Пакет: SOT23-3
  • Плюсы:
    • Высокая усиленная трансформация
    • Малый размер и легкий вес благодаря компактному пакету SOT23-3
    • Высокая надежность и долговечность
  • Минусы:
    • Высокие требования к охлаждению при больших нагрузках
    • Необходимость использования управляющего сигнала для управления током
  • Общее назначение:
    • Усиление сигналов
    • Контроль электрических цепей
    • Применяется в цифровых и аналоговых схемах
  • В каких устройствах применяется:
    • Системы управления двигателем
    • Автомобильные системы
    • Электронные часы и цифровые часы
    • Игровые консоли и периферийное оборудование
    • Мобильные устройства
Выбрано: Показать

Характеристики MMBTA13LT3G

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    NPN - Darlington
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    300 mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    30 V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    1.5V @ 100µA, 100mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    100nA (ICBO)
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    10000 @ 100mA, 5V
  • Рассеивание мощности
    225 mW
  • Трансформация частоты
    125MHz
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Исполнение корпуса
    SOT-23-3 (TO-236)
  • Base Product Number
    MMBTA13

Техническая документация

 MMBTA13LT3G.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    SBC846ALT1GТранзистор: TRANS NPN 65V 0.1A SOT23-3
    34Кешбэк 5 баллов
    MMBTA55LT1GТранзистор: TRANS PNP 60V 0.5A SOT23-3
    34Кешбэк 5 баллов
    SMMBTA06LT3GTRANS NPN 80V 0.5A SOT23-3
    34Кешбэк 5 баллов
    MMBTA06WT1GTRANS NPN 80V 0.5A SC70-3
    34Кешбэк 5 баллов
    2SC5964-S-TD-ETRANS NPN 50V 3A PCP
    34Кешбэк 5 баллов
    MSB1218A-RT1GTRANS PNP 45V 0.1A SC70-3
    34Кешбэк 5 баллов
    MSB92T1GTRANS PNP 300V 0.15A SC59
    34Кешбэк 5 баллов
    MMBT5087LT3GTRANS PNP 50V 0.05A SOT23-3
    34Кешбэк 5 баллов
    SMMBT2222ALT3GTRANS NPN 40V 0.6A SOT23-3
    34Кешбэк 5 баллов
    BC858AWT1GTRANS PNP 30V 0.1A SC70-3
    34Кешбэк 5 баллов
    2SD1835STRANS NPN 50V 2A 3NP
    34Кешбэк 5 баллов
    2SA1706S-ANTRANS PNP 50V 2A 3NMP
    34Кешбэк 5 баллов
    2SD1835TTRANS NPN 50V 2A 3NP
    34Кешбэк 5 баллов
    2SA1705S-ANTRANS PNP 50V 1A 3NMP
    34Кешбэк 5 баллов
    SBC817-16LT3GТранзистор: TRANS NPN 45V 0.5A SOT23-3
    34Кешбэк 5 баллов
    NSVBC817-16LT1GТранзистор: TRANS NPN 45V 0.5A SOT23-3
    34Кешбэк 5 баллов
    SMMBTA06LT1GTRANS NPN 80V 0.5A SOT23-3
    34Кешбэк 5 баллов
    NSVBC857CWT1GТранзистор: TRANS PNP 45V 0.1A SC70-3
    34Кешбэк 5 баллов
    KSP92BUТранзистор: TRANS PNP 300V 0.5A TO92-3
    34.6Кешбэк 5 баллов
    PN2907ATFRТранзистор: TRANS PNP 60V 0.8A TO92-3
    35Кешбэк 5 баллов
    BCX19LT1GTRANS NPN 45V 0.5A SOT23-3
    36Кешбэк 5 баллов
    CPH3145-TL-ETRANS PNP 50V 2A 3CPH
    36Кешбэк 5 баллов
    2N4403TFRТранзистор: TRANS PNP 40V 0.6A TO92-3
    36Кешбэк 5 баллов
    SMMBT5401LT1GTRANS PNP 150V 0.5A SOT23-3
    36Кешбэк 5 баллов
    MMBTA13LT3GТранзистор: TRANS NPN DARL 30V 0.3A SOT23-3
    36Кешбэк 5 баллов
    BC807-40WT1GТранзистор: TRANS PNP 45V 0.5A SC70-3
    36Кешбэк 5 баллов
    2N4401TARТранзистор: TRANS NPN 40V 0.6A TO92-3
    36Кешбэк 5 баллов
    MMBT5550LT3GTRANS NPN 140V 0.6A SOT23-3
    36Кешбэк 5 баллов
    MSD601-RT1GТранзистор: TRANS NPN 50V 0.1A SC59
    36Кешбэк 5 баллов
    SBC847CWT3GTRANS NPN 45V 0.1A SC70-3
    36Кешбэк 5 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Варикапы и Варакторы
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диодные мосты
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды - ВЧ
    Модули драйверов питания
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Одиночные IGBT транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Одиночные биполярные транзисторы
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - JFET
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Сборки биполярных транзисторов
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы специального назначения
    Симисторы - Модули
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диодные мосты - Модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды силовые
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Симисторы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Одиночные триодные тиристоры
    Высокочастотные диоды
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Модули драйверов питания
    Полевые транзисторы - Модули
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторные модули
    Модули триодных тиристоров
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП